• 제목/요약/키워드: temperature compensation

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45nm CMOS 공정기술에 최적화된 저전압용 이득-부스팅 증폭기 기반의 1.1V 12b 100MS/s 0.43㎟ ADC (A 1.1V 12b 100MS/s 0.43㎟ ADC based on a low-voltage gain-boosting amplifier in a 45nm CMOS technology)

  • 안태지;박준상;노지현;이문교;나선필;이승훈
    • 전자공학회논문지
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    • 제50권7호
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    • pp.122-130
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    • 2013
  • 본 논문에서는 주로 고속 디지털 통신시스템 응용을 위해 고해상도, 저전력 및 소면적을 동시에 만족하는 45nm CMOS 공정으로 제작된 4단 파이프라인 구조의 12비트 100MS/s ADC를 제안한다. 입력단 SHA 회로에는 높은 입력 주파수를 가진 신호가 인가되어도 12비트 이상의 정확도로 샘플링할 수 있도록 게이트-부트스트래핑 회로가 사용된다. 입력단 SHA 및 MDAC 증폭기는 요구되는 DC 이득 및 높은 신호스윙을 얻기 위해 이득-부스팅 구조의 2단 증폭기를 사용하며, 넓은 대역폭과 안정적인 신호정착을 위해 캐스코드 및 Miller 주파수 보상기법을 선택적으로 적용하였다. 채널길이 변조현상 및 전원전압 변화에 의한 전류 부정합을 최소화하기 위하여 캐스코드 전류 반복기를 사용하며, 소자의 부정합을 최소화하기 위하여 전류 반복기와 증폭기의 단위 넓이를 통일하여 소자를 레이아웃 하였다. 또한, 제안하는 ADC에는 전원전압 및 온도 변화에 덜 민감한 저전력 기준 전류 및 전압 발생기를 온-칩으로 집적하는 동시에 외부에서도 인가할 수 있도록 하여 다양한 시스템에 응용이 가능하도록 하였다. 제안하는 시제품 ADC는 45nm CMOS 공정으로 제작되었으며 측정된 DNL 및 INL은 각각 최대 0.88LSB, 1.46LSB의 값을 가지며, 동적성능은 100MS/s의 동작속도에서 각각 최대 61.0dB의 SNDR과 74.9dB의 SFDR을 보여준다. 시제품 ADC의 면적은 $0.43mm^2$ 이며 전력소모는 1.1V 전원전압 및 100MS/s 동작속도에서 29.8mW이다.

고준위 방사성폐기물의 고정화를 위한 Fe­석류석 합성 연구 (Synthesis of Fe­Garnet for tile Immobilization of High Level Radioactive Waste)

  • 채수천;장영남;배인국
    • 한국광물학회지
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    • 제16권4호
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    • pp.307-320
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    • 2003
  • Fe­석류석인 경우, 사면체 배위를 하는 Fe의 이온반경이 Si보다 크기 때문에 고준위 방사성 폐기물에 다량 함유되어 있는 악티나이드 원소들을 고정화시킬 수 있는 매트릭스로 고려되고 있다. 따라서 본 연구에서는 $Ca_{2,5}$C $e_{0.5}$Z $r_2$F $e_3$ $O_{12}$$Ca_2$CeZrFeF $e_3$ $O_{12}$인 조성을 가진 석류석을 합성하여 이들의 상평형 관계 및 특성을 연구하였다. 혼합된 시료는 200∼400 kg/$\textrm{cm}^2$의 압력으로 성형한 후, 1100∼140$0^{\circ}C$ 범위에서 온도 및 분위기를 변화시키면서 소결하였으며 합성된 시료는 XRD, SEM/EDS를 사용하여 상분석과 정량분석을 실시하였다. 실험결과, 이들 조성을 가진 석류석들은 130$0^{\circ}C$로 가열하였을 때, 최적 합성상을 얻을 수 있었지만 소량의 페롭스카이트 등 부수상이 공존하였다. $Ca_{2,5}$C $e_{0.5}$Z $r_2$F $e_3$ $O_{12}$$Ca_2$CeZrFeF $e_3$ $O_{12}$인 조성으로부터 합성된 Fe­석류석의 조성이 각각 $Ca_{2.5­3.2}$C $e_{0.3­0.7}$Z $r_{1.8­2.8}$F $e_{1.9­3.2}$ $O_{12}$$Ca_{2.2­2.5}$C $e_{0.8­1.0}$Z $r_{1.3­1.6}$F $e_{0.4­.07}$ F $e_{3­3.2}$ $O_{12}$였다. 특히 화학양론적 조성과 비교시, 합성된 석류석의 8배위 자리를 점하고 있는 Ca이 초과된 양상을 보였고, Ce의 함량은 초과 또는 결핍된 양상을 보였다. 이는 8배위 자리에서의 Ca과 Ce의 이온반경의 상대적인 차이 및 전하보상적 차원에서 비롯된 것으로 해석된다.에서 비롯된 것으로 해석된다.

