Szyszka, B.;Ruske, F.;Sittinger, V.;Pflug, A.;Werner, W.;Jacobs, C.;Kaiser, A.;Ulrich, S.
한국정보디스플레이학회:학술대회논문집
/
한국정보디스플레이학회 2007년도 7th International Meeting on Information Display 제7권1호
/
pp.181-185
/
2007
We report on our material and process research on ZnO:Al films and on our investigations on wet chemical etching using a variety of etching solutions. We achieve resistivity as low as $750{\mu}{\Omega}cm$ for ZnO:Al films with film thickness of 140 nm. Etching with phosphorous acid allows for accurate fine patterning of the ZnO:Al films on glass substrates.
PBT thin film was known to be a representative for the FeRAM devices because of its good ferroelectric proporties and the ease in fabricating the thin film. However, there have been several problems such as polarization fatigue and leakage current in memory devices with a PZT thin film. In this study, Sm-dolled PZT thin films were fabricated by the so1-gel method, and their ferroelectric and dielectric proportrics were compared as a function of Sm content. We investigated the effect of the Sm dopant on structural and electrical properties of PZT film. Sm-doped PZT thin films on the Pt/Ti/SiO$_2$/Si substrates have been prepared by a sol-gel method. The remanent polarization and coercive field decreased with increasing the concentration of Sm. The dielectric constant and dielectric loss decreased with Increasing Sm content. Sm-doped PZT thin films showed improved fatigue characteristics compared to the undoped PZT thin film.
한국결정성장학회 1998년도 PROCEEDINGS OF THE 15TH KACG TECHNICAL MEETING-PACIFIC RIM 3 SATELLITE SYMPOSIUM SESSION 4, HOTEL HYUNDAI, KYONGJU, SEPTEMBER 20-23, 1998
/
pp.85-90
/
1998
Reactive ion etching (RIE) of Ta-Al alloy thin film and SiO2 thin films was observed during the etching with the CF4 gas and the could be used effectively to etch the Ta-Al alloy thin film. The etching rate of the thin film at a Ta content of 50 mol% was about 67$\AA$/min. No selectivity between the Ta-Al alloy thin film and SiO2 thin films was observed during the etching with the CF4 gas and the etching rate of the SiO2 layer was 12 times faster than that of the Ta-Al alloy thin film. In addition, it was observed that photoresist of AZ5214 was more useful than Shiepley 1400-2 in RIE with the CF4 gas.
Tin-doped indium thin film is outstanding material among transparent Conductive Oxide (TCO) materials. ITO thin films show a low electrical resistance(<$10^{-4}\;[{\Omega}{\cdot}m]$) and high transmittance(>80%) in the visible range. ITO thin films usually have been deposited on the glass substrate. In order to apply flexible display, the substrate should have the ability to bend and be deposited without substrate heat. Also properties of ITO thin film depend on what kind of substrate. In this study, we prepared ITO thin film on the polycarbonate (PC) substrate by using Facing Target Sputtering (FTS) system. Before deposition of ITO thin film, PC substrate took plasma surface treatment. The electrical and surface properties of as-deposited thin films were investigated by Hall Effect measurement, UV/VIS spectrometer and the surface property of substrate is investigated by Contact angle measurement.
