본 논문은 멀티 채널의 어레이 집적 모듈을 갖는 광트랜시버를 위한 2.5 Gbps 어레이 VCSEL driver의 설계 및 구현에 관한 것이다. 본 논문에서는 광트랜시버에 적용된 1550 nm high speed VCSEL을 드라이브하기 위하여 $0.18{\mu}m$ CMOS 공정 기술을 이용하여 자동 광전력제어 기능을 갖는 2.5 Gbps VCSEL (수직 공진기 표면 방출 레이저) 드라이버 어레이를 구현하였다. 광트랜스미터의 폭넓은 대역폭 향상을 위해 2.5 Gbps VCSEL Driver에 네가티브 용량성 보상을 갖는 능동 궤환 증폭기 회로를 채용한 결과 기존 토폴로지에 비해 대역폭, 전압 이득 및 동작 안정성의 뚜렷한 향상을 보였다. 4채널 칩은 최대 변조 및 바이어스 전류하에서 1.8V/3.3V 공급에서 140 mW의 DC 전력만 소모하고, 다이 면적은 기존 본딩 패드를 포함하여 $850{\mu}m{\times}1,690{\mu}m$를 갖는다.
본 연구에서는 계량 설비에 사용되는 스마트형 디지털 로드셀을 개발하였다. 로드셀 센서는 중량의 변화에 대해 매우 민감하여햐 하므로 정밀한 A/D변환을 위하여 온도 안정성, 낮은 드리프트 특성 그리고 분해능이 우수하여야 한다. 단일칩 마이크로프로세서에 의해 제어되는 고안된 아날로그 회로로써 OP엠프 오프셋과 드리프트 특성을 저감시키며 소프트웨어 알고리즘에 의해 안정되고 정밀한 A/D 변환이 가능하도록 디지털 로드셀을 설계하였다. 또한 RS-485통신 방식으로 로드셀을 제어하고 보정용 데이터와 제어 데이터를 기억시키는 기능들도 포함하였다. 시뮬레이션과 실측 평가를 통하여 개발된 로드셀의 우수성을 입증하였으며, 본 연구의 결과는 원격계량 센서로서 계량 설비 분야에 유용한 활용이 기대된다.
본 논문에서는 DC 바이어스 소자와 정전파괴 보호회로를 MMIC상에 모두 내장한 완전집적화 K/Ka밴드 광대역 증폭기 MMIC를 제작하였으며, 따라서 MMTC의 동작을 위해서는 프린트기판상의 외부소자가 불필요하였다 DC 바이어스 용량성소자로서는, 소형의 SrTiO3 (STO) 커패시터를 MMIC 내부에 집적하였으며, DC feed 소자로서는 소형의 LC병렬공진회로를 집적하였다. 그리고 정전파괴방지를 위해서는 소형의 LC병렬공진 정전파괴 보호회로를 MMIC의 입출력부에 내장하였다. 정전파괴 보호회로에 의해 정전파괴전압은 10 V에서 300 V까지 개선되었다. 광대역에 걸쳐서 양호한 RF특성과 안정도를 보장하기 위해서, 프리매칭 기법과 RC병렬 안정화 회로가 이용되었다. 제작된 MMIC는 K/Ka 밴드의 광대역(17-28 GHz)에 걸쳐서 $20{\pm}2$ dB의 전력이득, $21{\pm}1.5$ dBm의 1dB 이득 압축점 (P1dB)의 양호한 RF특성을 보였다. 그리고 제작된 MMIC로부터 DC에서 동작주파수이상의 광대역에 걸쳐서 안정화 특성을 관찰 할 수 있었다. 제작된 MMIC의 면적은 $1.7{\pm}0.8$ mm2이었다.
These days, the advantages of DC power system are consistently stand out in korea that was a small power loss and high stability. Needs of DC power transmission technology is focused In the midst of a smart grid and environment friendly generation technology boom that is needed for next generation technology. Researches and businesses for HVDC(High Voltage Direct Current) system has been began. But, Needs of HVDC equipment and system commissioning technology are not on the rise until now. In particular, South Korea's HVDC technology is after the foot runner of advanced country and company. In addition, There is no experience for equipment verification and commissioning technology. And Experts of HVDC are rare. Who has been fully understood hardware and system as a whole, and identified all the equipment's characteristic. Recently, Academia and industry are recognized a needs of HVDC technology. But it does not received a recognition of technical value. In this paper, introduce issues when we apply the IEEE's verification method for HVDC system, especially DC current measurement system, DC CT(Direct Current Transformer), among the HVDC equipments. And Proposes remedial methods on the issue in order to recognize the necessity that was HVDC equipments's verification and commissioning technology research should be focused on.
