This paper investigates the effects of micro-tunneling on buried pipelines parametrically. A simplified numerical approach was developed and various parametric studies have been conducted to evaluate the effects of ground settlements on the response of buried pipelines. The controlled parameters included the pipe stiffness, ground loss magnitude, and pipe location with respect to a micro-tunnel. Maximum settlement and curvature along a pipeline have been investigated and compared among others for different conditions. In addition, the numerical results have been compared with a theoretical method by Attewell et al. (1986), which is based on a Winkler type linear-elastic solution. The comparison indicated that the response of buried pipes to micro-tunneling-induced ground settlements highly depends on the soil-pipe interaction including the separation and slippage of pipe from soil with the effects of the investigated parameters. Therefore, rather than using the theoretical method directly, it would be a better assessment of the response of buried pipelines to consider the soil-pipe interaction in more realistic conditions.
International Journal of Precision Engineering and Manufacturing
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제9권4호
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pp.11-15
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2008
Metrology tools with the ability to measure spindle motion error on the order of a nanometer are required due to recent advances in nanotechnology. We propose a direct measurement method for the radial motion error of a precision spindle using a regular crystalline lattice and a scanning tunneling microscope (STM). A highly oriented pyrolytic graphite (HOPG) crystal combined with an STM is used as a two-dimensional reference scale. The measurement principle and the preliminary experimental results are discussed in this article. The preliminary experimental results demonstrated that the proposed method has the capability to incorporate a two-dimensional encoder to measure the spindle motion error.
Three topics which are related to technologies for developing of large capacity MRAM over Gbits are reviewed. First, it is stressed that inelastic-electron-tunnel-tunneling spectroscopy(IETS) is a powerfull method to investigate the interface state between magnetic electrodes and insulator. Second, magnetic tunnel junctions with small bias voltage dependence are introduced. Finally, fabrication method of carbon masks for very small magnetic tunnel junctions is demonstrated. These three topics were presented at 47^{th} MMM 2002 conference and each paper will appear in the proceedings.
G. Binnig and H. Rohrer introduced the Scanning Tunneling Microscope (STM) in 1982 and developed it into a powerful and not to be missed physical tool. Scanning tunneling Microscopy is a real space surface imaging method with the atomic or subatomic resolution in all three dimensions. The tip is scanned over the surface by two piezo translators mounted parallel (X-piezo and Y-piezo) to the surface and perpendicular to each other. The voltage applied to the third piezo (Z-piezo) translator mounted perpendicular to the surface to maintain the tunneling current through the gap at a constant level reflects then the topography of the surface. The feed back control loop for the constant gap current is designed using the automatic control technique. In the designing process of the feed back loop, the identification of the gap dynamics is very complex and has difficulty. In this research, using some suitable test signals, the system dynamics of the gap including the Z-piezo are investigated. Especially, in this paper, a system model is proposed for the gap and Z-piezo series system. Indicial response is used to find out the model. The driving voltage of the Z-piezo and the tunneling current are considered as input and output signals respectively.
Anomalies and/or fractured grounds not detected by the surface geophysical and geological survey performed during design stage may cause significant problems during tunnel excavation. Many studies on prediction methods of the ground condition ahead of the tunnel face have been conducted and applied in tunneling construction sites, such as tunnel seismic profiling and probe drilling. However, most such applications have focused on the drill and blast tunneling method. Few studies have been conducted for mechanized tunneling because of the limitation in the available space to perform prediction tests. This study aims to predict the ground condition ahead of the tunnel face in TBM tunneling by using an electrical resistivity tomography survey. It compared the characteristics of each electrode array and performed an investigation on in-situ tunnel boring machine TBM construction site environments. Numerical simulations for each electrode array were performed, to determine the proper electrode array to predict anomalies ahead of the tunnel face. The results showed that the modified dipole-dipole array is, compared to other arrays, the best for predicting the location and condition of an anomaly. As the borehole becomes longer, the measured data increase accordingly. Therefore, longer boreholes allow a more accurate prediction of the location and status of anomalies and complex grounds.
