초록
본 연구에서는 인체모델(humman body model; HBM)을 터널링 자기저항(tunneling magneto resistance; TMR)소자에 연결하여 정전기에 대한 방전특성을 연구하였다. 이를 위해 제조된 TMR 시편을 전기적 등가회로 바꿔 HBM에 연결하여 PSPICE를 이용해 시뮬레이션 하였다. 이러한 등가회로에서 접합부분의 모델링 요소들의 값을 변화시켜 방전특성을 관찰할 수 있었다. 그 결과 시편의 저항과 정전용량 성분의 값이 다른 요소들에 비해 수배에서 수백 배까지 커서 정전기 방전(electrostatic discharge; ESD) 민감도를 좌우하는 주요한 요소임을 알 수 있었다. 여기에서 ESD현상에 대한 내구성을 향상시키기 위해서는 정전용량을 증가시키는 것 보다 접합면과 도선의 저항값을 줄이는 것이 유리하다. 그리고 직류 전압에 대해 절연층의 전위 장벽이 낮아져 많은 전류가 흐르게 되는 항복(breakdown)전압과 셀의 물리적 구조 및 성질이 변형되어 회복되지 못하는 파괴(failure)전압을 측정하여 DC 상태에서의 내구성을 연구하였다. 이 결과를 HBM 전압에 대한 파괴 전압으로 간주하여 TMR 소자가 견딜 수 있는 HBM 전압을 예측할 수 있었다.
Electrostatic discharge characteristics were studied by connecting human body model (HBM) with tunneling magnetoresistance (TMR) device in this research. TMR samples were converted into electrical equivalent circuit with HBM and it was simulated utilizing PSPICE. Discharge characteristics were observed by changing the component values of the junction model in this equivalent circuit. The results show that resistance and capacitance of the TMR junction were determinative components that dominate the sensitivity of the electrostatic discharge(ESD). Reducing the resistance oi the junction area and lead line is more profitable to increase the recording density rather than increasing the capacitance to improve the endurance for ESD events. Endurance at DC state was performed by checking breakdown and failure voltages for applied DC voltage. HBM voltage that a TMR device could endure was estimated when the DC failure voltage was regarded as the HBM failure voltage.
