초록
본 논문에서는 저전력 스위치에 사용되는 소자의 포화전압 특성을 개선하기 위해 새로운 구조의 BJT를 제안하고 있다 기존에 사용되던 finger transistor(FT)의 경우 포화전압이 높아 저전력 소자의 특성을 만족하지 않아 multi base island transistor(MBIT)로 구조를 변경함으로써 저전류 영역에서의 포화전압은 충분히 낮아 저전력용 소자의 특성을 만족하지만, 이 역시 고전류 영역에서는 여전히 포화전압이 높아져 저전력용 소자의 특성을 만족하지 못하는 문제가 발생한다. 이에 본 논문에서는 folded back electrode를 이용한 새로운 구조의 BJT(FBET)를 제안하여 그 특성을 조사하였다. 새로운 구조의 트랜지스터를 적용함으로써 MBIT 구조에 비해 에미터 면적은 35 % 증가하고 접촉창의 면적이 92 % 증가하여, 저 전류 영역에서의 포화 전압은 30 % 감소하였고 고 전류 영역에서의 포화 전압은 에미터 면적 증가와 에미터 접촉 창 면적 증가에 의해 각각 30 %와 7 %씩 감소하여 전체적으로는 37 %가 감소하는 특성을 나타내었다.
In this paper a new structure of BJT is proposed to improve the saturation voltage characteristics so that it can be used to the low power switching devices. In the case of the conventional finger transistor(FT), the saturation voltage is so high that it dose not satisfy the requirements for the low power device. So the other multi base island transistor(MBIT) is suggested and its saturation voltage is so low in the region of low current that it satisfy the requirement for the low power switching devices, but in region of the high current the saturation voltage tends to increase so that it does not satisfy the requirements for the low power switching devices. So in this paper a new structure of folded back electrode transistor(FBET) is proposed and the characteristics is investigated. When the new structure is applied the emitter area is increased by 35 % so the saturation voltage is reduced by 30 % at the low current region and the contact area is increased by 92 % so the saturation voltage is reduced by totally f % at the high current region with the reduction of 30 % by the increase of the emitter area and the reduction of 7 % by the increase of the emitter contact area.
