• 한국철도학회논문집
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• 제15권3호
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• pp.244-250
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• 2012

본 논문에서는 차세대 고속철도 구동 인버터 시스템의 고조파로 인한 전자기적 소음을 줄이기 위해 RCF-PWM(Random Carrier Frequency Pulse Width Modulation)을 적용한 인버터 구동시스템을 개발하였다. RCF-PWM 방식은 인버터 스위칭 주파수를 전력용 반도체의 최대 스위칭 주파수와 최소 스위칭 주파수 사이에서 임의적으로 변화시키며 PWM을 수행하는 방법이다. 본 연구의 타당성을 확인하기위해서 RCF-PWM이 적용된 차세대 고속전철 시스템을 설계하여 MATLAB/Simulink 기반의 시뮬레이터를 개발하고 이를 이용하여 일정한 스위칭 주파수를 사용하는 정규적인 SVPWM 방식과 RCF-PWM 방식의 시험결과를 비교 분석하였다.

• 대한전기학회:학술대회논문집
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• 대한전기학회 2001년도 학술대회 논문집 전문대학교육위원
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• pp.127-133
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• 2001

In SRM drive, the ON OFF angles of each phase switch should be accurately controlled in order to control the torque and speed stably. The accuracy of the switching angles is dependent upon the resolution of the encoder and the sampling period of the microprocessor, that are used to provide the information of the rotor position and to control the SRM power circuit, respectively. However, as the speed increases, the amount of the switching angle deviation from the preset values is also increased. Therefore, the low cost encoder suitable for the practical and stable SRM drive is proposed and the control algorithm to provide the switching signals using the simple digital logic circuit is also presented in this paper. As a result, a stable high speed SRM drive can be achieved by the high resolution switching angle control and it is verified from the experiments that the proposed encoder and logic controller can be a powerful candidate for the practical low cost SRM drive.

• ETRI Journal
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• 제38권1호
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• pp.133-140
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• 2016

This paper presents a method of parasitic inductance reduction for high-speed switching and high-efficiency operation of a cascode structure with a low-voltage enhancement-mode silicon (Si) metal-oxide-semiconductor field-effect transistor (MOSFET) and a high-voltage depletion-mode gallium nitride (GaN) fielde-ffect transistor (FET). The method is proposed to add a bonding wire interconnected between the source electrode of the Si MOSFET and the gate electrode of the GaN FET in a conventional cascode structure package to reduce the most critical inductance, which provides the major switching loss for a high switching speed and high efficiency. From the measured results of the proposed and conventional GaN cascode FETs, the rising and falling times of the proposed GaN cascode FET were up to 3.4% and 8.0% faster than those of the conventional GaN cascode FET, respectively, under measurement conditions of 30 V and 5 A. During the rising and falling times, the energy losses of the proposed GaN cascode FET were up to 0.3% and 6.7% lower than those of the conventional GaN cascode FET, respectively.

• 한국인터넷방송통신학회논문지
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• 제23권4호
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• pp.143-148
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• 2023

SRM의 특성 중 비선형성으로 인해 최대토크 및 최소 토크 맥동 형성을 위한 적정 운전이 어렵다. 또한 고정 스위칭각 제어 때 속도 가변에 따른 토크 형성이 불안정하여 효율을 저하시키는 문제점을 가지고 있다. 따라서 속도 가변에 따른 능동적인 스위칭각 제어가 필요하다. 본 논문에서는 SRM의 비선형성으로 인한 문제점으로부터 선행각 (Advance angle)의 자동제어에 의한 토크 리플 저감과 이에 따른 출력 토크 향상에 의한 구동 성능개선을 위한 방법에 대해 모색하였다. 또한 히스테리시스 전류제어기 성능에 따른 스위칭 가변으로 인한 SRM의 최적 운전에 대해 살펴보았다.

• 대한전기학회:학술대회논문집
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• 대한전기학회 1996년도 하계학술대회 논문집 A
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• pp.616-618
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• 1996

This paper presents an unipolar PWM which commutated switching device only in a half period. This method reduced switching loss significantly because of decreasing switching number in n period. In high speed motor drive needed high frequency above 300 Hz fundamental frequency, this method is suited very well. This paper described the principle of unipolar PWM method, analyzed harmonic spectrum and compared with bipolar PWM, Modified PWM and Overmodulation method in switching loss.

