• 한국재료학회지
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• 제12권3호
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• pp.200-204
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• 2002

We fabricated TMR devices which have double oxidized tunnel barrier using plasma oxidation method to form homogeneously oxidized AlO tunnel barrier. We sputtered 10 $\AA$-bottom Al layer and oxidized it by varying oxidation time for 5, 10, 20 sec. Subsequent sputtering of 13 $\AA$ - Al was performed and the matallic layer was oxidized for 120 sec. The electrical resistance changed from 700$\Omega$ to 2700$\Omega$ with increase of oxidation time, while variation of MR ratio was little spreading 27~31% which is larger than that of TMR device of ordinary single tunnel barrier. We calculated effective barrier height and width by measuring I-V curves, from which we found the barrier height was 1.3~1.5 eV, sufficient for tunnel barrier, and the barrier width(<16.2 $\AA$) was smaller than that of directly measured value by the tunneling electron microscopy. Our results may be caused by insufficient oxidation of Al precursor into $Al_2O_3$. However, double oxidized tunnel barriers were superior to conventional single tunnel barrier in uniformity and density. We found that the external magnetic field to switch spin direction of ferromagnetic layer of pinned layer breaking ferro-antiferro exchange coupling was increased as bottom layer oxidation time increased. Our results imply that we were able to improve MR ratio and tune switching field by employing double oxidized tunnel barrier process.

• Journal of Periodontal and Implant Science
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• 제30권4호
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• pp.793-803
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• 2000

Procedures for treatment of molar furcation invasion defects range from open flap debridement, apically repositioned flap surgery, hemisection, tunneling or extraction, to regenerative therapies using bone grafting or guided tissue regenerative therapy, or a combination of both. Several clinical evaluations using regenerative techniques have reported the potential for osseous repair of treated furcation invasions. Regenerative treatment of maxillary molars are more difficult due to the multiple root anatomy and multiple furcation entrances therefore, purpose of this study was to evaluated histologically self-curing glass-ionomer cement and light-curing glass-ionomer cement as a barrier in the treatment of a bi-furcated maxillary premolar. Five adult beagle dogs were used in this experiment. With intrasulcular and crestal incision, mucoperiosteal flap was elevated. Following decortication with 1/2 high speed round bur, degree II furcation defect was made on maxillary third(P3), forth(P4) and fifth(P5) premolar. 2 month later experimental group were self-curing glassionomer cement and light-curing glassionomer cement. After 4, 8 weeks, the animals were sacrificed by vascular perfusion. Tissue block was excised including the tooth and prepared for light microscope with Gomori's trichrome staining. Results were as follows. 1. In all experiment group, there were not epithelial down growth and glass ionomer cement were encapsulated connective tissue. 2. In 4 weeks experiment I group slighly infiltrated inflammatory cells but not disturb the new bone or new cementum formation. 3. In 8 weeks, experiment groups I, II were encapsulated fine connective tissue. 4. Therefore glass-ionomer cement filling to the grade III maxillary furcations with multiple root anatomy and multiple furcation entrances were possible clinical methods and this technique is useful method for Maxillary furcation involvement.

• 한국지반공학회논문집
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• 제21권5호
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• pp.133-142
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• 2005

본 연구는 지난 5년간 개발해온 인홀 발진자를 터널 막장의 강성도 계측에 사용가능하도록 개선하는데 주력하였다. 프로브는 터널의 폭파를 위해 점보드릴로써 천공된 직경 45m의 홀에 맞추기 위하여 소형화되었다. 또한 트리거 시스템은 감속모터를 사용함으로서 편리하게 되었고, 에어 팩킹 시스템은 압축공기 없이 사용하기위한 플레이트 스프링으로 교체하였다. 이러한 개선은 프로브를 터널내부의 환경에 적합하게 만들고 추가되는 비용 없이 실험하기 위함이다. 프로브와 테스트 과정은 암반의 강성을 측정하기 위해 터널의 막장의 수평 홀에 성공적으로 적용되었다. 측정된 전단파 속도는 터널 해석을 위한 암반의 변형 특성을 측정하는 것에 사용될 수 있다.

