• Proceedings of the Korean Institute of Electrical and Electronic Material Engineers Conference
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• 2005.07a
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• pp.31-32
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• 2005

Ge 농도가 30%인 SiGe 위에 Ni-Pd 합금을 이용한 새로운 Ni-Germanosilicide의 방법을 제안하여 열안정성 향상에 대해 연구하였다. 새롭게 제안한 Ni-Pd 합금을 이용하여 3 가지 구조 (Ni-Pd, Ni-Pd/TiN, Ni-Pd/Co/TiN) 중 Cobalt 다층구조를 사용한 구조 (Ni-Pd/Co/TiN)가 면저항이 가장 낮고 안정한 silicide 특성을 갖는 것을 나타냈으며, 고온열처리 $700^{\circ}C$, 30분에서도 낮고 안정한 면저항 특성을 유지시켜 열안정성을 개선하였다.

• Proceedings of the IEEK Conference
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• 2004.06b
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• pp.391-394
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• 2004

In this study, highly thermal stable Ni Germanosilicide has been utilized using NiPt alloy and novel NiPt/Co/TiN tri-layer. And, the Ni Germanosilicide Properties were characterized according to different Ge ratio (x) in $Si_{l-x}Ge_x$ for the next generation CMOS application. The sheet resistance of Ni Germanosilicide utilizing pure-Ni increased dramatically after the post-silicidation annealing at $600^{\circ}C$ for 30 min. Moreover, more degradation was found as the Ge fraction increases. However, using the proposed NiPt/Co/TiN tri-layer, low temperature silicidation and wide range of RTP process window were achieved as well as the improvement of the thermal stability according to different Ge fractions by the subsequent Co and TiN capping layer above NiPt on the $Si_{l-x}Ge_x$. Therefore, highly thermal immune Ni Germanosilicide up to $600^{\circ}C$ for 30 min is utilized using the NiPt/Co/TiN tri-layer promising for future SiGe based ULSI technology.

• Proceedings of the IEEK Conference
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• 2005.11a
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• pp.607-610
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• 2005

In this paper, Ni Germanosilicide using Ni-Ta/Co/TiN is proposed to improve thermal stability. The sheet resistance of Ni Germanosilicide utilizing pure Ni increased dramatically after the post-silicidation annealing at $600^{\circ}C$ for 30min. However, using the proposed Ni-Ta/Co/TiN structure, low temperature silicidation and wide range of RTP process window were achieved.

• Proceedings of the Korean Ceranic Society Conference
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• 2003.10a
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• pp.201.2-201
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• 2003

• Proceedings of the Korean Society Of Semiconductor Equipment Technology
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• 2005.05a
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• pp.215-218
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• 2005

Co-interlayer와 $SiO_2$ 상부막이 nickel germanosilicide 박막의 열안정성에 미치는 영향을 연구하였다. Nickel germanosilicide는 SiGe 기판 위에 Ni(8nm)/TiN(25nm), Ni(6m)/Co(2nm)/TiN(25nm)을 증착하여 각각 one step RIP($500^{\circ}C$)와 two step RTP(500. $700^{\circ}C$)로 형성되었다. 50과 10nm 두께의 $SiO_2$ 박막을 실리사이드 위에 증착하고, 550, 600, $650^{\circ}C$에서 30분간 열처리한 후 면저항 값을 측정하여 열안정성을 평가하였다.

• Proceedings of the IEEK Conference
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• 2004.06b
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• pp.513-516
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• 2004

본 논문에서는 $20\%$ Ge 조성 비율을 갖는 SiGe 200nm 에 $1\%$-Nitrogen doping 된 Nickel 을 이용하여 새로운 Nickel Germanosilicide 방법을 제안하여 Ni-Germanosilicide 의 단점인 열 안정성 개선에 대해 연구하였다. Nitrogen atom 이 grain boundary 에 존재하여 Nickel의 diffusion을 억제시키는 역할을 하여 shallow한 실리사이드와 uniform 한 실리사이드 계면 특성을 얻게 되었다. 그리고 실리사이드 형성 후, 고온로 열처리 $600^{\circ}C$, 30min 후에도 낮고 안정한 면 저항 특성으로 열안정성 개선 할 수 있다.

• Proceedings of the Korean Vacuum Society Conference
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• 2007.02a
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• pp.129-129
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• 2007