• 인터넷정보학회논문지
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• 제8권5호
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• pp.161-170
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• 2007

본 논문은 데이터 메모리 평면과 스위칭 평면을 분리하여 패킷 데이터의 저장과 메모리 주소 포인터의 스위칭이 병렬적으로 처리 가능하며 IP 패킷의 가변 길이 스위칭이 가능한 새로운 스위치 구조를 제안한다. 제안한 구조는 기존 VOQ방식의 복잡한 중재 알고리즘이 필요 없으며 출력 큐 방식의 스위치에서만 적용되고 있는 QoS를 입력 큐에서 고려한다. 성능분석 결과 제안한 구조는 기존의 공유 메모리 기반의 구조들에 비해 상대적으로 낮은 평균 지연 시간을 가지며 스위치의 크기가 증가하더라도 일정한 지연 시간을 보장함을 확인하였다.

• 전기학회논문지P
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• 제51권1호
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• pp.10-17
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• 2002

Due to the development of information communication field, the interest of the SMPS(Switched Mode Power Supply) is increased. The size and weight of SMPS are decided by inductor, capacitor and transformer. Thus, the low loss converter which is operated in high speed switching is required. The resonant FB DC-DC converter is able to operate in high speed switching and apply to high power field because the switching loss is low. In this thesis, it is proposed to control strategy for constant output power of resonant FB DC-DC converter in variable input voltage. The proposed control system is a digital I-PD type control and apply to phase-shift resonant type controller. The output voltage tracks reference without steady state error in variable input voltage. The validity of proposed control strategy is verified from results of simulation and experiment.

• 대한전기학회:학술대회논문집
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• 대한전기학회 1994년도 추계학술대회 논문집 학회본부
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• pp.156-158
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• 1994

In recent days, the various adjustable speed drives are widely employed at the industrial applications for the purpose of energy saving and speed control. In particular, for the machine control applications. the switching frequency is required to be increased for better dynamic performance of the drive. Moreover, this also leads to the reduction of the switching loss of the device. For IGBT (Insulated Gate Bipolar Transistor), the most widely used switching device in the inverters below the 100[kW] range, the falling and falling time is of the order about $200{\sim}300[ns]$. Therefore unexpected phenomena occurs such as voltage spikes due to high gradient of current at the switching instant, the weakening of motor insulation due to high gradient of voltage. In this paper, a new voltage gradient suppression technique is presented in both theoretically and experimentally.

• 대한전기학회:학술대회논문집
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• 대한전기학회 1992년도 하계학술대회 논문집 B
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• pp.1133-1135
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• 1992

This paper describes high frequency inverter using zero voltage switching(ZVS). The ZVS operation is achieved to reduce the switching stress and switching loss under high speed switching. The proposed circuit configuration and performance are discussed. Its operation characteristics are evaluated through computer-aided simulation.

• 한국진공학회지
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• 제13권1호
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• pp.14-21
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• 2004

오늘날 전력소자의 작동에 고주파를 사용하기 때문에 에너지 손실을 줄이기 위해 전력소자의 스위칭 속도를 증가시키는 것은 필수적이다. 본 연구에서는 $p^+- n^-$ 접합 다이오드의 스위칭 속도를 증가시킬 목적으로 minority carrier의 수명을 감소시킬 수 있는 전자조사를 실시하였다. 다이오드의 전기적 성질에 대한 전자조사의 효과를 나타냈다. 스위칭 속도는 효과적으로 증가하였다. 또한 증가될 것으로 예상되는 접합 누설 전류와 전자조사 후 정전압강하는 최적 조건의 에너지와 dose량으로 조사된 $p^+- n^-$접합 다이오드에서는 무시할 수 있는 정도로 나타났다. DLTS와 C-V 분석은 실리콘 기판에서 전자조사로 감소된 결함은 0.284eV와 0.483eV의 에너지 준위를 갖는 donor-like 결함인 것을 보여준다. 본 연구에서의 실험 결과를 고려해 보면, 전자조사는 $p^+- n^-$ 접합 다이오드 전력 소자의 스위칭 속도를 증가시켜 에너지 손실을 감소시킬 수 있는 가장 유용한 기술이라고 결론지을 수 있다.