• 한국표면공학회지
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• 제29권1호
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• pp.3-14
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• 1996

High temperature anneal of W-rich silicides, inferior to adherence compared with Si-rich silicides, resulted in the film peeling off from the Si-substrate when WSix thickness reached more than critical thickness. Investigation of the W-rich silicide films peeling off from the substrate revealed that the voids underneath the $WSi_2$ produced through silicide reaction were responsible for the poor adherence of W-rich silicide. In addition, internal stress in the film increased as the silicide thickness increased. In order to promote the adhesion of WSix to Si-substrate, thin Ti-layer was formed between WSi and Si-substrate(WSix/Ti/Si). No voids were observed in $WSi_2$/Ti/Si $N_2$-annealed at $1000^{\circ}C$, thereby leading to an increase of the critical thickness from ～1700$\AA$ to more than 2500$\AA$. However, higher resisiti-vity was obtained in WSix/Ti/Si than in WSix/Si. Finally, different silicide reaction mechanism for the structures(WSix/Si, WSix/Ti/Si) was proposed to explain the formation of voids as well as the role of thin Ti-layer.

• 한국표면공학회지
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• 제32권3호
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• pp.389-392
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• 1999

We employed cobalt-disilicide for high-speed logic devices. We prepared stable and low resistant $CoSi_2$ through typical fabrication process including wet cleaning and rapid thermal process (RTP). We sputtered 15nm thick cobalt on the wafer and performed RTP annealing 2 times to obtain 60nm thick $CoSi_2$. We observed spherical shape voids with diameter of 40nm in the surface and inside $CoSi_2$ layers. The voids resulted in taking over abnormal junction leakage current and contact resistance values. We report that the voids in $CoSi_2$ layers are resulted from surface pits during the ion implantation previous to deposit cobalt layer. Silicide reaction rate around pits was enhanced due to Gibbs-Thompson effects and the volume expansion of the silicidation of the flat active regime trapped dimples. We confirmed that keeping the buffer oxide layer during ion implantation and annealing the silicon surface after ion implantation were required to prevent void defects in CoSi$_2$ layers.

• 한국구조물진단유지관리공학회 논문집
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• 제7권4호
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• pp.139-147
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• 2003

국내 재래식 터널의 대부분에 존재하는 배면공동은 라이닝의 균열, 누수, 응력집중 등을 유발하여 터널 안정성에 큰 영향을 미치게 된다. 이러한 배면공동의 보강은 공동을 뒤채움하는 방법이 일반적으로 적용되고 있는데, 본 연구에서는 현재 산업폐기물로 취급되어 버려지고 있는 석분토를 이용하여 터널 뒤채움용 경량기포 충전재를 개발하였고, 실내물성시험과 노후터널에 대한 현장적용시험을 수행하여 개발 충전재의 적용성 평가를 실시하였다.

• 대한토목학회논문집
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• 제30권2C호
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• pp.109-117
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• 2010

해저지반 내에 매장된 가스하이드레이트가 해리될 경우 많은 양의 가스와 물이 발생한다. 이렇게 발생한 가스와 물이 장기간에 걸쳐 외부로 빠져나가거나 주변 지반으로 이동할 경우 토체 안에는 크고 작은 공극이 형성될 수 있다. 그리고 지속적인 강우나 폭우로 인하여 지반 내의 조립질 흙 사이의 세립분이 유실되거나 고결성 지반 내의 일부 고결이 끊어지면서 골격 내에 빈 공간이 형성될 수 있다. 본 연구에서는 가스하이드레이트의 해리로 형성되거나 또는 유수작용으로 인하여 지반 내의 일부 재료가 유실되거나 용해되어 형성된 비교적 큰 공극이 지반의 강도에 미치는 영향을 연구하였다. 가스하이드 레이트를 포함한 토체나 유실성 지반의 골격을 시뮬레이션하기 위하여 입도가 균등한 글라스비즈를 사용하였다. 글라스비즈를 2%의 시멘트비와 7%의 함수비로 혼합하여 몰드 안에 5층으로 나누어 다져 원기둥 모양의 공시체를 만들었다. 흙입자에 비하여 상대적으로 큰 공극은 의약품에 일반적으로 사용되는 빈 캡슐을 넣어 형성하였다. 캡슐을 각층 높이의 중앙부분에 넣고 다음 층을 쌓아 다지는 방식으로 완성하였으며, 캡슐의 개수와 방향, 그리고 캡슐의 길이를 달리하면서 다양한 공시체를 제작하여 2일 동안 양생시킨 다음 일축압축시험을 실시하였다. 공시체 내에 형성된 공극(캡슐)의 체적(개수)과 방향 그리고 공극의 길이에 따라 공시체의 일축압축강도는 차이를 보였으며, 공시체 내에서 공극이 차지하는 체적과 단면적이 강도에 중요한 영향을 미쳤다. 공시체 내에 형성된 큰 공극으로 일축압축강도는 공극이 없는 공시체 강도의 최대 35%까지 감소하였다. 이와 같은 연구 결과는 가스하이드레이트 해리 후 지반의 장기적인 강도 변화와 지반 내의 세립분의 유실로 인한 강도 감소를 예측하는데 사용될 수 있다.

• 천문학회보
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• 제15권
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• pp.13.2-13.2
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• 1990

• 천문학회보
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• 제30권2호
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• pp.21.1-21.1
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• 2005

• 천문학회보
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• 제28권2호
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• pp.93-93
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• 2003

• 한국지반공학회:학술대회논문집
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• 한국지반공학회 1992년도 토질동역학적 특성치의 결정법과 응용
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• pp.19-58
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• 1992

• 한국재료학회:학술대회논문집
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• 한국재료학회 1997년도 한국재료학회 추계학술발표회
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• pp.25-25
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• 1997

• 대한기계학회논문집A
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• 제32권4호
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• pp.319-326
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• 2008

In this study, we investigate the deformation behavior of F.C.C. single crystals containing micro- or submicron-sized voids by using three dimensional finite element methods. The locally homogeneous constitutive model for the rate-dependent crystal plasticity is integrated based on the backward Euler method and implemented into a finite element program (ABAQUS) by means of user-defined subroutine (UMAT). The unit cell analysis has been investigated to study the effect of stress triaxiality and crystallographic orientations on the growth and coalescence of voids in F.C.C. single crystals.