물푸레나무와 들메나무엽(葉)의 광합성(光合成)과 호흡(呼吸)의 특성(特性) (Characteristics of Photosynthesis and Respiration in Fraxinus rhynchophylla Hance and Fraxinus mandshurica Rupr. Leaves)

  • 한상섭;심주석
    • 한국산림과학회지
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    • 제78권3호
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    • pp.280-286
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    • 1989
  • 물푸레나무와 들메나무의 광합성(光合成)과 호흡(呼吸)의 특성(特性)을 밝히기 위하여 본 연구(硏究)에서는 묘포장(苗圃場)의 폿트에서 생육(生育)시킨 3년생묘목(年生苗木)에 대하여 광(光), 온도(溫度), 수분(水分)의 변화(變化)에 따른 광합성속도(光合成速度)와 호흡속도(呼吸速度)의 변화(變化), 그리고 그들의 계절변화(季節變化)를 측정비교(測定比較)하였다. 그 결과(結果)를 요약(要約)하면 다음과 같다. 1. 광보상점(光補償點)은 물푸레나무엽(葉)이 $35{\mu}Em^{-2}{\cdot}s^{-1}$, 들메나무엽(葉)이 $28{\mu}Em^{-2}{\cdot}s^{-1}$였다. 광포화점(光飽和點)은 두수종(樹種) 모두 $700{\mu}Em^{-2}{\cdot}s^{-1}$였다. 2. 최대광합성속도(最大光合成速度)는 물푸레나무엽(葉)이 $25^{\circ}C$. 들메나무엽(葉)이 $20^{\circ}C$ 정도에서 일어났다. 3 물푸레나무엽(葉)은 -13bar, 들메나무엽(葉)은 -10bar에서 순광합성속도(純光合成速度)의 초기감소(初期減少)가 시작되었고 물푸레나무엽(葉)은 -29bar, 들메나무엽(葉)은 -23bar 부터 순광합성속도(純光合成速度)가 0에 가까와 지기 시작했다. 4. 엽(葉)의 암호흡속도(暗呼吸速度)는 두수종(樹種) 모두 $10{\sim}40^{\circ}C$온도역(溫度域)에서 비슷한 값을 나타냈으며, -10bar의 수분결차(水分缺差)에서부터 증가(增加)하다가, -28bar 이하에서는 현저한 감소(減少)가 일어났다. 5. 엽(葉)의 순광합성속도(純光合成速度)는 6월(月)까지는 들메나무가 높았으나 이후는 물푸레나무가 높았다. 엽(葉)의 암호흡속도(暗呼吸速度)는 6~8월(月)에는 물푸레나무가 높았으나 그후는 비슷한 값을 나타냈다. 6. 줄기와 뿌리의 호흡속도(呼吸速度)는 두수종(樹種) 모두 4월(月)에 가장 높았으며 전생장계절(全生長季節)동안 물푸레나무가 들메나무 보다 높았다.

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위성통신용 전력제어 고출력증폭기의 구현 및 성능평가에 관한 연구 (A Study on Implementation and Performance of the Power Control High Power Amplifier for Satellite Mobile Communication System)