본 논문에서는 저전력 무선통신 기반 다중 프로토콜 게이트웨이 시스템 설계를 제안한다. 제안 된 멀티 프로토콜 게이트웨이 시스템은 가로등 전력 제어 및 환경 모니터링을 위한 정보를 수집하여 무선 네트워크와 유선 네트워크를 통해 현장 상황을 실시간으로 모니터링 및 제어 할 수 있도록 설계하였다. 코드분할 다중접속 및 이더넷, 위성 항법장치, 저전력 무선통신 등의 유선 또는 무선통신을 선택적으로 사용한 복합처리와 함께 다중 센서를 이용하여 수집 된 데이터를 저전력 무선통신을 통해 서버로 전송하는 중개 역할을 하도록 설계하였다. 그리고 유지보수 비용 및 하드웨어 교체 용이성을 위해 CPU 및 베이스 보드로 분리하여 설계하였다. 본 논문에서 제안된 다중 프로토콜 게이트웨이 시스템의 전원, 충격, 연속동작 신뢰성 검증결과, 95% 이상의 정상동작 성공률 및 정상적인 연속동작 결과를 얻을 수 있었다. 그리고 전압 강하 및 순간 내성시험, 전도성 RF 전자기장 내성시험에서 평균 A등급의 평가결과를 얻을 수 있었다.
GMA 용접 중 100% $CO_2$ 가스를 사용하는 $CO_2$ 용접은 경제적이고 고능률적이라는 점 때문에 많이 사용되고 있다. $CO_2$ 용접의 아크현상과 스패터 발생량은 용접용 와이어의 화학성분, 실드가스, 용접조건 등에 영향을 받는다. 특히 용접조건은 용적이행 모드를 결정하기 때문에 스패터 발생량에 커다란 영향을 미친다. 본 연구는 $CO_2$ 용접 재료 중 두 type의 FCW(titania계, semi-metal계)를 이용하여 용접조건을 변화시켜 아크현상과 스패터 발생량을 파악하여 용접부의 품질 평가와 용접조건 설정에 기여코져 한다. 본 연구를 통해, 다음과 같은 결론을 얻을 수 있다. 1) 저전류 영역(140A)의 FCW 모두 22V까지는 전형적이 단락이행이 나타났고, 스패터 발생량의 증가와 저전류 스패터 입도를 대립화하였다. 2) 대전류 영역(320A)의 전형적인 globular이행에서 titania계 FCW가 semi-metal계 FCW보다 아크 안정성이 양호하였다.
Carbon-coated $Li_3V_2(PO_4)_3-LiMnPO_4$ composite cathode materials are first reported in this work, prepared by the mechanochemical process with a complex metal oxide as the precursor and sucrose as the carbon source. X-ray diffraction pattern of the composite material indicates that both olivine $LiMnPO_4$ and monoclinic $Li_3V_2(PO_4)_3$ co-exist. We further investigated the electrochemical properties of our $Li_3V_2(PO_4)_3-LiMnPO_4$ composite cathode materials using galvanostatic charging/discharging tests, where our $Li_3V_2(PO_4)_3-LiMnPO_4$ composite electrode materials exhibit the charge/discharge efficiency of 91.9%, while $Li_3V_2(PO_4)_3$ and $LiMnPO_4$ exhibit the efficiency of 87.7 and 86.7% in the first cycle. The composites display unique electrochemical performances in terms of overvoltage and cycle stability, displaying a reduced gap of 141.6 mV between charge and discharge voltage and 95.0% capacity efficiency after $15^{th}$ cycles.
