• 한국재료학회지
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• 제34권6호
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• pp.303-308
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• 2024

The semiconductor and display industries require the development of plasma resistant materials for use in high density plasma etching process equipment. Yttria (Y₂O₃) is a ceramic material mainly used to ensure good plasma resistance properties, which requires a dense microstructure. In commercial production, a sintering process is applied to reduce the sintering temperature of Y₂O₃. In this study, the effect of the addition of glass frit to the sintered specimen was examined when manufacturing yttria sintered specimens for semiconductor process equipment parts. The Y₂O₃ specimen was shaped into a Ø50 mm size and then sintered at 1,600 ℃ for 1~8 h. The characteristics, X-ray diffraction pattern, densities, contraction rate of the specimen, and swelling of the surface of the Y₂O₃ specimens were investigated as a function of the sintering time and glass frit addition. The Y₂O₃ specimen exhibited a density of over 4.9 g/cm³ as the sintering time increased, and the swelling phenomenon characteristics were improved by glass frit, by controlling particle size.

• 대한치과보철학회지
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• 제46권5호
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• pp.520-527
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• 2008

목적: 이 연구는 산부식 대신 레이저로 표면처리를 하였을 때 복합레진과의 전단결합강도에 어떤 영향을 주는지 알아보기 위해 시행되었다. 재료 및 방법: 치아 우식증이 전혀 없는 건전한 최근에 발치된 대구치를 레진으로 매몰하고 상아질을 노출시킨 뒤 표면연마를 시행하 였다. 치아는 10개씩 4그룹으로 나누었다. 1) 아무 처리도 하지 않은 군, 2) 35% 인산으로 산부식한 군, 3) Er:YAG laser 레이저 처리된 군, 4) Er,Cr:YSGG laser로 처리된 군. 시편에 상아질 접착제 Single Bond2 (3M/ESPE)를 도포하고, 직경 3 mm, 높이 3 mm의 투명한 플라스틱관을 치아면 위에 두고 복합레진을 축성하였다. 모든 시편은 24시간동안 $37^{\circ}C$증류수에 보관 후 만능시험기를 이용하여 전단결합강도를 측정하였다. 결과: 레이저 처리시 각각 Er:YAG 레이저 처리는 $3.98{\pm}0.88$ MPa, Er,Cr:YSGG 레이저 처리는 $3.70{\pm}1.55$ MPa의 결합강도를 보였고, 통계적으로 유의한 차이를 나타내지 않았다. 아무 처리도 하지 않은 군의 결합강도는 $1.52{\pm}0.42$ MPa로 가장 낮은 결합강도를 나타내었고, 산처리를 한 군이 $7.10{\pm}1.86$ MPa로 가장 높은 전단결합강도를 보였으며, 이들은 레이저 처리한 군과 비교시 통계적으로 P < .001 유의수준에서 유의한 차이가 있는 것으로 나타났다. 결론: 치아와 레진의 전단결합강도 비교시 레이저 처리는 아무 처리도 않은 군에 비해서는 높지만 인산 etching보다 그 결합력이 떨어진다.

• Restorative Dentistry and Endodontics
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• 제24권2호
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• pp.310-321
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• 1999

