• 한국전기전자재료학회:학술대회논문집
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• 한국전기전자재료학회 2008년도 추계학술대회 논문집 Vol.21
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• pp.419-420
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• 2008

In this work, we report several experimental data capable of evaluating the phase transition characteristics of (InTe)x(GeTe)y (x = 0.1, 0.3, y =1) pseudo-binary thin films. (InTe)x(GeTe)y phase change thin films have been prepared by thermal evaporator. The crystallization characteristics of amorphous (InTe)x(GeTe)y thin films were investigated by using nano-pulse scanner with 658 nm laser diode (power : 1~17 mW, pulse duration : 10~460 ns) and XRD measurement. It was found that the crystalline speed of In-Ge-Te thin films are faster than $Ge_2Sb_2Te_5$[1] and also the crystalline temperature is higher. Changes in the optical transmittance of as-deposited and annealed films were measured using a UV-VIS-IR spectrophotometer and four-point probe was used to measure the sheeresistance of InGeTe films annealed at different temperature.

• Journal of Advanced Marine Engineering and Technology
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• 제38권9호
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• pp.1094-1100
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• 2014

오폐수처리, 해수담수화 및 식품산업의 경우 증발과정은 필수공정이며, 이는 기본적으로 용액으로부터 용매인 순수한 물성분을 추출하여 점차 용액의 농도를 증가시키는 방식이다. 농축을 위한 방식은 전기투석, 증발식, 막방식 등의 다양한 방법이 사용되고 있으나, 본 연구에서는 여러 산업분야에서 적용되고 있는 증발식을 대상으로 운전방식에 따른 가열열원의 소모량을 이론적으로 분석하고, 이에 근거하여 다단증발식 해수담수화설비의 운전특성을 파악하였다. 본 연구의 결과에 따르면 시스템에서 이용할 수 있는 전체 온도차, 즉 인입해수의 온도와 1단 증발부로 유입되는 해수온도와의 차를 기준으로 증발단의 수를 증가시킬수록 에너지효율이 상승함을 알 수 있었다.

• 대한기계학회논문집
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• 제9권1호
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• pp.47-55
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• 1985

본 논문에서는, 긴 단열부를 갖는 열파이프에 있어서, 단열부에 유동저항이 매우 작은 접힌판재의 그루우브 wick를 넣은 구조에 대한 이론적, 실험적 연구를 다 루었다. 본 논문의 목적은, 위에서 설명한 열파이프의 근본적인 상반기능을 해결해 줄 수 있는 하나의 열파이프 구조를 제공할 뿐만 아니라, 더 나아가 접힌 판재의 그루 우브라는 새로운 형태의 wick의 가능성을 암시하는 데 있는 것이다.

• 한국산업융합학회 논문집
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• 제10권2호
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• pp.89-96
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• 2007

For the environment protection, carbon dioxide as a natural refrigerant has been studied to use in an automotive air conditioning system. Hence, a numerical model has been developed to describe the evaporation phenomena of carbon dioxide flowing through very small diameter tubes. The two dimensional low-Reynolds $k-{\varepsilon}$ model was used to predict the flow phenomena of carbon dioxide in the two phase during its evaporation. Furthermore, the results obtained from the model were compared with the experiments for the validation. The heat transfer coefficient is lower, as the tube inner diameter becomes smaller. However, the amount of heat absorbed by a unit mass of carbon dioxide is greater due to more surface area. Therefore, the small diameter tube has advantage in terms of compact design of evaporator. When the inlet condition of pressure and temperature is low, the heat transfer coefficient is slightly high at the same size of tube because of the thermal properties of carbon dioxide.

• 에너지공학
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• 제7권1호
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• pp.44-56
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• 1998