The planar type flexible piezoelectric energy harvesters (PEH) based on PbZr0.52Ti0.48O3 (PZT) thin films on the flexible substrates are demonstrated to convert mechanical energy to electrical energy. The planar type energy harvesters have been realized, which have an electrode pair on the PZT thin films. The PZT thin films were deposited on double side polished sapphire substrates using conventional RF-magnetron sputtering. The PZT thin films on the sapphire substrates were transferred by PDMS stamp with laser lift-off (LLO) process. KrF excimer laser (wavelength: 248nm) were used for the LLO process. The PDMS stamp was attached to the top of the PZT thin films and the excimer laser induced onto back side of the sapphire substrate to detach the thin films. The detached thin films on the PDMS stamp transferred to adhesive layer coated on the flexible polyimide substrate. Structural properties of the PZT thin films were characterized using X-ray diffraction (XRD) and scanning electron microscopy (SEM). To measure piezoelectric power generation characteristics, Au/Cr inter digital electrode (IDE) was formed on the PZT thin films using the e-beam evaporation. The ferroelectric and piezoelectric properties were measured by a ferroelectric test system (Precision Premier-II) and piezoelectric force microscopy (PFM), respectively. The output signals of the flexible PEHs were evaluated by electrometer (6517A, Keithley). In the result, the transferred PZT thin films showed the ferroelectric and piezoelectric characteristics without electrical degradation and the fabricated flexible PEHs generated an AC-type output power electrical energy during periodically bending and releasing motion. We expect that the flexible PEHs based on laser transferred PZT thin film is able to be applied on self-powered electronic devices in wireless sensor networks technologies. Also, it has a lot of potential for high performance flexible piezoelectric energy harvester.
Ni oxide thin films were formed through annealing treatment in the atmosphere after Ni thin films deposited by a r.f. magnetron sputtering method and then electric and material properties were analyzed for application to thermal sensors. Resistivity of Ni thin films decreased after annealing treatment at 30$0^{\circ}C$ and 40$0^{\circ}C$ for five hours due to crystallization of Ni thin films but the value increased over 45$0^{\circ}C$ because of Ni thin film's oxidation. Resistivity values of Ni thin films were in the range of 10.5 $\mu$Ωcm/$^{\circ}C$ to 2.84${\times}$10$^4$$\mu$Ωcm/$^{\circ}C$ according to the degree of Ni oxidation. Also temperature coefficient of resistance(TCR) values of Ni oxide thin films depended on the degree of Ni oxidation such as 2,188 ppm/$^{\circ}C$ to 5,630 ppm/$^{\circ}C$ in the temperature range of 0 $^{\circ}C$∼150 $^{\circ}C$. The results demonstrate that Ni oxide thin films of annealing treatment at 40$0^{\circ}C$ for 5hours could be more advantageous than pure Ni thin films and Pt thin films from a point of output properties and TCR, applied to thermal sensors.
To investigate the ZnO thin films which are interested in the next generation of short wavelength LEDs and Lasers, the ZnO thin films were deposited by RF sputtering system. At sputtering process of ZnO thin films, substrate temperature, work pressure respectively is $100^{\circ}C$ and 15 mTorr, and the purity of target is ZnO 5 N. The ZnO thin films were in-situ annealed at $600^{\circ}C$ in $O_2$ atmosphere. The thickness of ZnO thin films has implemented about $1.6{\mu}m$ at SEM analysis after in-situ annealing process. We have investigated the crystal structure of substrates, and so structural properties of ZnO thin films has estimate by using XRD, FWHM, FE-SEM and AFM. XRD and FE-SEM showed that ZnO thin films grown on substrates had a c-axis preferential orientation in the [0001] crystal direction. XPS spectra showed that ZnO thin film was showed a peak positions corresponding to the O1s and the Zn2p. As form above XPS, we showed that the atom ratio of Zn:O related 1:1.1504 on ZnO thin film, so we could obtained useful information for p-type ZnO thin film.