• Transactions on Electrical and Electronic Materials
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• 제7권3호
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• pp.149-153
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• 2006

An attempting to produce a p-type diluted magnetic semiconductor (DMS) using $Ti_{1-x}Co_xO_{2-\delta}-based$ thin films was made by suitable control of the deposition parameters including deposition temperature, deposition pressure, and doping level using a pulsed laser deposition method. T$Ti_{0.97}Co_{0.03}O_{2-\delta}-based$ (TCO) films deposited at $500^{\circ}C$ at a pressure of $5\times10^{-6}$ Torr showed an anomalous Hall effect with p-type characteristics. On the other hand, films deposited at $700^{\circ}C$ at $5\times10^{-6}$ Torr showed n-type behaviors by a decreased solubility of cobalt. The charge carrier concentration in the p-type TCO films was approximately $7.9\times10^{22}/cm^3$ at 300 K and the anomalous Hall effect in the p-type TCO films was controlled by a side-jump scattering mechanism. The magnetoresistance (MR), measured at 5 K in p-type TCO films showed a positive behavior in an applied magnetic field and the MR ratio was approximately 3.5 %. The successful preparation of p-type DMS using the TCO films has the potential for use in magnetic tunneling junction devices.

• 한국터널지하공간학회 논문집
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• 제19권2호
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• pp.109-120
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• 2017

터널 내 지하수 침투는 터널붕괴와 그에 따른 지반침하의 주요 원인 중 하나이다. 따라서 터널굴착 중 시간에 따른 지하수 침투량과 간극수압 변화를 적절히 예측하는 것이 중요하다. 실무에서는 균질한 지반조건으로 가정하는 Goodman의 산정법을 사용하여 지하수 침투량을 계산하지만, 터널굴착 중 지하수위 강하와 깊이에 따른 투수계수 변화를 고려하지 않아 설계단계에서 지하수 유입량을 과다하게 산정할 우려가 있다. 따라서 본 연구에서는 지하수위 강하 및 깊이별 투수계수의 감소를 적용한 매개변수분석을 통해 지하수 유입량 변화를 분석 비교하였으며, 시간에 따른 지하수 침투량 변화와 지하수위 및 간극수압 분포 변화를 분석하기 위해 비정상류 해석을 수행하였다.

• 한국결정성장학회지
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• 제12권1호
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• pp.36-41
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• 2002

$H_2$(5%)/Ar의 환원분위기에서 $900^{\circ}C$ 이상의 온도로 소결함으로써 화학양론적인 조성비를 만족하면서 이중 페롭스카이트 구조를 갖는 $Sr_2FeMoO_6$ (SFMO) 소결체를 제조하였다. SFMO 소결체는 우수한 강자성 특성을 나타내었고 8K에서 15%와 상온에서 3% 정도의 자기저항비를 나타내었다. 이 SFMO 소결체를 타겟으로하여 스퍼터링법으로와의 단결정 기판 위에 비정질 SFMO 박막을 증착한 후, 적절한 H$_2$(5%)/Ar의 환원분위기, $680^{\circ}C$ 이상) 열처리 조건의 고상결정법으로 이중 페롭스카이트 구조의 다결정 SFMO 박막을 제조하였다. 이 SFMO 박막은 강자성 특성을 잘 나타내었으나, 자기저항 특성은 상온에서는 나타나지 않았고 8K에서 약 0.3-0.5%의 자기저항비를 나타내었다. 이와같이 박막의 경우 자기저항 특성이 떨어지는 이유는 제조된 SFMO 박막이 화학양론비를 만족하지 못하고 조직의 치밀도가 떨어져서 결정립 사이에서 발생하는 자기스핀 터널링이 제대로 발생하지 못하였기 때문이라 생각되었다.

• 한국전기전자재료학회논문지
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• 제15권4호
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• pp.373-379
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• 2002

We investigated the evolution of magnetoresistance and magnetic property of tunneling magnetoresistive(TMR) device with microstructure and plasma oxidation time. TMR devices have potential applications for non volatile MRAM and high density HDD reading head. We prepared the tunnel magnetoresistance(TMR) devices of Ta($50{\AA}$)/NiFe($50{\AA}$)/IrMn($150{\AA}$)/CoFe($50{\AA}$)/Al($13{\AA}$)-O/CoFe($40{\AA}$)/FiFe($400{\AA}$)/Ta(($50{\AA}$) structure which have $100{\times}100\mu\textrm{m}^2$ junction area on $2.5{\times}2.5\textrm{cm}^2$ Si/$SiO_2$(($1000{\AA}$) substrates by an inductively coupled plasma(ICP) magnetron sputter. We fabricated the insulating layer using an ICP plasma oxidation method by with various oxidation time from 30 sec to 360 sec, and measured resistances and magnetoresistance(MR) ratios of TMR devices. We found that the oxidized sample for oxidation time of 80 sec showed the highest MR radio of 30.31 %, while the calculated value regarding inhomogeneous current effect indicated 25.18 %. We used transmission electron microscope(TEM) to investigate microstructural evolution of insulating layer. Comparing the cross-sectional TEM images at oxidation time of 150 sec and 360 sec, we found that the thickness and thickness variation of 360 sec-oxidized insulating layer became 30% and 40% larger than those of 150 sec-oxidized layer, repectively. Therefore, our results imply that increase of thickness variation with oxidation time may be one of the major treasons of the MR decrease.