In this in vitro study, confocal laser scanning microscopic morphology of dentin-resin interface and its relationship to shear bond strength were investigated after the exposed dentin surfaces were treated with 3 different kinds of dentin adhesive systems[three-step; Scotchbond Multi-Purpose Plus(SMPP), self-priming bonding resin; Single Bond(SB), self-etching primer; Clearfil Liner Bond 2(LB2)]. 52 extracted human molar teeth without caries and/or restorations. The experimental teeth were randomly divided into three groups of seventeen teeth each. In five teeth of each group, class V cavities(depth: 1.5mm) with 900 cavosurface angles were prepared at the cementoenamel junction on buccal and lingual surfaces. Bonding resins of each dentin adhesive system were mixed with rhodamine B. Primer of SMPP was mixed with fluorescein. In group 1. the exposed dentin was conditioned with etchant, applied with above primer and bonding resin of SMPP. In group 2, with etchant and self-priming bonding agent of SB. In group 3, with self-etching primer and bonding agent of LB2. After treatment with dentin adhesive systems, composite resin were applied and photocured. The experimental teeth were cut longitudinally through the center line of restoration and grounded so that about $90{\mu}m$-thick wafers of buccolingually orientated dentin were obtained. And, $70{\sim}80{\mu}m$-thick wafers sectioned horizontally, thus presenting a dentinal tubules at 900 to the cut surface of a remaining tooth, were obtained. Primer of SMPP mixed with rhodamine B was applied to these wafers. Confocal laser scanning microscopic investigations of these wafers were done within of 24 hours after treatment. To measure shear bond strength, the remaining twelve teeth of each group were grounded horizontally below the dentinoenamel junction, so that no enamel remained. After applying dentin adhesive systems on the dentin surface, composite was applied in the shape of cylinder. The cylinder was 5mm in diameter, and 2mm in thickness. Shear bond strength was measured using Instron with a cross-head speed of 0.5mm/min. It was concluded as follows ; 1. Hybrid layer of SMPP(mean: $4.56{\mu}m$) was thicker than that of any other groups. This value was not statistically significant thicker than that of SB(mean: $3.41{\mu}m$, p>0.05), and significant thicker than that of LB2(mean: $1.56{\mu}m$, p<0.05). There was a statistical difference between SB and LB2(p<0.05). 2. Although there were variations in the length of resin tag even in a sample, and in a group, most samples in SMPP and SB showed resin tags extending above $20{\mu}m$. But samples in LB2 showed resin tags of $10{\mu}m$ at best. 3. Besides primer's infiltration into demineralized peritubular dentin and dentinal tubules, fluorophore of primer was detected in the lateral branches of dentinal tubules. 4. All groups demonstrated statistically significant differences from one another(p<0.05), with shear bond strengths given in descending order as follows: SMPP(18.3MPa), SB(16.0MPa) and LB2(12.4MPa). 5. LB2 having thinnest hybrid layer($1.56{\mu}m$) showed the lowest shear bond strength(12.4MPa).

• 한국결정성장학회지
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• 제34권4호
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• pp.109-116
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• 2024

β-Ga₂O₃는 4.9 eV의 넓은 밴드갭과 8 MV/cm의 높은 항복전압으로 전력 소자 응용 분야에서 많은 관심을 받고 있는 대표적인 UWBG(Ultra-wide Band-gap) 반도체이다. 또한 용액 성장이 가능하기 때문에 SiC, GaN에 비해 성장 속도가 빠르고 생산 비용이 저렴하다는 장점이 있다[1,2]. 본 연구에서는 EFG(Edge-defined Film-fed Growth) 법을 통해 Si 도핑 된 β-Ga₂O₃ 단결정을 성장시키는 데에 성공하였다. 성장 방향과 성장 주 면은 각각 [010] / (001)로 설정하였으며 성장속도는 7~20 mm/h이다. 성장시킨 β-Ga₂O₃ 단결정은 다양한 결정 면 방향(001, 100, ${\bar{2}}01$)과 off-angle(1^o, 3^o, 4^o)에 따라 절단하여 표면 가공을 진행하였고, 가공 후 HVPE(Halide vapor phase epitaxy) 법을 이용해 epi-ready 기판 위에 homoepitaxial 층을 성장시켰다. 가공 후의 샘플과 epi-layer를 성장시킨 샘플을 XRD, AFM, OM, Etching 등의 분석을 통해 결정면과 off-angle에 따른 표면 특성을 비교하였다.

• Korean Chemical Engineering Research
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• 제44권6호
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• pp.588-596
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• 2006