Park, Y. S.;Lee, S. R.;S. H. Han;Kim, H. J.;S. H. Lim
Journal of Magnetics
/
제2권3호
/
pp.76-85
/
1997
Magnetic and magnetostrictive properties of Tb-Fe and Tb-Fe-B thin films are systematically investigated over a wide composition range from 40.2 to 68.1 at. % Tb. The films were fabricated by rf magnetron sputtering using a composite target which consists of an Fe plate and Tb chips. The microstructure, examined by X-ray diffraction, mainly consists of an amorphous phase and, at high Tb contents, a pure Tb phase also exists. A progressive change in the direction of anisotropy from the perpendicular to in-plane occurs as the Tb content increases and the boundary at which the anisotropy change occurs shifts significantly towards to higher Tb contents with the addition of B. The saturation magnetization exhibits maxima at the Tb contents of 42 and 48 at. % for Tb-Fe and Tb-Fe-B thin films, respectively, and it is decreased by the addition of B. The coercive force, measured in the easy direction, decreases monotonically with the Tb content. Excellent magnetostrictive characteristics, particularly at low magnetic fields, are achieved in both Tb-Fe and Tb-Fe-B thin films; for example, a magnetostriction of 138 ppm is obtained in a Tb-Fe-B thin film at a magnetic field as low as 30 Oe. The excellent magnetostrictive properties of the present thin films are supported by the equally excellent magnetic softness, the coercivity below 10 Oe and a typical squared-loop shape with the saturation field as low as 1 kOe. Due to the excellent low field magnetostrictive characteristics, the present Tb-Fe based thin films are thought to be suitable for Si based microdevices.
라디오 진동수 스퍼터를 이용하여 실리콘(110) 기판위에 증착시간을 60분, 120분 그리고 180을 변화시켜서 산화아연 박막을 만들었다. ZnO2 박막의 입자 성장면을 X선 회절 장치를 써서 분석한 결과 박막의 주 성장면(002)면과 (103)면의 방향이 증착 시간의 영향을 많이 받았다. 전자 주사 현미경을 통하여 ZnO2박막의 입자 성장을 관찰 한 결과 ZnO2박막이 증착 초기에는 성장이 정체되는 인큐베이션 시간이 필요하다가 일정 시간이 지나면 다시 입자 성장이 일어나는 현상이 관찰 되었다. ZnO2박막의 화학 분석을 한 결과는 증착 시간의 증가가 ZnO2박막내의 산소의 양과는 변화가 없었지만 Zn의 성분에 변화가 관찰 되어서 박막의 증착 시간이 박막내의 Zn성분에는 영향을 미침을 알 수 있었다.
본 웹사이트에 게시된 이메일 주소가 전자우편 수집 프로그램이나
그 밖의 기술적 장치를 이용하여 무단으로 수집되는 것을 거부하며,
이를 위반시 정보통신망법에 의해 형사 처벌됨을 유념하시기 바랍니다.
[게시일 2004년 10월 1일]
이용약관
제 1 장 총칙
제 1 조 (목적)
이 이용약관은 KoreaScience 홈페이지(이하 “당 사이트”)에서 제공하는 인터넷 서비스(이하 '서비스')의 가입조건 및 이용에 관한 제반 사항과 기타 필요한 사항을 구체적으로 규정함을 목적으로 합니다.
제 2 조 (용어의 정의)
① "이용자"라 함은 당 사이트에 접속하여 이 약관에 따라 당 사이트가 제공하는 서비스를 받는 회원 및 비회원을
말합니다.
② "회원"이라 함은 서비스를 이용하기 위하여 당 사이트에 개인정보를 제공하여 아이디(ID)와 비밀번호를 부여
받은 자를 말합니다.
③ "회원 아이디(ID)"라 함은 회원의 식별 및 서비스 이용을 위하여 자신이 선정한 문자 및 숫자의 조합을
말합니다.
④ "비밀번호(패스워드)"라 함은 회원이 자신의 비밀보호를 위하여 선정한 문자 및 숫자의 조합을 말합니다.
제 3 조 (이용약관의 효력 및 변경)
① 이 약관은 당 사이트에 게시하거나 기타의 방법으로 회원에게 공지함으로써 효력이 발생합니다.
