한국전기전자재료학회:학술대회논문집 (Proceedings of the Korean Institute of Electrical and Electronic Material Engineers Conference)
- 한국전기전자재료학회 2005년도 하계학술대회 논문집 Vol.6
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- Pages.31-32
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- 2005
Nano-scale CMOS에 적용하기 위한 Ni-Germanosilicide에서 Ni-Pd 합금을 이용한 Ni-Germanosilicide의 열안정성 향상
Thermal Stability Improvement of Ni Germanosilicide using Ni-Pd alloy for Nano-scale CMOS Technology
- 김용진 (충남대학교) ;
- 오순영 (충남대학교) ;
- 아그츠바야르투야 (충남대학교) ;
- 윤장근 (충남대학교) ;
- 이원재 (충남대학교) ;
- 지희환 (충남대학교) ;
- 한길진 (한국기술교육대학교) ;
- 조유정 (한국기술교육대학교) ;
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김영철
(한국기술교육대학교) ;
- 왕진석 (충남대학교) ;
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이희덕
(충남대학교)
- Kim, Yong-Jin (Chungnam National University) ;
- Oh, Soon-Young (Chungnam National University) ;
- Agchbayar, Tuya (Chungnam National University) ;
- Yun, Jang-Gn (Chungnam National University) ;
- Lee, Won-Jae (Chungnam National University) ;
- Ji, Hee-Hwan (Chungnam National University) ;
- Han, Kil-Jin (Korea University of Technology and Education) ;
- Cho, Yu-Jung (Korea University of Technology and Education) ;
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Kim, Yeong-Cheol
(Korea University of Technology and Education) ;
- Wang, Jin-Suk (Chungnam National University) ;
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Lee, Hi-Deok
(Chungnam National University)
- 발행 : 2005.07.07
초록
Ge 농도가 30%인 SiGe 위에 Ni-Pd 합금을 이용한 새로운 Ni-Germanosilicide의 방법을 제안하여 열안정성 향상에 대해 연구하였다. 새롭게 제안한 Ni-Pd 합금을 이용하여 3 가지 구조 (Ni-Pd, Ni-Pd/TiN, Ni-Pd/Co/TiN) 중 Cobalt 다층구조를 사용한 구조 (Ni-Pd/Co/TiN)가 면저항이 가장 낮고 안정한 silicide 특성을 갖는 것을 나타냈으며, 고온열처리