Journal of the Korean Institute of Electrical and Electronic Material Engineers
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v.18
no.12
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pp.1106-1110
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2005
We fabricated (110) silicon hard master by using anisotropic wet etching for embossing. The etching chemical for the silicon wafer was a TMAH $25\%$ solution. The anisotropic wet etching produces a smooth sidewall surface and the surface roughness of the fabricated master is about 3 nm. After spin coating an organic-inorganic sol-gel hybrid material on a silicon substrate, we employed hot embossing technique operated at a low pressure and temperature to form patterns on the silicon substrate by using the fabricated master. We successfully fabricated the multi-mode planar optical waveguides showing low propagation loss of 0.4 dB/cm. The surface roughness of embossed patterns was uniform for more than 10 times of the embossing processes with a single hydrophobic surface treatment of the silicon hard master.
Compared with tilt transfer wet station, vertical etching system has a variety of advantages that are 50% space savings, higher throughput, fairly good etch uniformity over an entire glass for thin film transistor application. The aim of the present work is to study on a vertical etching system to improve the process factors. The computational fluid dynamics analysis is used to demonstrate the change of the etch uniformity as a function of tilt angle of the glass substrate.
VTR 자기헤드의 핵심소재로 사용되는 ferrite는 VTR 의 주기능인 영상의 기록 및 재생역할에 가장 중요한 소재이다. 이러한 종류의 head는 지금까지 mask wet chemical etching과 mechanical Process 에 의해 제작 되어왔다. 그러나 기록용량의 중가로 자기장치의 recording density를 높일것이 요구됨에 따라 자기헤드의 gap width를 줄일 필요가 있게 되었다. 본 연구는 mask와 photoresist를 사용하지 않고 ferrite를 직접 미세가공 하는 laser-induced wet etching을 이용하여 자기헤드의 기록용량을 높이고자 하였다. $Ar^+$ laser ( 파장 514 nm )를 빔 확장기와 렌즈를 사용 하여 직경 $1.8{\mu}m$ 로 집속하고, $100{\sim}500\;mW$의 출력 변화를 주어 실험을 하였다. 인산 수용액 (45, 65, 85 %)을 etchant로 사용하여 $5{\sim}30{\mu}m/sec$의 주사속도로 etching 하여, 미세선폭과 high aspect ratio를 갖는 groove를 얻을 수 있었다.
Kim, Do-Hyoung;Lee, Ho-Deok;Kwon, Sang-Jik;Cho, Eou-Sik
Journal of the Semiconductor & Display Technology
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v.16
no.4
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pp.16-19
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2017
For the economical and environmental-friendly fabrication of polisher, Mo mask layer were sputtered on glass substrate instead of Cr mask material. Mo mask layers were sputtered by pulsed-DC sputtering and Photoresist patterns were formed on Mo mask layer for different develop times and optimized. After Mo mask layer were patterned and exposed glass was wet etched by HF solution for different etching times, the remaining Mo mask was stripped by using Al etchant. Develop time of 30 sec and HF wet etching time of 3 min were selected as optimized process condition and applied to the fabrication of polisher.
Journal of the Korea Academia-Industrial cooperation Society
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v.19
no.4
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pp.650-656
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2018
The TFT-LCD industry is a kind of large-scale industrial Giant Microelectronics device industry and has a similar semiconductor process technology. Wet etching forms a relatively large proportion of the entire TFT process, but the number of published research papers on this topic is limited. The main reason for this is that the components of the etchant, in which the reaction takes place, are confidential and rarely publicized. Aluminum (Al) and copper (Cu), which have been used in recent years for the manufacture of large area LCDs, are very difficult materials to process using wet etching. Cu, a low-resistance material, can only be used in the wet etching process, and is used as a substitute for Al due to its high speed etching, low failure rate, and low power consumption. Further, the abnormal reaction of hydrogen peroxide ($H_2O_2$), which is used as an etching solution, requires additional piping and electrical safety devices. This paper proposes a method of minimizing the damage to the plant in the case of adverse reactions, though it cannot limit the adverse reaction of hydrogen peroxide. In recent years, there have been many cases in which aluminum etching equipment has been changed to copper. This paper presents a countermeasure against abnormal reactions by implementing safety PLC with a high safety grade.
Proceedings of the Korean Institute of Electrical and Electronic Material Engineers Conference
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2010.06a
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pp.339-339
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2010
Photo-assisted wet chemical etching of GaN thin film was studied using KOH based solutions. A $2{\mu}m-2{\mu}m$ titanium line-and-space pattern was used as a etching mask. It is found that the etching characteristics of the GaN thin film is strongly dependent on the pattern direction by unisotropic property of KOH based solution. When the pattern was aligned to the [$11\bar{2}0$] directions, ($10\bar{1}n$)-facet is revealed constructing V-shaped sidewalls.
Journal of the Korean Society for Precision Engineering
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v.24
no.5
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pp.104-109
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2007
Photochemical patterning of self-assembled mono layers (SAMs) has been performed by diode pumped solid state (DPSS) 3rd harmonic Nd:$YVO_4$ laser with wavelength of 355 nm. SAMs patternings of parallel lines have subsequently been used either to generate compositional chemical patterns or fabricate microstructures by a wet etching. This paper describes a selective etching process with patterned SAMs of alkanetiolate molecules on the surface of gold. SAMs formed by the adsorption of alkanethiols onto gold substrate employs as very thin photoresists. In this paper, the influence of the interaction between the functional group of SAMs and the etching solution is studied with optimal laser irradiation conditions. The results show that hydrophobic functional groups of SAMs are more effective for selective chemical etching than the hydrophilic ones.
Hydrogen has emerged as an eco-friendly and sustainable alternative to fossil fuels. However, the utilization of hydrogen requires high-pressure compression, storage, and transportation, which poses challenges to the durability of compressor components, particularly the diaphragm. This study aims to improve the durability of 304 stainless steel diaphragms in hydrogen compressors by optimizing their surface roughness and corrosion resistance through wet etching. The specimens were prepared by immersing 304 stainless steel in a mixture of sulfuric acid and hydrogen peroxide, followed by etching in hydrochloric acid for various durations. The surface morphology, roughness, and wettability of the etched specimens were characterized using optical microscopy, surface profilometry, and water contact angle measurements. The friction and wear characteristics were evaluated using reciprocating sliding tests. The results showed that increasing the etching time led to the development of micro/nanostructures on the surface, thereby increasing surface roughness and hydrophilicity. The friction coefficient initially decreased with increasing surface roughness owing to the reduced contact area but increased during long-term wear owing to the destruction and delamination of surface protrusions. HCl-30M exhibited the lowest average friction coefficient and a balance between the surface roughness and oxide film formation, resulting in improved wear resistance. These findings highlight the importance of controlling the surface roughness and oxide film formation through etching optimization to obtain a uniform and wear-resistant surface for the enhanced durability of 304 stainless steel diaphragms in hydrogen compressors.
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[게시일 2004년 10월 1일]
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