An elastomeric bushing which has been considered in this research is a device used in automotive suspension systems to reduce the forte transmitted iron the wheel to the frame of the vehicle. A bushing is modeled at a hollow cylinder which is bonded to a solid metal shaft at its inner surface and a metal sleeve at its outer surface. Lianis constitutive equation for a nonlinear viscoelastic incompressible material is used to model the elastomeric material of the bushing. It is used to derive a force-displacement relation for axial response of the bushing. The displacement dependent force relaxation function for the bushing is obtained from the ramp displacement control tests with an extrapolation method. This is compared with the exact result obtained from the step displacement control test and the results are in very good agreement.
An experimental research to evaluate the slip coefficients of high-strength friction-type bolt connection of weathering steel plate has been performed in this paper. The test specimens with mill scale or shot blast had been exposed in open air during 3 and 6 months and cleaning of rust surface by hand brushing, power tool brushing and no cleaning was considered. The relaxation of bolt clamping force had also been measured during 600 hours. It was found that slip coefficients increased to the value over 0.6 with exposure except mill scale surface by power tool brushing. The relaxation of bolt tension force in exposed specimens also increased and maximum value reached to about 10%.
Kim, Sa-Rah;Jeong, Jun-Ho;Shin, Sung-Chul;Son, Vo Thanh;Jeon, Bo-Geon;Kim, Cheol-Gi;Jeong, Jong-Ryul
Journal of Magnetics
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v.15
no.1
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pp.12-16
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2010
Combined study of in-situ stress measurements and atomic force microscopy (AFM) revealed drastic stress relaxation in the CoCrPt and PS(styrene)-PVP(vinyl pyridine) polymer hybrid structure that was closely related to the growth structure of the film. We have observed not only no large initial growth stress at the initial stages of film growth but also twice smaller stress in magnitude with opposite sign in the CoCrPt/PS-PVP/Si sample. The microstructural studies using AFM at the various film growth stages revealed that the film growth structure plays an important role in the stress relaxation mechanism of CoCrPt films on a corrugated polymer surface.
The (Sr$_{1-x}$ .Ca$_{x}$)TiO$_{3}$+0.6[mol%]Nb$_{2}$O$_{5}$ (0.05.leq.x.leq.0.2) ceramics were fabricated to form semiconducting ceramics by sintering at about 1350[.deg. C] in a reducing atmosphere(N$_{2}$ gas). Metal oxides, CuO, was painted on the both surface of the specimens to diffuse to the grain boundary. They were annealed at 1100 [.deg. C] for 2 hours. The 2nd phase formed by thermal diffusing from the surface lead to a very high apparent dielectric constant. According to increase of the frequency as a functional of temperature, all specimens used in this study showed the dielectric relaxation, and the relaxation frequency was above 106 [Hz], it move to low frequency with increasing resistivity of grain. The specimens showed three kinds of conduction mechanisms in the temperature range 25-125 [.deg. C] as the current increased: the region I below 200 [V/cm] shows the ohmic conduction. The region rt between 200 [V/cm] and 2000 [V/cm] can be explained by the Poole-Frenkel emission theory, and the region III above 2000 [V/cm] is dominated by the tunneling effect.fect.
The Si$_{1-x}$ Gex/Si surface alloy (x = 0.3, 0.4 and 0.5), which are prepared by solid source MBE and have the SiGe epilayer thickness of 50$\AA$, are annealed with different parameters. The surface structure analyses of the heterostructure samples are made on a triple-axis X-ray diffractometer in grazing incidence X-ray diffraction (GIXRD) geometry. It has been found that with different annealing time (1.5h, 18h, 64h) and annealing temperature (550 $^{\circ}C$, 750 $^{\circ}C$), the SiGe epilayer experienced different strain relaxation process, which was deduced from the GIXRD measurements of the in-plane (220) diffraction peak of Si(001) substrate and the relevant (220) surface diffraction of SiGe epilayer. The results show that the stress relieving and the lateral strain relaxation in the SiGe/Si heterostructure can be promoted by correct annealing, which is very helpful for the preparation of SiGe/Si strained superlattice with fine strain crystallization..
