Film bulk acoustic resonator (FBAR) using AIN reactively sputtered at room temperature was fabricated. The FBAR is composed of a piezoelectric aluminium nitride thin film, top electrode of Al and bottom electrode of Au connected by a short (200${\mu}{\textrm}{m}$) transmission line on both sides and reflector layers of SiO$_2$- W Pair. The active areas of Al and Au were patterned using 150${\mu}{\textrm}{m}$ diameter shadow mask. The series resonance frequency (fs) and the parallel resonance frequency (fp) were measured at 1.976 GHz and 2.005 GHz, respectively. The minimum insertion loss and return loss were 6.1 dB and 37.19 dB, and the quality factor (Q) was 4261.
Coarse clumping of solid materials within diseased biological cells can have a marked influence on the light scattering pattern. Perturbations in refractive index lead to distinct variations in the cytometric signature, especially apparent over wide scattering angles. The large dynamic range of scattering intensities restricts collection of data to narrow angular intervals believed to have the highest potential for medical diagnosis. We propose the use of an interference filter to reduce the dynamic range. Selective attenuation of scattering intensity levels is expected to allow simultaneous data collection over a wide angular interval. The calculated angular transmittance of a commercial shortwave-pass filter of cut-off wavelength 580 nm indicates significant attenuation of scattering peaks below ${\~}\;10^{circ}$, and reasonable peak equalization at higher angles. For the three-dimensional calculation of laser light scattered by cells we use a spectral method code that models cells as spatially varying dielectrics, stationary in time. However, we perform preliminary experimental testing with the interference filter on polystyrene microspheres instead of biological cells. A microfluidic toolkit is used for the manipulation of the microspheres. The paper intends to illustrate the principle of a light scattering detection system incorporating an interference filter for selective attenuation of scattering peaks.
실리콘 박막 코팅을 이용한 WDM용 파장가변 실리콘 파브리-페로 열광학 필터를 제안하고 실험하였다. 실리콘 파브리-페로 파장가변 필터는 일반적인 실리콘 웨이퍼를 CMP 공정을 통해 100${\mu}m{\pm}$1%의 두께로 가공하여 양면에 거울면을 갖도록 박막 코팅하고 온도를 변화시키기 위해 PTC 써미스터를 부착하여 제작하였다. 거울면의 형성은 1550nm를 중심 파장을 갖도록 양면에 굴절율이 다른 물질 $SiO_2$($n_{low}$=1.44)와 a-Si($n_{high}$=3.48)을 ${\lambda}$/4의 두께로 증착시켜 2층 박막과 3층 박막의 거울면을 제작하였다. 실험결과, 2층 박막의 경우 FSR이 3.61nm, FWHM이 0.56nm, finesse가 6.4로 나타났고, 3층 박막의 경우 FSR이 3.36nm, FWHM이 0.13nm, finesse가 25.5로 나타났다. 열광학 효과에 의한 파장 이동은 2층 박막 거울을 가진 필터의 경우 온도가 $23^{\circ}C$에서 투과 중심 파장이 1549.73nm $30^{\circ}C$에서 1550.91nm, $60^{\circ}C$에서 1553.46nm로 파장 이동을 하였고, 3층 박막 거울을 가진 필터의 경우는 온도가 $23^{\circ}C$에서 투과 중심 파장이 1549.83nm, $30^{\circ}C$에서 1550.92nm, $60^{\circ}C$에서 1553.07nm로 파장 이동을 하였다.
SAW filters of transversal type were fabricated on some piezoelectric substrates of the LN 128$^{\circ}$ Y-X, LN 64$^{\circ}$Y-X, Quartz ST-cut wafers through the simulation in which the number o: IDT and window function were changed for the required frequency, and the mask making. Their IDT spacing and width were 3 ${\mu}{\textrm}{m}$, chip size was 4.462 $\times$ 2.086 mm$^2$, and they had double electrode transversal type IDTs. In addition to pure Al electrode devices, Ti thin films having the different thicknesses was introduced between the Al electrode and the substrate for improving the power resistance strength. They had 11-12 dB insertion losses similar to those of pure Al electrode SAW filters in case of LN 128$^{\circ}$ Y-X, LN 64$^{\circ}$ Y-X, meaning that Ti thin film was not detrimental to the insertion loss and general frequency properties. The filters had the center frequencies 162MHz for LN 128$^{\circ}$ Y-X, 186MHz for 64$^{\circ}$ Y-X, and 131MHz for Quartz ST-cut substrates.
압전성을 갖는 산화아연 박막을 스퍼터링을 이용하여 실리콘 기판위에 증착하였고 여러 증착 공정변수들이 물성에 미치는 영향과 박막의 구조적 특성 및 전파경계조건을 고찰하였다. 특히, 평탄한 표면을 갖는 압전 박막을 제조하여 전파 특성에 우수한 증착조건을 제시하고 탄성표면파의 전파및 경계조건을 분석한다. 박막의 구조적 특성 분석을 위하여 여러가지 증착조건 중 아르곤과 산소의 가스비율 과 기판온도가 박막의 제조에 미치는 특성을 분석하였다. 스퍼터링 가스인 산소양이 50%이상으로 증가할수록 박막의 표면 거칠기가 나빠지는 특성을 보였다. 비저항과 표면형상은 유입되는 산소에 큰 영향을 받는다는 것을 알 수 있었다.
