In Saccharomyces cerevisiae UV irradiation and a variety of chemical DNA -damaging agents induce the transcription of specific genes, including several involved in DNA repair. One of the best characterized of DNA -damage inducible genes is PHRI, which encodes the apoenzyme for DNA photolyase. Basal-level and damage-induced expression of PHRI require an upstream activation sequence, UASPHRI. Here we report the identification of the UlvIE6 gene of S. cerevisiae as a regulator of UASPHRl activity. Surprisingly, the effect of deletion of UME6 is growth phase dependent. In wild-type cells PHRI is induced in late exponential phase, concomitant with the initiation of glycogen accumulation that precedes the diauxic shift. Deletion of UNIE6 abolishes this induction, decreases the steady-state concentration of photolyase molecules and PHRI mRNA, and increases the UV sensitivity of a rad2 mutant. The results suggest that UM E6 contributes to the regulated expression of a subset of damage-responsive genes in yeast. Furthermore, the upstream repression sequence, URSPHRI, is required for repression and damage-induced expression of PHRl. Here we show identification of YER169W and YDR096W as putative regulators acting through $URS_{PHRI}$. These open reading frames were designated as RPHI (YERl69W) and RPH2 (YDR096W) indicating regulator of PHRI. Simultaneous disruption of both genes showed a synergistic effect, producing a four-fold increase in basal level expression and a similar decrease m the induction ratio following treatment of methyl methanesulfonate(MMS). Mutation of the sequence ($AG_4$) bound by Rphlp rendered the promoter of PHRI insensitive to changes in RPHI or RPH2 status. The data suggest that RPHI and RPH2 act as damage-responsive negative regulators of PHRI. Surprisingly, the sequence bound by Rphlp in vitro is found to be $AG_4$ which is identical to the consensus binding site for the regulators Msn2p and Msn4p involved in stress-induced expression. Deletion of MSN2 and MSN4 has little effect on the induction$.$ ratio following DNA damage. However, all deletions led to a significant decrease in basal-level and induced expression of PHRI. These results imply that MSN2 and MSN4 are positive regulators of P HRI but are not required for DNA damage repression. [Supported by grant from NIH]om NIH]
양이온 및 음이온 반응성의 고분자막 8종을 casting 법에 의하여 제조한 후 이온전극에 장착하여 다채널 맛 평가시스템의 비선택성 센서 어레이를 구성하였다. 맛 센서 어레이에 의한 전기화학계측은 전위법에 의하여 행하였으며, 이 때 센서 어레이를 구성하는 각각의 맛 센서로 측정한 전위간을 막 전위 증폭기를 거쳐 증폭한 후 다채널 A/D converter를 통하여 PC에 접속하였다. 식혜, 수정과, 감귤쥬스 등 6종 24점의 시판음료를 다채널 맛 평가시스템으로 분석한 후 각 센서의 계측신호에 대한 정규화를 행하고 주성분 분석을 행하였을 때 5종 음료군의 조합에서는 제1 주성분 및 제2 주성분의 합이 전체 데이터 변이의 $70.73{\sim}85.32%$를 설명하는 것으로 나타났으며 6종 음료군의 경우에는 제1 주성분 및 제2 주성분의 합과 제1 주성분, 제2 주성분 및 제3 주성분의 합이 전체데이터 변이의 81.46%와 89.56%를 각각 설명하는 것으로 나타났다. 3차원 공간상에 6종 음료군에 대한 계측결과를 맵핑하였을 때 이들의 구분이 가능하였으며, 5종 음료군의 조합에서는 2가지 경우에 있어 2차원 평면상에서 구분되었다.
무기질 단열재 개발을 위해 포말법을 이용하여 다공성 세라믹스를 제조하였다. 실리카 흄과 SiO2를 주 원료로 사용하였으며, 다공성 세라믹의 균일한 기공 형성을 위한 첨가제로 벤토나이트를 사용하였다. 다공성 세라믹은 1200℃에서 소결하였으며, 기공율, 밀도, 압축강도, 미세구조 그리고 열전도도 분석을 수행하였다. 다공성 세라믹은 SiO2에 대한 실리카흄의 함량이 70~90 % 증가할수록 비중이 0.63에서 0.69로 증가하였으며, 압축강도는 9.41 Mpa에서 12.86 Mpa로 증가하였다. 그러나, 기공율은 비중과 반대로 72.07 %에서 70.82 %로 감소하는 경향을 나타내었다. 열전도도 측정 결과, 실리카 흄의 함량이 70 %인 F7S3 다공성 세라믹의 경우 25~800℃ 온도조건에서 0.75~0.72 W/m·K의 열전도도를 나타내었으며, 실리카 흄의 함량이 90 %인 F9S1 다공성 세라믹의 경우 0.66~0.86 W/m·K를 나타내어 실리카 흄 함량이 적을수록 낮은 열전도도를 나타내었다. 이는 기공율 결과와 일치한 것을 확인하였다. SEM(Scanning Electron Microscope)을 이용한 미세구조 분석 결과, 다공성 세라믹 내/외부에 전체적으로 수십~수백 ㎛ 범위 기공이 관찰되었으며 기공 분포가 비교적 균일한 것을 확인할 수 있었다.