The Ultrasonic Nanocrystal Surface Modification (UNSM) technology improves the fatigue life of a torsion bar by inducing compressive residual stress on the surface layer. The UNSM is applied to replace the presetting method and shot peening technology. The torsion bar must be changed periodically because of a lack of durability and a phenomenon related to the stress relaxation. The torsion fatigue test specimens were made of DIN17221 material, and the results showed that the fatigue life was 5 times more than under durability test conditions. A comparison test between the commercial vehicles' presetting method and shot peened torsion bar and the UNSM torsion bar showed that the UNSM could replace the presetting method and shot peening.
Maxwell displacement current(MDC) measuring technique has been employed to study the dielectric property of Langmuir-films. A method for determining the dielectric relaxation time ${\tau}$ of floating monolayers on the water surface is presented. MDC flowing across monolayers is analyzed using a rod-like molecular model. It is revealed that the dielectric relaxation time ${\tau}$ of monolayers in the isotropic polar orientational phase is determined using a liner relationship between the monolayer compression speed ${\alpha}$ and the molecular area Am. Compression speed ${\alpha}$ was about 30, 40, 50mm/min.
The relaxation process of photogenerated carriers was investigated using conductivity measurement on ZnO under He, $H_2,\; CO_2\; and\; O_2$. The process was well explained with the rate constant of reaction or recombination of hole and electron, $k_h \;and\; k_e ( k_h > k_e)$, respectively. Generally, $k_h$ increased with the pressure of the gases. The slope of $k_h$ with respect to the pressure increased in the order of $H_2{\le}He, while $k_h$ of $O_2$ was sensitive to the history of the sample. The relaxation process on ZnO which was exposed to oxygen at 298 K and 573 K was observed during the illumination at 298 K and it was found that the rate constant of hole decreased with illumination time. From the result, it was suggested that the rate constant of photogenerated excess carriers was affected by the surface barrier of the semiconductor.
We have investigated the electronic structures and magnetism of a full Heusler alloy $Co_2CrGa(001)$ surface by using the all-electron full-potential linearized augmented plane wave (FLAPW) method within the generalized gradient approximation (GGA). We considered two types of different terminations: the Co-terminated (Co-Term) and the CrGa-terminated (CrGa-Term) surfaces. From the calculated layer-projected density of states (LDOS), we found that the surface of the CrGa-Term shows nearly half-metallic character while that of the Co-Term is far from the half-metallic. For the Co-Term, the surface Co atom moves down to the bulk region by $0.05{\AA}A$, while the subsurface Cr and Ga atoms move up to the surface layer by 0.05 and $0.01{\AA}$, respectively. For the CrGa-Term, there is a large inward relaxation of the surface Ga atom $(0.07{\AA})$, but the relaxation of the surface Cr atom is very small $(0.01{\AA})$. The relaxations affect not much to the overall shapes of DOS for both terminations, but make the surface states of the surface Cr and Ga atoms for the CrGa-Term shift to higher energy that enhances the nearly half-metallic character of the CrGa-Term. The magnetic moments of the surface $Cr(2.98{\mu}_B)$ in the CrGa-Term and the surface $Co(1.17{\mu}_B)$ in the Co-Term were much increased compared to those of the inner-layers $(1.79\;and\;0.77{\mu}_B)$, respectively, while that of the subsurface Cr atom in the Co-Term was decreased to $1.19{\mu}_B$.
Transactions of the Korean Society of Mechanical Engineers A
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v.22
no.1
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pp.16-22
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1998
This paper addresses a method which can be used for analyzing thermal stresses of a functionally graded material(FGM) using semi-analytical approach. FGM is a nonhomogeneous material whose composition is changed continuously from a metal surface to a ceramic surface. An infinite one dimensional FGM plate is considered. The temperature distribution in the FGM is obtained by approximate Green's function solution. To expedite the convergence of the solutions, alternative Green's function solution is derived and shows good agreement with results from finite difference method. Thermal stresses are calculated using temperature distribution of the plate.
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[게시일 2004년 10월 1일]
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