폴리스티렌 막(polystyrene membrane, PS)의 표면을 Ar, $O_2$ 플라즈마로 처리하고, 처리 전후의 변화를 관찰하였고, $CO_2$, $N_2$의 투과도와 $N_2$에 대한 $CO_2$의 선택도는 연속흐름 기체 투과 분석장치(GPA)를 이용하여 측정하였다. Ar플라즈마 처리의 경우 O/C비율이 0에서 0.179로 증가하고, 표면 거칠기가 $15.86{\AA}$에서 $71.64{\AA}$로 증가함으로써 접촉각은 처리전의 $89.16^{\circ}$에서 $18.1^{\circ}$로 감소하였다. 따라서 플라즈마 처리는 막표면을 높은 친수성을 갖도록 만들었다. $CO_2$의 투과도와 선택도에 대한 Ar플라즈마 처리최적조건은 60 W, 2 min, $70^{\circ}C$이며, 투과도와 선택도는 각각 $2.1{\times}10^{-12}[m^3(STP){\cdot}m/m^2{\cdot}sec{\cdot}atm]$와 4.51이었다. $O_2$플라즈마 처리의 경우에, 접촉각은 O/C비율(0.189)과 표면 거칠기($57.10{\AA}$)의 증가에 의해 $13.56^{\circ}$로 감소하였다. 최적의 처리조건은 90 W-2 min-$70^{\circ}C$이며, 값 $7.1{\times}10^{-12}[m^3(STP){\cdot}m/m^2{\cdot}sec{\cdot}atm]$와 값 11.5이었다. 플라즈마 처리 후 막 표면의 변화는 표면에서의 교차결합과 식각효과의 경쟁적인 관계에 의해 결정된다. 결국 플라즈마 처리된 막의 투과도와 선택도가 플라즈마 기체, 처리시간, 출력세기등과 같은 플라즈마 상태를 제어함으로써 향상되었음을 확인할 수 있었다.

• 대한전자공학회논문지SD
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• 제38권12호
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• pp.8-13
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• 2001

$CeO_2$ 박막은 강유전체 메모리 디바이스 응용을 위한 금속-강유전체-절연체-실리콘 전계효과 트랜지스터 구조에서의 강유전체 박막과 실리콘 기판 사이의 완충층으로서 제안되어지고 있다. 본 논문에서는 $CeO_2$ 박막을 유도 결합 플라즈마를 이용하여 $Cl_2$/Ar 가스 혼합비에 따라 식각하였다. 식각 특성을 알아보기 위한 실험조건으로는 RF 전력 600 W, dc 바이어스 전압 -200 V, 반응로 압력 15 mTorr로 고정하였고 $Cl_2$($Cl_2$+Ar) 가스 혼합비를 변화시키면서 실험하였다. $Cl_2$/($Cl_2$+Ar) 가스 혼합비가 0.2일때 $CeO_2$ 박막의 식각속도는 230 ${\AA}$/min으로 가장 높았으며 또한 $YMnO_3$에 대한 $CeO_2$의 선택비는 1.83이였다. 식각된 $CeO_2$ 박막의 표면반응은 XPS와 SIMS를 통해서 분석하였다. XPS 분석 결과 $CeO_2$ 박막의 표면에 Ce와 Cl의 화학적 반응에 의해 CeCl 결합이 존재함을 확인하였고, 또한 SIMS 분석 결과로 CeCl 결합을 확인하였다. $CeO_2$ 박막의 식각은 Cl 라디칼의 화학적 반응의 도움을 받으며 Ce 원자는 Cl과 반응을 하여 CeCl과 같은 혼합물로 $CeO_2$ 박막 표면에 존재하며 이들 CeCl 혼합물은 Ar 이온들의 충격에 의해 물리적으로 식각 되어진다.

• 대한치과교정학회지
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• 제28권5호
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• pp.689-698
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• 1998

법랑질의 표면처리에 따른 광중합형 글래스아이오노머 시멘트의 전단결합강도를 알아보고자 사람 소구치 80개를 선택하여 8개군으로 나누어 전단 결합 강도를 측정하고, 접착 파절의 양상을 평가하여 다음과 같은 결과를 얻었다. $1.37\%$ 인산용액으로 부식한 후 건조상태에서 글래스아이오노머 시멘트, 광중합형 레진, 화학중합형 레진으로 각각 부착한 실험군에서 글래스아이오노머 시멘트 실험군의 전단결합강도는 두 군과 유의한 차가 없었으나 화학중합형 레진군의 그것은 광중합형 레진군에 비해 유의성있게 낮았다 (p<0.05). $2.37\%$ 인산 실험군, $10\%$ 폴리 아크릴산 실험군, $1.23\%$ APF 실험군, 산처리하지 않은 실험군의 습한 상태에서 부착한 글래스아이오노머 시멘트의 전단결합강도에서 산처리하지않은 실험군의 그것이 유의성 있게 낮았으며, 그 외 군간에는 유의성 있는 차이가 없었다 (p<0.05). 3. 글래스아이오노머 실험군에서 습기의 존재가 전단결합강도에 유의성 있는 영향을 미치지 않았다 (p<0.05). 4. 산부식처리를 하지않은 군의 접착제 잔류지수가 가장 낮았으며 $37\%$인산용액으로 처리한 군의 접착제 잔류지수가 가장 높았다.