양산(量産)되는 방의 대량(大量) 장기(長期) 저장(貯藏)을 위(爲)해 숙도별(熟度別) 및 저장(貯藏) 조건(條件) 별(別)로 그 저장성(貯藏性)을 비교(比較) 시험(試驗)하고 출고(出庫)된 저장(貯藏) 밤의 성상변화(性狀變化)를 시험(試驗)한 결과(結果)는 다음과 같다. 1. 부패률(腐敗率) 10% 내외(內外)를 저장(貯藏) 한도(限度)로 볼 때 밤의 저장(貯藏) 가능(可能) 기간(期間)은 정온(定溫) 정습(定濕) 저장(貯藏)$(1{\pm}1^{\circ}C,\:85{\sim}95%\:RH)$ 으로는 $8{\sim}9$개월(個月)이고, 움 저장(貯藏)으로는 $4{\sim}5$개월(個月)이었다. 2. 저장성(貯藏性)은 숙도(熟度)에 크게 영향을 받고 있어서 $5.5^{\circ}$ Baume 의 염수로 선별(選別)된 미숙과(未熟果)는 숙과(熟果)에 비(比)해 최대(最大) 저장(貯藏) 가능(可能) 기간(期間)에서 2개월(個月) 정도(程度) 짧았다. 3. 저장(貯藏) 형태(形態)로 포장(包裝)된 밤의 전열(傳熱) 특성(特性)은 가장 전열(傳熱)이 늦은 중심(中心) 부위(部位)의 대기중(大氣中)에서의 온도상승(溫度上昇)으로 측정(測定)한 결과(結果)에서 j치(値)=1, $f_{h}$치(値)=320분(分)이었으며, 온도(溫度) 예측식(豫測式)은 $T_{\infty}-T=(T_{\infty}-T_0){\cdot}10^{-t/320}$로 표현(表現)될 수 있었다. 4. 정온(定溫) 정습(定濕)으로 4개월(個月) 저장(貯藏)된 밤의 출고후(出庫後) 유통(流通)및 보관(保管)은 보습재(保濕材)가 충진(充塡)된 원내(原來)의 포장(包裝) 형태(形態)가 가장 품질면(品質面)에서 유리(有利)하였다.한 것으로 생각된다.서는 백수발생시 평균 3.4-7.0cm, 부분퇴화가 4.2-5.2cm, 퇴화가 0.4-5.4cm, 줄기 고사가 0.4-0.6cm로 차이를 보였다. 제1절간장은 보리, 밀 각각 0.3-8.4cm, 0.2-24.2cm로 신장정도에서 저온에 따른 변이를 보였고, 지엽-이삭간 거리도 보리 -2.5∼-7.4cm, 밀 -0.6-11.5cm로 신장정도에 차이가 컸다.d from a constant temperature to a temperature cycle under DD. These results suggest that per/sup 01/ and tim/sup 01/ flies have a temperature-entrainable weak oscillatory mechanism. The fact that dClk/sup Jrk/ and cyc/sup 01/ flies did not show any sign of the endogenous oscillation suggests that the per-less oscillatory mechanism may require CLK and CYC.out to investigate the reactants between cement hydrates and chemical ions and some crystalline such as gypsum ettringite and Fridel′s salt were confirmed.ng for others, 3. Virtue of "forgiveness other′s mistakes"(from 3.32 to 3.65 for experimental group and from 3.33 to 3.25 for comparison group) in domain of kindness, concession, forgiveness,
SICM (scanning ion conductivity microscopy)은 nanopipette이 시료에 접근하게 되면서 tip에 인가되는 전류값의 변화가 발생하는데, 이를 이용하여 시료의 표면 형상을 측정하는 분석기술이다. 본 연구는 SICM mapping의 기본이 되는 tip과 시료 간의 거리에 의한 전류 반응곡선인 approach curve에 대해 연구한 결과를 담고 있다. Approach curve에 대해 우선 시뮬레이션 해석을 진행하였으며, 이를 기반으로 실험을 병행하여 이 둘 사이의 반응 곡선 차이를 분석하였다. 시뮬레이션 해석을 통해 tip과 시료와의 거리가 tip 내경의 절반 이하로 가까워지면서 current squeezing 효과를 확인할 수 있었다. 하지만, 시뮬레이션에 반영된 단순 이온 통로 감소에 의한 전류밀도 감소는 실제 실험을 통해 측정된 current squeezing 효과에 비해 훨씬 작은 것으로 측정되었다. 이는 나노 스케일의 매우 좁은 통로에서 이온전도도는 확산계수에 의한 단순 Nernst-Einstein 관계를 따르는 것이 아니라, tip과 시료가 만들어 내는 벽면에서의 유체역학적 유동 저항성을 고려하는 것이 추가로 필요할 것으로 보인다. 향후 이러한 SICM 측정은 전기화학 표면 반응성을 분석하는 SECM (scanning electrochemical microscopy) 측정기술과 통합되어 SECM 측정 한계를 보완될 수 있을 것으로 기대된다. 그렇게 되면, 반도체 배선 공정 및 패키징 공정에 사용되고 있는 다양한 패턴 형상에서 무전해 도금의 촉매 반응과 전기도금에서 유기첨가제 작용의 국부적 차이를 직접적으로 측정하는 것이 가능하게 될 것으로 기대된다.
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[게시일 2004년 10월 1일]
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