광통신용 광학부품의 신뢰성 특성은 솔더 조인트의 열 사이클에 따른 소성(Plastic)과 크립(Creep) 변형에 가장 큰 영향을 받는다. 열 사이클에 따른 소성과 크립 변형 증가로 인해 정렬 틀어짐이 발생하며 이는 광손실 변화의 주요인이 된다. 또한, 소성과 크립 변형량이 증가 또는 계속 누적이 될 경우 솔더의 피로수명 한계로 인해 제품 불량 발생의 원인이 된다. 이러한 열적 사이클에 따른 광부품의 신뢰성을 확보하기 위해 본 논문에서는 유한요소해석법(FEM)을 적용하였다. 소성과 크립 변형의 변화량을 유한요소해석으로 계산하고 이를 크립 피로 파괴(Creep-Fatigue) 수명 예측 모델에 적용하여 그 수명을 예측하였다. 솔더와 모재와의 계면 또는 솔더 내부에서 생성되는 온도에 따른 소성과 크립 변형을 파악하기 위해 텔코디아(Telcordia)의 광부품 신뢰성 온도 사이클(-40 to 75)을 적용하였다. 승온과 냉각 속도의 변화에 따른 영향을 검토하기 위해 1/min, 10/min 및 50/min으로 변화를 주고 유지 시간을 1시간으로 고정할 경우의 결과를 비교 분석하였다.
나노급 다이아몬드는 최근 폭발법이나 증착법에 의한 신공정으로 100 nm 이하의 분말형태의 제조가 가능하다. 나노급 다이아몬드의 소결을 이용하면 이상적인 연마기기의 제작이 가능하다. 이러한 나노급 다이아몬드의 소결 공정에서 생기는 비이상적인 나노결정의 결정립성장과 다이아몬드 결합장애를 방지하기 위해서 나노급 무기물을 균일하게 코팅하는 공정개발이 필요하다. 본 연구에서는 나노급 다이아몬드의 소결 특성을 향상시키기 위해서 ALD(atomic layer deposition)을 이용하여 진공에서 $20{\sim}30\;nm$ 두께의 ZnO 박막을 코팅해 보았다. 나노급 다이아몬드 분말 전면에 경제적으로 ZnO ALD를 위해서 기존의 기계적 진동효과 또는 전용 fluidized bed reactor를 대치하여 새로이 20 mm 석영튜브 안에 다이아몬드 분말을 넣고 다공성 유리필터로 막은 후 펄스와 퍼지 공정시의 압력에 의한 다이아몬드의 부유를 이용한 변형된 fluidized bed 공정을 채용하였다. 다공성 유리필터로 양쪽이 막힌 석영튜브 안에 전구체 DEZn (diethylzinc : $C_4H_{10}Zn$)와 반응기체 $H_2O$를 사용하여 ZnO 박막을 캐니스터 온도 $10^{\circ}C$에서 원자층증착하였다. 공정 순서 및 반응물질 주입 시간은 DEZn pulse-0.1초, DEZn purge-20초, $H_2O$ pulse-0.1초, $H_2O$ purge-40초와 같이 설정하였으며, 이 네 단계를 1 cycle로 정의하여 100 cycle 반복 실시하였다. 다이아몬드 분말과 ZnO 박막이 증착된 다이아몬드 분말의 미세구조를 확인하기 위하여 투과전자현미경 (transmission electron microscope)을 이용하였다. TEM 측정결과, ALD 증착 전 나노급 다이아몬드 분말의 직경이 약 $70{\sim}120\;nm$이었고 사면체, 육면체 등의 다양한 형태를 보임을 확인하였다. ZnO 박막이 ALD코팅된 다이아몬드 분말의 직경은 약 $90{\sim}150\;nm$이었고, 다이아몬드 분말과 ZnO의 명암차이에 의해 약 $20{\sim}30\;nm$ 두께의 균일한 ZnO 박막이 다각형 형태의 다이아몬드 파우더 표면에 성공적으로 증착되었음을 확인하였다.
The eleventh-order coupled line lowpass filter(LPF) was designed to suppress harmonics and spurious signals. The microstrip type LPF was fabricated using a high-$T_{c}$ superconductor(HTS) $YBa_{2}$$Cu_{3}$$O_{7-x}$(YBCO) thin film with the $CeO_{2}$ buffer layer which was deposited on the sapphire ($Al_{2}O_{3}$) substrate of 30 x 30 $mm^{2}$. The coupled-line type LPF was designed for 1.2 GHz of cutoff frequency with 0.01 dB of ripple level at passband. The fabricated HTS LPF shows excellent attenuation characteristics in stopband of 1.2~9.5GHz (7-attenuation poles in the stopband), and shows low insertion loss (0.2 dB) and return loss (17.1 dB) in the pass- band. These measured results match well with those obtained by the EM simulation. This clearly demonstrates that the HTS LPF can suppress harmonics and spurious signals effectively.
A high angular tolerance spectral filter was realized incorporating an etalon, which consists of a $TiO_2$ cavity sandwiched between a pair of Ag/Ge mirrors. The effective angle was substantially extended thanks to the cavity's high refractive index. The device was created by embedding a 313-nm thick $TiO_2$ film in 16-nm thick Ag/Ge films through sputtering, with the Ge layer alleviating the roughness and adhesion of the Ag layer. For normal incidence, the observed center wavelength and transmission were ~900 nm and ~60%, respectively; throughout the range of $50^{\circ}$, the relative wavelength shift and transmission variation amounted to only ~0.06 and ~4%, respectively.
In this paper, we proposed pre-filter algorithms which using frequency domain analysis method, for the detections of defects in large-sized Thin Film Transistor-Liquid Crystal Display(TFT-LCD) panel surfaces. We performed frequency analysis with 1-D, 2-D FFT methods for extract periodic patterns of lattice structures in TFT-LCDs. To remove this patterns, band-stop filters were used for eliminating specific frequency components. In order to acquire only defected images, we used 2-D inverse FFT methods which can be reverts images that remains defects.
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[게시일 2004년 10월 1일]
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