• 제목/요약/키워드: trap type

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콩 포장에서 톱다리개미허리노린재(Riptortus clavatus) 발생예찰을 위한 효율적인 페로몬 트랩 및 설치높이 (Pheromone Trap Type and Height for Attracting of Riptortus clavatus (Thunberg) (Hemiptera: Alydidae) in Soybean Field)

  • 백채훈;이건휘;오영진;박정규;황창연;김상수
    • 한국응용곤충학회지
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    • 제48권1호
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    • pp.59-65
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    • 2009
  • 본 연구는 콩 포장에서 문제가 되는 톱다리개미허리노린재의 발생예찰을 위한 효율적인 페로몬트랩 및 설치높이를 구명하였다. 톱다리개미허리노린재 발생예찰에 적합한 페로몬 트랩은 피쉬(통발)트랩이며, 지면으로부터 60 cm 높이에서 유인량이 가장 많았다. 페로몬 트랩에 유인된 톱다리개미허리노린재 암수 성비는 1.5:1로 암컷 성충이 가장 많았고, 톱다리개미허리노린재 유인 트랩에 가로줄노린재도 동시에 포획되었다. 톱다리개미허리노린재 유인 트랩에 대한 수입제품과 국내제품의 유인력을 조사한 결과, 수입제품은 톱다리개미허리노린재만 유인하였고, 국내제품은 톱다리개미허리노린재와 가로줄노린재를 유인하였다. 합성페로몬 트랩을 이용한 톱다리개미허리노린재 성충은 8월 상순부터 발생하기 시작하여 9월 상순에 최대발생시기를 보였고, 포충망을 이용한 발생시기도 이와 유사한 경향을 보였다.

디젤 입자상물질 제거장치에 적용되는 버너의 설계 개념 및 기초 실험 (Conceptional Design and Basic Experiment of the Burner for the Particulate Trap System)

  • 박동선;김재업;이만복;김응서
    • 한국자동차공학회논문집
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    • 제4권3호
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    • pp.50-60
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    • 1996
  • We designed and developed the burner which would be adapted on the burner type diesel particulate trap system. The burner type particulate trap system consists of burner system to regenerate to ceramic filter, ceramic filter canister, system controller and etc. Many design factors which affect the performance of the burner system were discussed. We also investigated burner characteristics according to the operating parameters. Burned gas temperature could be controlled better by the 2nd air flow rate than the 1st one. As the space velocity increases, the axial and radial temperature gradients in the filter decreases.

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The Establishment of Tumor Necrosis Factor Receptor-associated Protein1 (TRAP1) Transgenic Mice and Severe Fat Accumulation in the Liver of TRAP1 Mice during Liver Regeneration

  • Im, Chang-Nim;Zheng, Ying;Kim, Sun Hye;Huang, Tai-Qin;Cho, Du-Hyong;Seo, Jeong-Sun
    • Interdisciplinary Bio Central
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    • 제5권4호
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    • pp.9.1-9.7
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    • 2013
  • Introduction: Tumor necrosis factor receptor-associated protein 1 (TRAP1) is a mitochondrial heat shock protein (HSP), which belongs to HSP90 family. It plays important roles in regulating mitochondrial integrity, protecting against oxidative stress, and inhibiting cell death. Recent studies suggest that TRAP1 is linked to mitochondria and its metabolism. In this study, we established TRAP1 transgenic mice and performed partial hepatectomy (PH) on wild-type (WT) and TRAP1 transgenic mice to investigate the function of TRAP1 during liver regeneration. Results and Discussion: We found that TRAP1 was highly expressed in liver as well as kidney. In addition, liver regeneration slightly decreased together with increased fatty liver and inflammation at 72 hr after PH in TRAP1 transgenic mice compared with WT control group mice. Concomitantly, we observed decreased levels of p38 protein in TRAP1 transgenic mice compared with WT control group mice. These results suggest that TRAP1 plays a critical role in liver energy balance by regulating lipid accumulation during liver regeneration. Conclusions and Prospects: To our knowledge, we reported, for the first time, that liver regeneration slightly reduced together with increased fat accumulations after PH in TRAP1 transgenic mice compared with WT control group mice. Concomitantly, we observed decreased levels of p38 protein in TRAP1 transgenic mice compared with WT control group mice. Overexpression of TRAP1 might affect liver regeneration via disturbing mitochondrial function leading to fatty liver in vivo.

