Proceedings of the Korean Institute of Electrical and Electronic Material Engineers Conference (한국전기전자재료학회:학술대회논문집)

The Korean Institute of Electrical and Electronic Material Engineers (한국전기전자재료학회)
권호 표지

Electrical characteristics of Si diode with proton irradiation conditions

양성자 주입 조건에 따른 Si 다이오드의 전기적 특성

  • Lee, Kang-Hee (School of Electrical Engineering and Computer Science Kyungpook National University) ;
  • Kim, Byoung-Gil (Division of Information and Communication Engineering Uiduk University) ;
  • Lee, Yong-Hyun (School of Electrical Engineering and Computer Science Kyungpook National University) ;
  • Baek, Jong-Mu (Department of Electronic Telecommunication Daewon Science College) ;
  • Lee, Jae-Sung (Division of Information and Communication Engineering Uiduk University) ;
  • Bae, Young-Ho (Division of Information and Communication Engineering Uiduk University)
  • 이강희 (경북대학교 전자전기컴퓨터학부) ;
  • 김병길 (위덕대학교 정보통신공학부) ;
  • 이용현 (경북대학교 전자전기컴퓨터학부) ;
  • 백종무 (대원과학대학 전자정보통신과) ;
  • 이재성 (위덕대학교 정보통신공학부) ;
  • 배영호 (위덕대학교 정보통신공학부)
  • Published : 2004.11.11
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Abstract

양성자 주입 기술을 pn 다이오드의 동작 속도를 향상시키기 위한 방법 이용하였다. 양성자 주입은 에너지를 2.32 MeV, 2.55 MeV, 2.97 MeV로 변화시키며 수행하여, projection 범위를 각각 접합, 공핍, 중성영역에 위치하도록 하였다. 또한 각각의 에너지 조건에서 도즈를 $1{\times}10^{11}\;cm^{-2}\;1{\times}10^{12}\;cm^{-2},\;1{\times}10^{13}\;cm^{-2}$의 세가지 조건으로 변화시켰다. 양성자 주입 조건 변화에 따른 소자 동작특성의 변화를 관찰하기 위하여 소자의 전류-전압 특성, 용량-전압 특성, 역방향 회복시간 측정을 수행하였다. 분석결과 양성자를 주입하지 않은 소자에 비해 특성의 큰 열화없이 역방향 회복시간을 약 1/5 수준으로 단축시킬 수 있는 것으로 나타났다.

Keywords