Microstructural and mechanical properties of the TiN films deposited on Si substrates under various substrate bias voltages by a reactive magnetron sputtering have been studied. It was found that the crystallographic texture, microstructural morphology and mechanical property of the TiN films were strongly depended on the substrate bias voltage. TiN films deposited without bias exhibited a mixed (200)-(111) texture with a strong (200) texture, which subsequently changed to a strong (111) texture with increasing bias voltage. It is also observed that the crystallite size decreases with increasing bias voltage, which corresponds to the increasing diffraction peak width of XRD patterns. The average surface roughness was calculated from AFM images of the films; these results indicated that the average surface roughness was increased with an increase in the bias voltage of the coatings.
Measuring the a-IGZO TFTs with various temperatures was found to induce a threshold voltage shift and a change of the subthreshold gate voltage swing. Characteristic change is dependant on a material of the substrate at the temperature from $20^{\circ}C$ to $100^{\circ}C$. The threshold voltage was shifted to the left from -2.7V to -61V on SiO2/galss. But, as the temperature increases form $20^{\circ}C$ to $100^{\circ}C$. the threshold voltage was shifted to the right from 0.85V to 2.45V.
In this paper, we have investigated shear horizontal wave propagation in a layered structure, consisting of granular macromorphic rock (Dionysos Marble) substrate underlying a viscoelastic layer of finite thickness. SH waves characteristics are affected by the material properties of both substrate and the coating. The effects of microstructural parameter "characteristic length" of the substrate, along with heterogeneity, internal friction and thickness of viscoelastic layer are studied on the dispersion curves. Dispersion equation for SH wave is derived. Real and damping phase velocities of SH waves are studied against dimensionless wave number, for different combinations of various parameters involved in the problem.
We present dielectric constant measurements of thin films using THz metamaterials fabricated on a quartz substrate. The resonance shifts of the metamaterials exhibit saturation behavior with increasing film thickness. The saturation frequency shift varies with the real part of the dielectric constant, from which the numerical expression for the particular metamaterial design was extracted. We first performed finite-difference time-domain simulations to find an explicit relationship between the saturated frequency shift and the dielectric constant of a thin film, which was confirmed by the experimental results from conventional techniques. In particular, the quartz substrate enables us to determine their values more accurately, because of its low substrate index. As a result, we extracted the dielectric constants of various films whose values have not been addressed previously without precise control of the film thickness.
Al doped ZnO thin films (ZnO:Al) were deposited on poly carbonate (PC) substrate by rf magnetron sputtering. In addition, the electrical, optical properties of the films prepared at various conditions were investigated. As the sputter power increased, the resistivity of ZnO:Al films decreased, regardless of substrate types. However, the resistivity of the films increased with the sputter pressure. The ZnO:Al films were increasingly dark gray colored as the sputter power increased, resulting in the loss of transmittance. High quality films with resistivity as low as 1.43${\times}$10$^{-4}$ Ω-cm and transmittance over 80 % have been obtained by suitably controlling the deposition parameters.
Diamond films were prepared by a hot filament vapor deposition onto polycrystal silicon nitride substrates. Different kinds of silicon nitride containing CaO and $Fe_{2}O_{3}$ were manufactured to investigate the impurity effect of substrate on the morphology of diamond films and their wear behaviors. Nucleation rates and morphologies of diamond films deposited on various kinds of silicon nitride were compared. The highest nucleation rate was observed in a substrate containing 1% of CaO. Wear tests were performed with a silicon nitride ball on the disk geometry to investigate the tribological behavior of diamond film against silicon nitride. This study demonstrated that different morphologies of diamond film due to substrate impurities produced different wear behavior against silicon nitride.
Fuel Cell is used stacking metal or polymer substrate. This hydro property of substrate surface is very important. Usually, surface property is hydrophilic. The surface oxidation of SUS is investigated through plasma treatments with an atmospheric-pressure dielectric barrier discharge (DBD) for increasing hydrophilic property. The plasma process makes an experiment under various operating conditions of the DBD, which operating conditions are treatment time, plasma gas mixture ratio, the plasma source supply frequency. Two kinds of SUS substrate, SUS-304 and SUS 316L, were used. Discharge frequency has a crucial impact on equipment performance and gas treatment. After the plasma treatment of a SUS plate, highly improved wettability was noted. But, when high oxygen supply, the substrate damaged seriously.
The work reported in this paper relates to preparation and characterization of carbon nanomaterials by CVD method on different substrates by decomposition of certain hydrocarbons at 550-$800^{\circ}C$ using a horizontal quartz tube reactor. Monometallic and bimetallic catalyst system of iron and nickel were used for the preparation of different carbon nanomaterials. The influence of various parameters such as substrate/catalyst preparation parameters, the nature of substrate, catalyst concentration, reaction time and temperature on the growth, yield and alignment of carbon nanotubes has been studied. The characterization of carbon nanomaterials has been carried out using SEM, TEM and TGA. The carbon nanomaterials developed were vertically aligned on a large area of flat quartz substrate.
In this paper, the (Sr$_{1-x}$ Ca$_{x}$)TiO$_3$(SCT) thin films were deposited at various substrate temperature using RF magnetron sputtering method on optimized Pt-coated electrodes (Pt/TiN/SiO$_2$/Si). An influence of substrate temperature and annealing temperature on the structural and dielectric properties are investigated. The substrate temperature changed from 100[$^{\circ}C$] to 500[$^{\circ}C$] and crystalline SCT thin films were deposited abode 400[$^{\circ}C$]. All thin films had (111) preferred orientation, the (100) oriented films were obtained at the substrate temperature above 400[$^{\circ}C$]. The dielectric constant changes almost linearly in the temperature region of -80~+90[$^{\circ}C$], the temperature characteristics of the dielectric loss exhibited a stable value within 0.1, then not affected by substitutional contents. The capacitance characteristics appears a stable value within $\pm$5[%].
A MgO layer is used as electrode protective film in the alternating current plasma display panel (AC PDP). The properties of MgO layer are thought to be one of the most important factors that affects the panel reliability through the firing voltage variation. In this study, we investigated the relations between the surface characteristics and e-beam evaporation process parameters such as deposition rate, temperature of substrate and distance between the MgO pellet and substrate. To produce the MgO layer of (200) crystal orientation, we suggest the high temperature of the substrate, the long distance between the pellet and substrate and the high deposition rate.
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[게시일 2004년 10월 1일]
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