본 논문에서는 지하수위 하에서 터널이 시공되는 조건을 대상으로 응력-간극수압 연계 유한요소해석 수행시 모델링 측면에서 중요하게 다뤄져야 하는 내용을 고찰하였다. 먼저 연계해석 수행시 요구되는 지하수위 저하와 지반거동과의 관계에 대한 배경 이론을 알아보았으며, 이를 토대로 모델링 측면에서 해석결과에 영향을 미칠 수 있는 다양한 인자들을 선정하고, 선정된 영향인자에 대한 매개변수 연구를 수행하였다. 지하수위 저하가 동반되는 터널 시공조건에서의 유한요소석 모델링 결과는 지반의 불포화특성 고려여부가 가장 큰 영향을 미치는 것으로 나타났으며 본 고에서는 결과를 종합하여 연계해석 모델링시 중요하게 검토되어야 고려사항을 제시하였다.
This paper presents the FEM anlysis results performed to assess the applicability of Horizontal Jet Grout Roofing, and of ground improvement methods for tunneling in soft ground. Horizontal Jet Grount Roofing Method is applicable to ensure the stability of tunnel face in non-cemeted alluvial strata under high ground water pressure. For applying this method, to ensure the reliability, the Horizontel Jet Grout Roofing should be double lined with pre-grouting to reduce the water inflow during the jet grouting.
현재, TBM 공법의 적용은 1985년 이래로 점진적으로 증가되고 있는 추세에 있다. 본 연구는 암반터널에서 탁월한 굴진실적을 갖고 있는 TBM 공법의 이해와 운영상의 발전을 위해서 TBM 공법을 적용한 시공 사례의 시간손실과 TBM 굴진장의 상관관계를 분석하였다. 그리고 분석결과를 기 분석된 미국, 일본의 운영현장의 결과값과 비교하여 TBM 굴진에 영향을 주는 요인을 분석하였고 그 분석결과에 따른 운영 개선 방안을 제시하였다. 따라서 본 연구에서 제시한 개선 방안은 향후 기본계획수립단계에서 TBM 공법 적용시 개략적인 지표로 활용할 수 있는 중요한 자료가 될 것으로 사료된다.
Transactions on Electrical and Electronic Materials
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제14권5호
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pp.250-253
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2013
In this paper, we fabricated 3D pillar type silicon-oxide-nitride-oxide-silicon (SONOS) devices for high density flash applications. To solve the limitation between erase speed and data retention of the conventional SONOS devices, bandgap-engineered (BE) tunneling oxide of oxide-nitride-oxide configuration is integrated with the 3D structure. In addition, the tunneling oxide is modulated by another method of $N_2$ ion implantation ($N_2$ I/I). The measured data shows that the BE-SONOS device has better electrical characteristics, such as a lower threshold voltage ($V_{\tau}$) of 0.13 V, and a higher $g_{m.max}$ of 18.6 ${\mu}A/V$ and mobility of 27.02 $cm^2/Vs$ than the conventional and $N_2$ I/I SONOS devices. Memory characteristics show that the modulated tunneling oxide devices have fast erase speed. Among the devices, the BE-SONOS device has faster program/erase (P/E) speed, and more stable endurance characteristics, than conventional and $N_2$ I/I devices. From the flicker noise analysis, however, the BE-SONOS device seems to have more interface traps between the tunneling oxide and silicon substrate, which should be considered in designing the process conditions. Finally, 3D structures, such as the pillar type BE-SONOS device, are more suitable for next generation memory devices than other modulated tunneling oxide devices.
최근 국내에서 쉴드TBM을 이용하는 터널공사의 발주가 증가하고 있으나 터널구간의 특성을 고려한 장비제작을 위한 정보의 제공은 체계적이지 못하여, 적합한 장비설계를 하는데 어려움이 많다. 본 기술보고는 외국의 사례검토를 바탕으로 토압식 쉴드TBM의 장비발주를 위한 설계항목과 세부 요구사양의 구성에 대해 국내에서 활용 가능한 내용을 예시로서 제시하였다. 제안하는 내용을 바탕으로 발주자는 장비 발주 시 필요한 전반적인 방향을 제시가능하고, 입찰자는 명확하고 과업조건에 적합한 장비를 설계, 제작하여 민원이 없고, 안전한 토압식 쉴드TBM 터널공사의 활성화에 기여할 수 있을 것으로 기대된다.
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[게시일 2004년 10월 1일]
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