② 당 사이트는 이 약관을 개정할 경우에 적용일자 및 개정사유를 명시하여 현행 약관과 함께 당 사이트의
초기화면에 그 적용일자 7일 이전부터 적용일자 전일까지 공지합니다. 다만, 회원에게 불리하게 약관내용을
변경하는 경우에는 최소한 30일 이상의 사전 유예기간을 두고 공지합니다. 이 경우 당 사이트는 개정 전
내용과 개정 후 내용을 명확하게 비교하여 이용자가 알기 쉽도록 표시합니다.
제 4 조(약관 외 준칙)
① 이 약관은 당 사이트가 제공하는 서비스에 관한 이용안내와 함께 적용됩니다.
② 이 약관에 명시되지 아니한 사항은 관계법령의 규정이 적용됩니다.
제 2 장 이용계약의 체결
제 5 조 (이용계약의 성립 등)
① 이용계약은 이용고객이 당 사이트가 정한 약관에 「동의합니다」를 선택하고, 당 사이트가 정한
온라인신청양식을 작성하여 서비스 이용을 신청한 후, 당 사이트가 이를 승낙함으로써 성립합니다.
② 제1항의 승낙은 당 사이트가 제공하는 과학기술정보검색, 맞춤정보, 서지정보 등 다른 서비스의 이용승낙을
포함합니다.
제 6 조 (회원가입)
서비스를 이용하고자 하는 고객은 당 사이트에서 정한 회원가입양식에 개인정보를 기재하여 가입을 하여야 합니다.
제 7 조 (개인정보의 보호 및 사용)
당 사이트는 관계법령이 정하는 바에 따라 회원 등록정보를 포함한 회원의 개인정보를 보호하기 위해 노력합니다. 회원 개인정보의 보호 및 사용에 대해서는 관련법령 및 당 사이트의 개인정보 보호정책이 적용됩니다.
제 8 조 (이용 신청의 승낙과 제한)
① 당 사이트는 제6조의 규정에 의한 이용신청고객에 대하여 서비스 이용을 승낙합니다.
② 당 사이트는 아래사항에 해당하는 경우에 대해서 승낙하지 아니 합니다.
- 이용계약 신청서의 내용을 허위로 기재한 경우
- 기타 규정한 제반사항을 위반하며 신청하는 경우
제 9 조 (회원 ID 부여 및 변경 등)
① 당 사이트는 이용고객에 대하여 약관에 정하는 바에 따라 자신이 선정한 회원 ID를 부여합니다.
② 회원 ID는 원칙적으로 변경이 불가하며 부득이한 사유로 인하여 변경 하고자 하는 경우에는 해당 ID를
해지하고 재가입해야 합니다.
③ 기타 회원 개인정보 관리 및 변경 등에 관한 사항은 서비스별 안내에 정하는 바에 의합니다.
제 3 장 계약 당사자의 의무
제 10 조 (KISTI의 의무)
① 당 사이트는 이용고객이 희망한 서비스 제공 개시일에 특별한 사정이 없는 한 서비스를 이용할 수 있도록
하여야 합니다.
② 당 사이트는 개인정보 보호를 위해 보안시스템을 구축하며 개인정보 보호정책을 공시하고 준수합니다.
③ 당 사이트는 회원으로부터 제기되는 의견이나 불만이 정당하다고 객관적으로 인정될 경우에는 적절한 절차를
거쳐 즉시 처리하여야 합니다. 다만, 즉시 처리가 곤란한 경우는 회원에게 그 사유와 처리일정을 통보하여야
합니다.
제 11 조 (회원의 의무)
① 이용자는 회원가입 신청 또는 회원정보 변경 시 실명으로 모든 사항을 사실에 근거하여 작성하여야 하며,
허위 또는 타인의 정보를 등록할 경우 일체의 권리를 주장할 수 없습니다.
② 당 사이트가 관계법령 및 개인정보 보호정책에 의거하여 그 책임을 지는 경우를 제외하고 회원에게 부여된
ID의 비밀번호 관리소홀, 부정사용에 의하여 발생하는 모든 결과에 대한 책임은 회원에게 있습니다.
