Solar ultraviolet-A (UV-A) irradiances indicent on a horizontal surface at Taegu of Korea during 1995-1998 were calculated with 5 min averages of measurements taken every 30 seconds by a broadband UV- A sensor. The maximum and minimum of monthly averages of daily UV-A dose were 499.37 KJ m-2 day-1 inJuly and 171.09 KJ m--2 day-1 in December for 4 years of the observation period. The maxima of daily UV-A dose and instandaneous UV-A were observed as 846.46KJ m-2 day-1 June 7, 1998 and 37.22 W m-2 at 12 : 15, July 16, 1998, respectively. Increasing trends in annual maxima of daily UV-A dose and instantaneous UV-A were averaged to 6.4% and 6.7% , respectively, per year during 1995-1998 at Taegu, Korea.
본 논문은 자외선 광학센서 개발에 관한 것이다. 기존에 반도체 기반 자외선 센서를 대체하기 위해 개발된 단주기 광섬유격자기반 자외선 센서에 대한 측정 민감도를 향상시키기 위한 다양한 장치들을 설계하고 실험을 통해 성능을 확인하였다. 최근 연구를 통해 자외선 흡수에 따라 인장력이 유도되는 아조벤젠 폴리머 재료와 장력에 따른 광섬유격자 특성 변화를 조합하여 새로운 자외선 센서의 개념이 제시되었다. 본 연구에서는 광섬유격자 기반 자외선 센서에서 흡수하지 못하고 통과되는 자외선 잔광을 반사판을 이용해서 다시 반사시켜 센서에서 재흡수되는 원리로 센서의 민감도를 향상시켰다. 본 논문에서는 반사판의 종류를 선정하고 반사판의 곡률반경을 최적화하였다. 또한 기존의 원통형 집광렌즈를 이용한 민감도 향상 기술을 접목 시켜 아무런 장치가 없을 때와 비교해서 약 15배의 성능을 향상시키는 결과를 얻었다. 또한 외부 환경 효과를 줄이기 위한 패키지 모듈을 제작하여 적용하고 그 특성을 분석하였다.
We propose that when combustible burn with contain carbon, introduce fire detector with sensor of private-use detectable light energy as infrared and ultraviolet in energy of electromagnetic-wave type radiate from flame, method for correct discrimination to resemble fire produce false alarm of detector such as sun light, hot object radiation, are welding. This research using infrared sensor is pyroelectric infrared sensor based black body radiation theory. Ultraviolet sensor is uv Tron using gas multiplication effect to current discharge and photoelectric effect of metal. To have high sensibility and to gain proper output voltage, it has high responsive performance. This research introduced UV/IR compound type flame detector and proposed method of false alarm reduced to resemble fire. The result propres the prevention and extinction of fire technique degree, certificated operation of detector.
In this paper, we demonstrate the capabilities of 380-nm ultraviolet (UV) light-emitting diodes (LEDs) using metal organic chemical vapor deposition. The epi-structure of these LEDs consists of InGaN/AlGaN multiple quantum wells on a patterned sapphire substrate, and the devices are fabricated using a conventional LED process. The LEDs are packaged with a type of surface mount device with Al-metal. A UV LED can emit light at 383.3 nm, and its maximum output power is 118.4 mW at 350 mA.
Solar ultraviolet-B (UV-B) irradiances incident on a horizontal surface at Taegu, Korea during 1996-1998 were calculated with 5 minute averages of measurements taken every 30 seconds by a broadband UV-B sensor. The average, maximum and minimum of daily UV-B dose were 11.31, 22.04 and 3.20kJ m$^{-2}$ day$^{-1}$ , respectively, for the measuring period. Variations in stratospheric ozone concentration measured from space explain 85% of changes in the daily UV-B dose. It was expected that decrease of 50 Du in stratospheric ozone cause increase of 24.1% in daily UV-B dose in this study.
There are many studies and products using a test paper impregnated with chemical solution can react with ozone. The color of a test paper can indicate the concentration of ozone. The purpose of this research is to design and manufacture a system using ultraviolet light source to measure the ozone density. This new technique is based on the characteristic of decomposition from ozone into oxygen under ultraviolet light. We used two sources of ultraviolet light including UV lamp and UVLED to determine the decomposition of ozone. This system is built with the electronic components, sensors and sealed pump tube to measure the ozone density in units of $g/cm^3$,ppm,ppb. In this paper,, we present some initial results of measuring the ozone density from ozone generator after completing inspection for safety.
Souri, R.;Negarestani, A.;Souri, S.;Farzan, M.;Mahani, M.
Nuclear Engineering and Technology
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제50권5호
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pp.751-757
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2018
In this article, a UV sensor that is an appropriate tool for fire detection has been designed and constructed. The structure of this UV sensor is an air-filled single-wire detector that is able to operate under normal air condition. A reflective CsI photocathode is installed at the end of the sensor chamber to generate photoelectrons in the ion chamber. An electric current is produced by accelerating photoelectrons to the anode in the electric field. The detector is able to measure the intensity of the incident UV rays whenever the current is sufficiently high. Therefore, the sensitivity coefficient of this sensor is found to be $7.67{\times}10^{-6}V/photons/sec$.
A metal-semiconductor-metal (MSM) ultraviolet (UV) photodetector (PD) is proposed as an effective UV sensing device for integration with a GaN n-channel MISFET on auto-doped p-type GaN grown on a silicon substrate. Due to the high hole barrier of the metal-p-GaN contact, the dark current density of the fabricated MSM PD was less than $3\;nA/cm^2$ at a bias of up to 5 V. Meanwhile, the UV/visible rejection ratio was 400 and the cutoff wavelength of the spectral responsivity was 365 nm. However, the UV/visible ratio was limited by the sub-bandgap response, which was attributed to defectrelated deep traps in the p-GaN layer of the MSM PD. In conclusion, an MSM PD has a high process compatibility with the n-channel GaN Schottky barrier MISFET fabrication process and epitaxy on a silicon substrate.
Ultraviolet (UV) photodetectors are used in various industries and fields of research, including optical communication, flame sensing, missile plume detection, astronomical studies, biological sensors, and environmental research. However, general UV detectors that employ Schottky junction diodes and p-n junctions have high fabrication cost and low quantum efficiency. In this study, we investigated the characteristics of materials used to manufacture UV photodetectors in a low-cost solution process that requires easy fabrication of flexible substrates. We fabricated p-type NiO and n-type ZnO substrates with wide band gap by the sol-gel method and compared the characteristics of substrates prepared under different spin-coating and heat-treatment conditions.
Research on ultraviolet (UV) light detection has attracted considerable attention from scientific researchers in related fields. It can be said that it is a very important time to accurately monitor the UV irradiation amount according to the wavelength region in real time. The oxide is very diverse in its kind and has the advantage of being able to efficiently control the band gap through band gap engineering. In addition, it is very stable in response to heat and atmospheric oxygen when UV is absorbed. Also, there is a known method that can effectively manufacture oxide nanoparticles and nanorods through various synthesis methods, and researches for improving the sensitivity of UV sensors have been carried out using this method. In this paper, we introduce the materials that can be used as UV sensors among various wide band oxide materials, and review the results of researches of various UV sensors using nano materials.
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[게시일 2004년 10월 1일]
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