  • 전중성;김동일;배정철
    • 한국정보통신학회논문지
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    • 제4권1호
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    • pp.77-88
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    • 2000
  • 본 논문에서는 INMARSAT-B형 송신기에 사용되는 L-BAND(1626.5-1646.5 MHz)용 3단 가변이득 전력증폭기를 연구 개발하였다. 3단 가변이득 전력증폭기는 구동증폭단과 전력증폭단에 의해 고출력 모드일 때 +42 dBm, 중간출력 모드일 때는 +38 dBm, 저출력 모드일 때는 +34 dBm의 전력으로 증폭되며, 각각에 대해 상한 +1 dBm과 하한 2 dBm의 오차를 허용한다. 제작의 간편성 때문에 전체 3단 가변이득 전력증폭기를 크게 구동증폭단과 전력증폭단 두 부분으로 나누어 구현하였으며, 전력증폭부를 구동하기 위한 구동단은 HP사의 MGA-64135와 Motorola사의 MRF-6401을 사용하였으며, 전력증폭단은 ERICSSON사의 PTE-10114와 PTF-10021을 사용하여 RP부, 온도보상회로, 출력 조절회로 및 출력 검출회로를 함께 집적화 하였다. 이득조절은 디지털 감쇠기를 사용하였으며, 출력신호의 세기를 검출하기 위하여 20 dB 방향성 결합기를 이용하였다. 제작된 3단 가변이득 전력증폭기는 20 MHz대역폭 내에서 소신호 이득이 41.6 dB, 37.6 dB, 33.2 dB 를 얻었으며, 입출력 정재파비는 1.3:1 이하, 12 dBm의 PldB, PldB 출력레벨에서 3 dB Back off 시켰을 때 36.5 dBc의 IM3를 얻었다. 1636.5 MHz 주파수에 대해 출력전력은 43 dBm으로서 설계시 목표로 했던 최대 출력전력 20 Watt를 얻었다.

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×Populus albaglandulosa의 엽령별(葉齡別) 광합성(光合成) (Photosynthesis of ×Populus albaglandulosa in Relation to Leaf Age)

  • 김정석;이석구;선순화
    • 한국산림과학회지
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    • 제34권1호
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    • pp.63-71
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    • 1977
  • ${\times}$Populus albaglandulosa의 용도별(用途別), 입지별(立地別) 단위면적당(單位積面當) 적정(適正) 식재본수(植栽本數)를 임내수광량(林內受光量)으로 예측(豫測)하기 위(爲)하여 포지(圃地)에 인위조절(人爲調節)한 식재밀도하(植栽密度下)에서 우선(于先) 엽령별(葉齡別) 광합성(光合成)을 조사(調査)하여 다음과 같은 결과(結果)를 얻었다. 1. 성숙엽(成熟葉)은 유엽(幼葉)보다 저온(低溫)에서 광합성(光合成)이 시작(始作)되고 $8^{\circ}C$부터는 절대광합성량(絶大光合成量)이 유엽(幼葉)보다 증대(增大)한다. 2. 유엽(幼葉)의 최대광합성(最大光合成) 온도(溫度)는 $30^{\circ}C$정도이고 성숙엽(成熟葉)은 $25^{\circ}C$정도이다. 또한 일반적(一般的)으로 적정(適正) 온도(溫度)($25^{\circ}C$)에서의 절대(絶對) 광합성량(光合成量)은 성숙엽(成熟葉)이 높다. 3. 엽령별(葉齡別) 광포화점(光飽和點)은 다소간(多少間) 차이(差異)는 있으나 대체적(大體的)으로 28~35Klux이다. 4. 포화광(飽和光)에서 광합성(光合成) 속도(速度)는 엽령(葉齡)에 따라 큰 차이(差異)가 있었다. 즉(即) 70일(日) 이상(以上)의 노엽(老葉)은 가장 저하(低下)하여 $1.6\;CO_2\;mg/dm^2/hr$이고 5일(日)과 15일(日), 25일(日)의 유엽(幼葉)은 $1.7{\sim}2.2\;CO_2\;mg/dm^2/hr$이다. 그러나 성숙엽(成熟葉)은 높아서 $2.9{\sim}3.1\;CO_2\;mg/dm^2/hr$이었다. 5. $CO_2$ 보상점(補償點)은 엽령(葉齡) 5일(日)인 유엽(幼葉)이 가장 높고 그리고 엽령(葉齡) 35일(日)의 엽(葉)이 가장 낮았다. 6. 유엽(幼葉)과 노엽(老葉)의 암호흡(暗呼吸) 속도(速度)는 성숙엽(成熟葉)에 비(比)하여 높다. 7. 식재밀도(植栽密度)가 $80cm{\times}80cm$인곳의 임목(林木)은 묘고(苗高)의 $\frac{1}{3}$이상(以上)이고 상대조도(相對照度) 35%이상(以上)인 부위(部位)의 착생엽(着生葉)이 축적성생산엽(畜積性生產葉)이다.

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