Acknowledgement
This research was supported by the Basic Science Research Program through NRF of Korea funded by the Ministry of Education (NRF-2019R1A2C1085295)
Proceedings of the Korean Institute of Information and Commucation Sciences Conference (한국정보통신학회:학술대회논문집)
- 2021.10a
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- Pages.634-636
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- 2021
Macro Modeling of a Feedback Field-effect Transistor
피드백 전계 효과 트랜지스터의 메크로 모델링 연구
- Oh, Jong Hyeok (Hankyong National University) ;
- Yu, Yun Seop (Hankyong National University)
- Published : 2021.10.03
Abstract
In this study, we studied the macro-modeling of an feedback field-effect transistor (FBFET) using SPICE simulation. The previously presented macro-model of the FBFET is consisting of two circuits. one is charge integration circuit, and the other is current generation circuit. The previous current generation circuit has problem that can't predict performance accurately of the circuits, due to implementing only IDS-VGS characteristics. To solve this problem, we presents a model that can implement not only IDS-VGS characteristics but alos IDS-VDS characteristics by adding the diode in the current generation circuit.
이번 연구에서는 피드백 전계 효과 트랜지스터(feedback field-effect transistor, FBFET)의 메크로 모델링에 대한 연구를 SPICE 시뮬레이터를 통해 진행했다. 기존에 제시된 FBFET의 메크로 모델은 두 개의 회로로 구성돼 있으며, 하나는 전하 축적 기능을 구현한 회로이며 다른 하나는 전류 생성 회로이다. 기존 전류 생성회로는 IDS-VGS 특성만 구현 가능하여 회로 예측에 어려움이 있다. 이를 해결하기 위해 전류 생성 회로에 다이오드를 추가함으로 IDS-VDS 특성까지 구현 가능한 모델을 제시한다.