재산화 질화산화 게이트 유전막을 갖는 전하트랩형 비휘발성 기억소자의 트랩특성 (Trap characteristics of charge trap type NVSM with reoxidized nitrided oxide gate dielectrics)

  • 홍순혁;서광열
    • 한국결정성장학회지
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    • 제12권6호
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    • pp.304-310
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    • 2002
  • 실리콘 기판 위의 초기 산화막을 NO 열처리 및 재산화 공정방법으로 성장한 재산화된 질화산화막을 게이트 유전막으로 사용한 새로운 전하트랠형 기억소자로의 응용가능성과 계면트랩특성을 조사하였다. 0.35$\mu$m CMOS 공정기술을 사용하여 게이트 유전막은 초기산화막을 $800^{\circ}C$에서 습식 산화하였다 전하트랩영역인 질화막 층을 형성하기 위해 $800^{\circ}C$에서 30분간 NO 열처리를 한 후 터널 산화막을 만들기 위해 $850^{\circ}C$에서 습식 산화방법으로 재산화하였다. 프로그램은 11 V, 500$\mu$s으로 소거는 -l3 V, 1 ms의 조건에서 프로그래밍이 가능하였으며, 최대 기억창은 2.28 V이었다. 또한 11 V, 1 ms와 -l3 V, 1 ms로 프로그램과 소거시 각각 20년 이상과 28시간의 기억유지특성을 보였으며 $3 \times 10^3$회 정도의 전기적 내구성을 나타내었다. 단일접합 전하펌핑 방법으로 소자의 계면트랩 밀도와 기억트랩 밀도의 공간적 분포를 구하였다. 초기상태에서 채널 중심 부근의 계면트랩 및 기억트랩 밀도는 각각 $4.5 \times 10^{10}/{cm}^2$$3.7\times 10^{1R}/{cm}^3$ 이었다. $1 \times 10^3$프로그램/소거 반복 후, 계면트랩은 $2.3\times 10^{12}/{cm}^2$으로 증가하였으며, 기억트랩에 기억된 전하량은 감소하였다.

Charge Pumping Method를 이용한 N-type MOSFET의 Interface Trap(Dit) 분석

  • 고선욱;김상섭;최병덕
    • 한국진공학회:학술대회논문집
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    • 한국진공학회 2014년도 제46회 동계 정기학술대회 초록집
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    • pp.328.1-328.1
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    • 2014
  • MOSFET degradation의 대부분은 hot-carrier injection에 의한 interface state (Dit)의 생성에서 비롯되며 따라서 본 연구에서는 신뢰성에 대한 한 가지 방법으로 Charge pumping method를 이용하여 MOSFET의 interface trap(Dit)의 변화를 측정하였다. 소스와 드레인을 ground로 묶고 게이트에 펄스를 인가한 후 Icp를 측정하여 Dit를 추출하였다. 온도를 293~343 K까지 5 K씩 가변했을 때 293K의 Icp(${\mu}A$)는 0.12 nA 313 K는 0.112 nA 343 K는 0.926 nA이며 Dit (cm-1/eV-1)는 $1.61{\times}10^{12}$ (Cm-2/eV-1) $1.49{\times}10^{12}$ (Cm-2/eV-1) $1.23{\times}10^{12}$ (Cm-2/eV-1)이다. 측정결과 Dit는 Icp가 높은 지점에서 추출되며 온도가 높아지게 되면 Icp전류가 낮아지고 Dit가 줄어드는 것을 볼 수 있다. 온도가 올라가게 되면 carrier들이 trap 준위에서 conduction band 위쪽에 이동하게 되어서 interface에 trap되는 양이 작아지게 된다. 그래서 이때 Icp를 이용해 추출한 Dit 는 실제로 trap의 양이 줄어든 것이 아니라 Thermal excess 현상으로 인해 측정되는 Icp의 양이 줄어든 것으로 분석할 수 있다.

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Single Junction Charge Pumping 방법을 이용한 전하 트랩 형 SONOSFET NVSM 셀의 기억 트랩 분포 결정 (Determination of Memory Trap Distribution in Charge Trap Type SONOSFET NVSM Cells Using Single Junction Charge Pumping Method)

  • 양전우;흥순혁;박희정;김선주;서광열
    • 한국전기전자재료학회:학술대회논문집
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    • 한국전기전자재료학회 1999년도 추계학술대회 논문집
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    • pp.453-456
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    • 1999
  • The Si-SiO$_2$interface trap and nitride bulk trap distribution of SONOSFET(polysilicon-oxide-nitride-oxide-semiconductor)NVSM(nonvolatile semiconductor memory) cell were investigated by single charge pumping method. The used device was fabricated by 0.35 7m standard logic fabrication including the ONO cell process. This ONO dielectric thickness is tunnel oxide 24 $\AA$, nitride 74 $\AA$, blocking oxide 25 $\AA$, respectively. Keeping the pulse base level in accumulation and pulsing the surface into inversion with increasing amplitudes, the charge pumping current flow from the single junction. Using the obtained I$_{cp}$-V$_{h}$ curve, the local V$_{t}$ distribution, doping concentration, lateral interface trap distribution and lateral memory trap distribution were extracted. The maximum N$_{it}$($\chi$) of 1.62$\times$10$^{19}$ /cm$^2$were determined.mined.d.

