Proceedings of the Korean Institute of Electrical and Electronic Material Engineers Conference (한국전기전자재료학회:학술대회논문집)
- 2004.11a
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- Pages.45-48
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- 2004
Improvement of Thermal Stability of Nickel Silicide Under the Influence of Nickel Sandwich Structure
니켈 sandwich구조에 의한 니켈실리사이드의 열안정성의 개선
- Kim, Yong-Jin (Dept. of Electronics Engineering, Chungnam National University) ;
- Oh, Soon-Young (Dept. of Electronics Engineering, Chungnam National University) ;
- Yun, Jang-Gn (Dept. of Electronics Engineering, Chungnam National University) ;
- Huang, Bin-Feng (Dept. of Electronics Engineering, Chungnam National University) ;
- Ji, Hee-Hwan (Dept. of Electronics Engineering, Chungnam National University) ;
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Kim, Yong-Goo
(Dept. of Electronics Engineering, Chungnam National University)
;
- Wang, Jin-Suk (Dept. of Electronics Engineering, Chungnam National University) ;
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Lee, Hi-Deok
(Dept. of Electronics Engineering, Chungnam National University)
- 김용진 (충남대학교 전자공학과) ;
- 오순영 (충남대학교 전자공학과) ;
- 윤장근 (충남대학교 전자공학과) ;
- 황빈봉 (충남대학교 전자공학과) ;
- 지희환 (충남대학교 전자공학과) ;
-
김용구
(충남대학교 전자공학과)
;
- 왕진석 (충남대학교 전자공학과) ;
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이희덕
(충남대학교 전자공학과)
- Published : 2004.11.11
Abstract
본 논문은 니켈실리사이드 (Ni-Silicide)의 열안정성을 개선하기 위해서 Ti와 TiN capping 층을 이용한 새로운 구조 Ni/Ti/Ni/Tin 구조를 제안하였다. 계면특성과 열안정성을 향상시키기 위해 타이타늄(Ti)을 니켈(Nickel) 사이에 적용하고, 니켈 실리사이드 형성 시 산소와의 반응을 억제하여 실리사이드의 응집현상을 개선시키고자 TiN capping을 적용 하였다. 니켈 실리사이드의 형성온도에 따른