C54구조의 $TiSi_2$와 As 이온 주입된 다결정 Si계에서 고온 열처리에 의한 표면상태 거칠어짐과 TiAs 침전물 형성에 관한 연구

Investigation of TiAs Precipitate Formation and Morphology Degradation between $TiSi_2$ with C54 Structure and Poly Silicon Doped with Arsenic

비로소 높게 이온주입된 다결정 실리콘에 대한 C54 구조를 갖는 $TiSi_{2}$의 열적 안정성과 $TiSi_{2}{\times}As{\longrightarrow}TiAs{\times}2Si$의 TiAs 석출물 형성반응이 다결정 실리콘 박막의 표면 상태 거칠어짐에 미치는 영향을 살펴보았다.

Thermal stability of $TiSi_{2}$ with C54 structure and morphology degradation of poly silicon layer resulted from the formation of TiAs precipitate through the reaction between $TiSi_{2}$ and arsenic ion implanted in poly silicon have been studied.