• 구강회복응용과학지
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• 제35권4호
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• pp.253-259
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• 2019

본 증례 보고는 하악 전치에 발생한 치은 퇴축을 laterally closed tunnel technique을 이용하여 처치하였다. 환자는 모두 과거 교정 치료 시 하악 전치의 경사도를 변화시켰으며 치주 적으로 얇은 생체형을 가지고 있었다. 터널링법으로 수여 부를 형성하고 구개 측에서 채득한 결합조직이식편을 터널내에 위치시킨 후 판막의 변연을 치근 중앙부를 향해 측방으로 이동시켜 봉합하여 이식편을 피개 하였다. 얇은 치주 생체형에도 불구하고 치근 피개를 성공적으로 얻을 수 있었으며 각화 치은의 획득과 주변 조직과의 색, 형태 조화로 심미성을 달성할 수 있었다.

• 대한전기학회:학술대회논문집
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• 대한전기학회 2004년도 추계학술대회 논문집 전기물성,응용부문
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• pp.212-214
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• 2004

In this study, we fabricated the organic thin film by self-assembly method by using nitro-group and methoxy-group organic molecule. Also, we selected the organic single molecule in organic thin film and measured current-voltage characteristics by using scanning tunneling microscopy. The Organic molecules that use in an experiment is 4,4'-(diethynylphenyl)-2'-nitro-1-benzen ethiol and 4-[2,5-dimethoxy-4-ph enylethynylphenyl]ethynylphenylethanthiol. 4,4'-(dimet hynylphenyl)-2'-nitro-1-benzenethiol is applied widely in molecular electronic device and 4-[2,5-dime thoxy-4-phenylethynylphenyl]ethynylphenylethanthiol composed in Korea Research Institute of Chemical Technology. To be confirmed the formation of the self-assembled monolayers, we observed the real time frequency shift of the QCM and investigated surface of the self-assembled monolayers the using STM. With this, we measured current to the organic single molecule, in condition of the air state. As a result, we confirmed in constant voltage that properties of negative differential resistance. Using properties of negative differential resistance to get from this study, application is expected to be molecular switching device, memory device and logic device.

• 한국정보과학회논문지:정보통신
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• 제30권1호
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• pp.117-125
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• 2003

기존의 IP4 문제점을 극복하기 위해 IETF (Internet Engineering Task Force)에서 제안하고 있는 IPv6 (IP version 6)는 초기 도입단계에서 IPv4와의 호환성을 위해 다양한 트랜지션 메커니즘이 필요하다. 이러한 트랜지션 메커니즘은 크게 터널링과 변환기를 이용한 메커니즘으로 구분될 수 있다. 본 논문은 변환기를 이용한 트랜지션 메커니즘 구현을 위해 기존의 NAT (Network Address Translation) 기법과 유사한 NAT PT (NAT Protocol Translation) 표준을 기반으로 변환에 필요한 요소 기술들을 분석하였다. 그리고 global IPv4 주소의 효율적인 환용을 위해서 포트를 이용한 확장 알고리즘을 설계하여 제시하였다. 또한 표준에서 언급되지 않은 매핑 테이블 관리 및 타이머 선정, 그리고 구현에 필요한 세부 기술들을 분석하여 설명하였다. 본 논문에서 제시한 모델은 양방항 세션의 NAT-PT 방식과 기존의 포트변환 방식을 혼용한 방식이다. 제안된 방식은 IPv4 주소를 필요로 하는 모든 호스트에 IPv4 주소를 할당하지 않고 단일 임시 IPv4 주소와 포트를 할당하기 때문에 IPv4 주소가 효율적으로 운영할 수 있는 장점을 갖는다.