분리형 히트파이프식 열교환기는 증발기와 응축기를 폐열원과 열풍이 필요한 곳에 분리설치하고 증기 및 액체의 연락관으로 두 열교환기를 연결하여 하나의 폐루프를 구성하고 증발기와 응축기의 설치 높이차에 의해 작동이 이루어지는 것이다. 따라서 고온 및 저온유체의 병류 및 향류의 혼합배치가 용이하다는 장점이 있으나, 고온유체의 온도가 높을 경우에는 포화증기의 압력이 높아져 파이프가 견딜 수 있는 사용한계를 초과하게 될 수 있다. 또한 너무 낮으면 증기의 비체적증가와 함께 유속의 증가로 압력손실이 커져 설치높이차를 크게 하던지 증기연락관의 직경을 크게 하여야 하는 문제가 발생할 수 있다. 따라서 설계과정에서 고온유체 및 저온유체의 온도, 유량 등이 정하여진 상태에서 병류 및 향류로 배치하는 경우에 분리형 히트파이프식 열교환기를 Lmtd방법으로 설계하고, 고온 및 저온유체의 온도 및 유량이 실제 운전과정에서 변화가능한 범위에 대해 Ntu 방법으로 열교환량,포화증기압력 및 압력손실에 따른 증발기와 응축기의 설치높이차 등에 대한 가동특성을 고찰하였다.

• 한국진공학회:학술대회논문집
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• 한국진공학회 2014년도 제46회 동계 정기학술대회 초록집
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• pp.166.1-166.1
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• 2014

We have controlled the graphene surface in two ways to improve the device performance of optoelectronics based on graphene transparent conductive films. We controlled multilayer graphene (MLG) work function and localized surface plasmon resonance wavelength using a silver nanoparticles formed on graphene surface. Graphene substrates were prepared using a chemical vapor deposition and transfer process. Various size of silver nanoparticles were prepared using a thermal evaporator and post annealing process on graphene surface. Silver nanoparticles were confirmed by using scanning electron microscopy (SEM). Work functions of graphene surface with various sizes of Ag nanoparticles were measured using ultraviolet photoelectron spectroscopy (UPS). The result shows that the work functions of MLG could be controlled from 4.39 eV to 4.55 eV by coating different amounts of silver nanoparticles while minimal changes in the sheet resistance and transmittance. Also the Localized surface plasmon resonance (LSPR) wavelength was investigated according to various sizes of silver nanoparticles. LSPR wavelength was measured using the absorbance spectrum, and we confirmed that the resonance wavelength could be controlled from 396nm to 425nm according to the size of silver nanoparticles on graphene surface. To confirm improvement of the device performance, we fabricated the organic solar cell based on MLG electrode. The results show that the work function and plasmon resonance wavelength could be controlled to improve the performance of optoelectronics device.

• 한국전기전자재료학회:학술대회논문집
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• 한국전기전자재료학회 2005년도 추계학술대회 논문집 Vol.18
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• pp.187-188
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• 2005

In this paper, big free standing metal structures for electrostatic MEMS switches are easily fabricated using photoresist sacrificial layer. The entire process sequence, through the removal of the sacrificial layer, is kept below 150 $^{\circ}C$ to avoid curing problem of photoresist sacrificial layer. Metal structure is fabricated by thermal evaporator and a self test electrode is fabricated underlying metal suspended structure for testing by electrostatic force. The new wet release process is considered using methanol rinse, general wet release process cause stiction problem by capillary force during drying, and the yield is dramatically improved than previous wet release process using DI water rinse. The fabrication becomes much simpler and cheaper with use of a photoresist sacrificial layer.

• 한국전기전자재료학회:학술대회논문집
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• 한국전기전자재료학회 2005년도 추계학술대회 논문집 Vol.18
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• pp.258-259
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• 2005

[ $CuInSe_2$ ] thin films were fabricated at various fabrication conditions (substrate temperature, sputtering pressure, BC/RF power, vapor deposition, heat treatment). And structural and electrical properties were measured in order to certify optimum conditions for growth of the ternary compound semiconductor $CuInSe_2$ thin films with stoichiometric composition. $CuInSe_2$ thin film was well made at the heat treatment of 500[$^{\circ}C$] of SLG/Cu/In/Se stacked elemental layer which was prepared by sputter and thermal evaporator, and chemical composition of the thin film was analyzed nearly as the proportion of 1 : 1 : 2. At the same time, carrier concentration, hall mobility and resistivity of the thin films was $1.27\sim9.88\times10^{17}[cm^{-3}]$, $49.95\sim185[cm^2/V{\cdot}s]$ and $10^{-1}\sim10^{-2}[\Omega{\cdot}cm]$, respectively

• 한국진공학회:학술대회논문집
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• 한국진공학회 2011년도 제40회 동계학술대회 초록집
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• pp.112-112
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• 2011