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성격의 선천적 요인(MBTI)과 후천적 요인(PAT)의 관계특성 연구 (A Study On The Relationship Characteristics Between Inborn(Myers-Brigg's Type Indicator: MBTI) and Acquired(Personality Adaptation Type: PAT) Factors of Personality)

  • 오수희
    • 한국사회복지학회:학술대회논문집
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    • 한국사회복지학회 2004년도 춘계학술대회 자료집
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    • pp.757-779
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    • 2004
  • The purpose of study is to provide efficient initial approaches for counseling in social work practice settings. First, it attempts to identify the correlation between the Myers-Brigg's Type Indicator(MBTI), a personality index based on the theory of psychological typology, and Personality Adaptation Types(PAT) models. Second, it attempts to develop a counseling method which can be applied to the initial interview, using the paradigm of door to therapy such as "Open Door", "Target Door", and "Trap Door" based on the PAT theory. The result of the quantitative study showed the correlation between MBTI and PAT as follows: MBTI Extrovert and Feeling(E, F) type was statistically correlated to hysterical PAT. MBTI Extrovert, Intuition and Perceiving(E, N, P) type was statistically correlated to Obsessive-Compulsive PAT. In conclusion, this study finds that when a clinical social worker approaches a client with the client's MBTI personality type and an interventional personality adaptation theory approach such as "Open Door", "Target Door", or "Trap Door", the efficiency of communication is increased significantly.

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기억상태에 따른 전하트랩형 SONOS 메모리 소자의 문턱전압 시뮬레이션 (Simulation of Threshold Voltages for Charge Trap Type SONOS Memory Devices as a Function of the Memory States)

  • 김병철;김현덕;김주연
    • 한국정보통신학회:학술대회논문집
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    • 한국해양정보통신학회 2005년도 춘계종합학술대회
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    • pp.981-984
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    • 2005
  • 본 논문에서는 전하트랩형 SONOS 메모리에서 프로그래밍 동작 후 변화되는 문턱전압을 시뮬레이션에 의하여 구현하고자 한다. SONOS 소자는 질화막내의 트랩 뿐 만아니라, 질화막-블로킹산화막 계면에 존재하는 트랩에 전하를 저장하는 전하트랩형 비휘발성기억소자로서, 기억상태에 따른 문턱전압을 시뮬레이션으로 구현하기위해서는 질화막내의 트랩을 정의할 수 있어야 된다. 그러나 기존의 시뮬레이터에서는 질화막내의 트랩모델이 개발되어 있지 않은 것이 현실이다. 따라서 본 연구에서는 SONOS 구조의 터널링산화막-질화막 계면과 질화막-블로킹산화막 계면에 두개의 전극을 정의하여 프로그램 전압과 시간에 따라서 전극에 유기되는 전하량으로부터 전하트랩형 기억소자의 문턱전압변화를 시뮬레이션 할 수 있는 새로운 방법을 제안한다.

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트랩필터를 갖는 NPC멀티레벨 인버터의 LCR필터 차단주파수 설정에 따른 출력특성 분석 (The Output Characteristics Analysis by Cut-off Frequency Set-up of the LCR Filter on NPC Multi-Level Inverter with Trap-Filter)

  • 김수홍;김윤호
    • 전기학회논문지
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    • 제56권5호
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    • pp.892-897
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    • 2007
  • This paper presents the output filter design and the output characteristic analysis by cut-off frequency set up of the LCR filter on NPC multi-level inverter with trap-filter. The single-phase NPC three-level inverter operates at low switching frequency. The proposed LC trap filter is comprised of a conventional LCR output filter, by using LC trap filter the need for high damping resistor and low LC cut-off frequency is eliminated. Also. low damping resistor is increased the output filter system. The multilevel inverter system used NPC type inverter in proper system for high power application and controller is used DSP(TMS320C31). The effectiveness of proposed system confirmed the validity through SPICE simulation and experimental results.

L형 터널 트랜지스터의 트랩-보조-터널링 현상 조사 (Investigation of Trap-Assisted-Tunneling Mechanism in L-Shaped Tunneling Field-Effect-Transistor)

  • 파라즈 나잠;유윤섭
    • 한국정보통신학회:학술대회논문집
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    • 한국정보통신학회 2018년도 추계학술대회
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    • pp.512-513
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    • 2018
  • 트랩-보조-터널링(Trap-Assisted-Tunneling; TAT)은 실제 터널링 전계 효과 트랜지스터 (TFET)의 임계 이하 기울기를 저하시키고 시뮬레이션에서 고려되어야한다. 그러나, 그 메커니즘은 라인 터널링 타입 L형 TFET(LTFET)에서는 잘 알려져 있지 않았다. 본 연구는 dynamic nonlocal Schenk 모델을 이용한 LTFET의 TAT 메커니즘을 연구한다. 이 연구에서는 터널링 이벤트를 위해서 phonon assisted and direct band가 모두 고려되었다.

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