We have fabricated solution processed oxide semiconductor active layer for thin film transistors (TFTs). The oxide semiconductor layers were prepared by ink-jet printing the sol-gel precursor solution based on doped-ZnO. Inorganic ZnO-based thin films have drawn significant attention as an active channel layer for TFTs applications alternative to conventional Si-based materials and organic semiconducting materials, due to their wide energy band gap, optical transparency, high mobility, and better stability. However, in spite of such excellent device performances, the fabrication methods of ZnO related oxide active layer involve high cost vacuum processes such as sputtering and pulsed laser deposition. Herein we introduced the ink-jet printing technology to prepare the active layers of oxide semiconductor. Stable sol-gel precursor solutions were obtained by controlling the composition of precursor as well as solvents and stabilizers, and their influences on electrical performance of the transistors were demonstrated by measuring electrical parameters such as off-current, on-current, mobility, and threshold voltage. Microstructure and thermal behavior of the doped ZnO films were investigated by SEM, XRD, and TG/DTA. Furthermore, we studied the influence of the ink-jet printing conditions such as substrate temperature and surface treatment on the microstructure of the ink-jet printed active layers and electrical performance. The mobility value of the device with optimized condition was about 0.1-1.0 $cm^2/Vs$ and the on/off current ratio was about $10^6$. Our investigations demonstrate the feasibility of the ink-jet printed oxide TFTs toward successful application to cost-effective and mass-producible displays.
Lee, Ho-Sik;Lee, Won-Jae;Park, Jong-Wook;Kim, Tae-Wan;Dou--Yol Kang
한국전기전자재료학회:학술대회논문집
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한국전기전자재료학회 1999년도 추계학술대회 논문집
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pp.111-114
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1999
Electroluminescence(EL) devices based on organic thin films have been attracted lots of interests in large-area light-emitting display. In this stuffy, an emissive layer was fabricated using Langmuir-Blodgett(LB) technique in organic light-emitting (OLEDs). This emissive organic material was synthesized and named PECCP[poly(3.6-N-2-ethylhexyl carbazolyl cyanoterephthalidene)] which has a strong electron donor group and an electron acceptor group in main chain repeated unit. This material has good solubility in common organic solvents such as chloroform. THF, etc, and has a good stability in air. The Langmuir-Blodgett(LB) technique has the advantage of precise control of the thickness down to the molecular scale, In particular, by varying the film thickness it is possible to investigate the metal/polymer interface. Optimum conditions for the LB film deposition are usually determined by investigating a relationship between a surface pressure $\pi$ and an effective are A occupied by one molecule on the subphase. The LB films were deposited on an indium-tin-oxide(ITO) glass at a surface pressure of 10 mN/m and dipping speed of 12 mm/min after spreading PECCP solution on distilled water surphase at room temperature, Cell structure was ITO/PECCP LB film/Alq$_3$/Al. We considered PECCP as a hole -transport layer inserted between the emissive layer and ITO. We also used Alq$_3$ as an emissive layer and an electron transport layer. We measured current-voltage(I-V) characteristics, UV/visible absorption, PL spectrum and EL spectrum of the OLEDs.
Transactions on Electrical and Electronic Materials
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제6권2호
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pp.73-77
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2005
In this study, we investigated response characteristics of liquid crystal display (LCD) with different operating mode of nematic liquid crystals (NLCs) such as 45 $^{circ} twisted nematic (TN), 67.3 $^{circ} TN and electrical controlled birefringence (ECB) on the rubbed polyimide (PI) surface with side chains. The pretilt angles generated on polyimide surfaces of the three kinds of LCD operating modes were about 12 $^{circ} that was higher than those of conventional TN-LCOs. Also, the Electro-optical (EO) performance of these LCOs showed stable condition. Low transmittance of the 45 $^{circ} TN and 67.3 $^{circ} TN cell on the rubbed PI surface were measured by using low cell gap d. The fast response time in ECB cell among the three kinds of LCD operating modes was achieved. Also, thermal ability of fast 90 $^{circ} TN-LCD was investigated. The threshold voltage and the response time of thermal stressed TN-LCOs showed the same performances on no thermal stressed TN-LCOs. There was little change of value in these TN cells. However, the transmittances of TN-LCOs on the rubbed PI surface decreased while increasing thermal stress time. Therefore, the thermal stability of TN-LCD was decreased by the high thermal stress for the long duration.
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[게시일 2004년 10월 1일]
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