유기박막 트랜지스터(Organic Thin Film Transistor: OTFT)는 낮은 공정비용과 기존의 고체 실리콘 트랜지스터로서 실혐 할 수 없는 플렉시블 디스플레이, 스마트카드, 태양전지 등의 매우 넓은 활용범위로 각광받고 있는 연구 분야 중 하나이다. 본 연구에서는 열 증발 증착장비(Thermal Evaporator)를 이용하여 펜타센을 활성층으로 사용한 유기박막 트랜지스터를 제작하였다. Heavily doped된 N형 실리콘 기판을 메탄올, 에탄올, 불산 처리를 하여 세척을 한 후 PECVD를 이용하여 SiO2를 200 nm 증착하였다. 그 후 열 증발 증착 장비를 사용하여 펜타센을 활성층으로 사용하였고, 분말 형태의 펜타센의 질량을 15~60 mg으로 조절하여 활성층의 두께를 조절하였다. 펜타센 증착 후 100도에서 열처리를 하고, 그 후 Shadow Mask를 이용하여 전극을 150nm 증착하였다. 이때 전극은 Au, Al, Ni 세가지 종류를 사용하였다. 펜타센의 질량을 조절하여 증착한 활성층의 두께는 60 mg일 때 약 60 nm, 45 mg일 때 약 45 nm로 1:1의 비율로 올라가는 것을 확인 할 수 있었고, 펜타센의 두께가 30 nm일 때 특성이 가장 잘 나오는 것을 볼 수 있었다. 펜타센의 두께가 두꺼울수록 게이트에서 인가되는 전압의 필드가 제대로 걸리지 않아 특성이 나쁘게 나온 것으로 보인다. 또한 활성층을 30 nm로 고정하고 전극의 종류를 바꿔가며 전기적 특성(캐리어 이동도, 문턱전압, 전달특성 등)을 측정 했을 때 전극으로 Al보다는 Au와 Ni를 사용했을 때 전기적 특성이 더 우수하게 나오는 것을 볼 수 있었다. 메탈과 펜타센과의 일함수 차이에 따른 결과로 보여진다.

• 한국진공학회:학술대회논문집
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• 한국진공학회 2011년도 제40회 동계학술대회 초록집
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• pp.95-95
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• 2011

비정질 산화물 반도체(Amorphous oxide semiconductors: AOSs)는 대면적화에도 불구하고 높은 이동도를 가지고, 상온에서도 제작할 수 있고, 투명 플렉시블 디스플레이 소자에 사용할 수 있기 때문에 최근 들어 각광받고 있는 연구 분야이다. 본 연구에서는 스퍼터링을 이용하여 활성층을 Amorphous indium gallium zinc oxide(a-IGZO)로 증착할 시에 스퍼터의 파워와 챔버내의 Ar/O2 비율을 다르게 했을 때 소자에 미치는 영향을 MIS구조를 이용하여 분석했다. 또한 같은 조건의 a-IGZO 활성층을 사용한 박막트랜지스터(TFT) 소자의 절연막의 종류를 바꿔가며 제작했을때의 소자의 특성 변화에 대해서도 분석하였다. 먼저 60 nm 두께의 a-IGZO층을 Heavily doped된 N형 실리콘 기판위에 스퍼터링 파워와 가스 분압비를 달리하여 증착하였다. 그 후 30 nm두께의 SiO2, Al2O3, SiNx 절연막을 증착하고, 마지막으로 열 증발 증착장비(Thermal Evaporator)를 이용하여 Al 전극을 150nm 증착하였다. 소자의 전기적 특성 분석은 HP4145와 Boonton 720을 사용하여 I-V와 C-V를 측정하였다. 위의 실험으로부터 스퍼터에서의 증착 rf파워가 증가할수록 a-IGZO 박막 트랜지스터에서의 캐리어 이동도가 감소하는 것을 볼 수 있었고, 챔버내의 가스분압비와 소자의 절연막의 종류가 변하면 a-IGZO 박막 트랜지스터의 전기적 특성이 변하는 것을 볼 수 있었다. 이러한 캐리어 이동도의 감소와 전기적 특성의 변화의 이유는 a-IGZO 활성층의 bulk trap과 절연막, 활성층 사이의 interface trap에 의한 것으로 보여진다.