③ 회원은 당 사이트 및 제 3자의 지적 재산권을 침해해서는 안 됩니다.
제 4 장 서비스의 이용
제 12 조 (서비스 이용 시간)
① 서비스 이용은 당 사이트의 업무상 또는 기술상 특별한 지장이 없는 한 연중무휴, 1일 24시간 운영을
원칙으로 합니다. 단, 당 사이트는 시스템 정기점검, 증설 및 교체를 위해 당 사이트가 정한 날이나 시간에
서비스를 일시 중단할 수 있으며, 예정되어 있는 작업으로 인한 서비스 일시중단은 당 사이트 홈페이지를
통해 사전에 공지합니다.
② 당 사이트는 서비스를 특정범위로 분할하여 각 범위별로 이용가능시간을 별도로 지정할 수 있습니다. 다만
이 경우 그 내용을 공지합니다.
제 13 조 (홈페이지 저작권)
① NDSL에서 제공하는 모든 저작물의 저작권은 원저작자에게 있으며, KISTI는 복제/배포/전송권을 확보하고
있습니다.
② NDSL에서 제공하는 콘텐츠를 상업적 및 기타 영리목적으로 복제/배포/전송할 경우 사전에 KISTI의 허락을
받아야 합니다.
③ NDSL에서 제공하는 콘텐츠를 보도, 비평, 교육, 연구 등을 위하여 정당한 범위 안에서 공정한 관행에
합치되게 인용할 수 있습니다.
④ NDSL에서 제공하는 콘텐츠를 무단 복제, 전송, 배포 기타 저작권법에 위반되는 방법으로 이용할 경우
저작권법 제136조에 따라 5년 이하의 징역 또는 5천만 원 이하의 벌금에 처해질 수 있습니다.
제 14 조 (유료서비스)
① 당 사이트 및 협력기관이 정한 유료서비스(원문복사 등)는 별도로 정해진 바에 따르며, 변경사항은 시행 전에
당 사이트 홈페이지를 통하여 회원에게 공지합니다.
② 유료서비스를 이용하려는 회원은 정해진 요금체계에 따라 요금을 납부해야 합니다.
제 5 장 계약 해지 및 이용 제한
제 15 조 (계약 해지)
회원이 이용계약을 해지하고자 하는 때에는 [가입해지] 메뉴를 이용해 직접 해지해야 합니다.
제 16 조 (서비스 이용제한)
① 당 사이트는 회원이 서비스 이용내용에 있어서 본 약관 제 11조 내용을 위반하거나, 다음 각 호에 해당하는
경우 서비스 이용을 제한할 수 있습니다.
- 2년 이상 서비스를 이용한 적이 없는 경우
- 기타 정상적인 서비스 운영에 방해가 될 경우
② 상기 이용제한 규정에 따라 서비스를 이용하는 회원에게 서비스 이용에 대하여 별도 공지 없이 서비스 이용의
일시정지, 이용계약 해지 할 수 있습니다.
제 17 조 (전자우편주소 수집 금지)
회원은 전자우편주소 추출기 등을 이용하여 전자우편주소를 수집 또는 제3자에게 제공할 수 없습니다.
제 6 장 손해배상 및 기타사항
제 18 조 (손해배상)
당 사이트는 무료로 제공되는 서비스와 관련하여 회원에게 어떠한 손해가 발생하더라도 당 사이트가 고의 또는 과실로 인한 손해발생을 제외하고는 이에 대하여 책임을 부담하지 아니합니다.
제 19 조 (관할 법원)
서비스 이용으로 발생한 분쟁에 대해 소송이 제기되는 경우 민사 소송법상의 관할 법원에 제기합니다.
[부 칙]
1. (시행일) 이 약관은 2016년 9월 5일부터 적용되며, 종전 약관은 본 약관으로 대체되며, 개정된 약관의 적용일 이전 가입자도 개정된 약관의 적용을 받습니다.