• 한국진공학회지
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• 제20권1호
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• pp.7-13
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• 2011

자기조립화된 Fe/Au 이중층 위에 $L1_0$형 구조를 갖는 FePd 나노 점을 성공적으로 제작하였다. AFM를 이용하여 초기에 편평한 Fe/Au 이중층 박막이 온도가 증가함에 따라서 응집되어 나노 점 구조로 변형되는 것을 확인하였다. 또한 형성된 이중층위에 FePd 다층막을 $300^{\circ}C$, $350^{\circ}C$, $400^{\circ}C$, $450^{\circ}C$에서 각각 증착하였다. 초격자 구조를 갖는 FePd 다층막의 표면형상은 응집현상에 의하여 자기조립화된 이중층의 형상과 유사하였다. XRD 측정결과, $350^{\circ}C$ 이상에서 열처리된 FePd 다층막은 $L1_0$형 구조를 갖는다는 것을 확인하였다. 그리고 박막두께에 따른 XPS 측정결과는 전체 박막의 화학적 조성이 증착순서와 일치하는 것을 보여주었다. 결과적으로 추가적인 식각공정 없이 화학적으로 규칙화된 FePd 초격자 나노 점의 제작에 성공하였다.

• 대한소아치과학회지
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• 제44권3호
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• pp.341-349
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• 2017

혈액 오염 처리 과정은 교정용 브라켓 부착 성공에 중요한 요소이다. 본 연구의 목적은 교정용 브라켓 접착 중 발생할 수 있는 오염 처리 과정에 따른 영향을 알아보고자 함이다. 이에 프라이머 광중합 전과 후에 혈액 오염이 되었을 때 세척 방법에 따라 전단 결합 강도에 미치는 영향을 평가해보고, 접착 파절 형태 및 표면 양상을 주사전자 현미경을 이용하여 관찰해보고자 하였다. 50개의 소구치를 대상으로, I군은 대조군으로 전통적인 산부식 방법으로 부착하였다. II군과 III군은 프라이머 광중합 전에, IV군과 V군은 프라이머 광중합 후에 혈액 오염이 일어난 군으로 나누었다. 또한 II군과 IV군은 코튼 펠렛만 이용하여, III군과 V군은 수세 후 코튼 펠렛을 이용하여 세척하였다. 그 결과 평균 전단 결합 강도는 I군, V군, III군, II군 그리고 IV군 순으로 나타났다. 또한 주사 전자 현미경 사진 상에서 수세 후 코튼 펠렛으로 닦은 군이 코튼 펠렛으로만 처리한 군에 비해 균일한 산부식 표면을 보였다. 접착제 잔류지수는 대조군과 실험군 간에 유의차가 있었다(p < 0.05).

• 전기화학회지
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• 제5권3호
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• pp.111-116
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• 2002

묽은 불산용액에서 Si(111) 산화막 (SiOx) 표면을 전기화학적으로 에칭할 때 생성되는 Si(111)-H 표면변화를 전기화학적 주사터널링현미경을 사용하여 조사하였다. pH가 4.7인 0.2M $NH_4F$ 용액에서 순환전압전류곡선은 순환 횟수가 증가할수록 양극 암전류가 감소하였고 두 번 이상 순환한 시료의 암전류는 일정한 형태의 전압전류곡선을 나타냈다. 이때 표면은 모든 SiOx층이 벗겨져 수소말단화된 구조를 가졌으며, 그 이후 순환에서는 생성된 Si(111)-H 표면의 이중 수소결합이 없어지는 step-flow반응이 일어나, 표면이 단일수소결합을 가지는 [112]모서리의 안정한 삼각형 모양을 나타냈으며 또한 생성된 삼각형 흠의 깊이가 점차 깊어졌다. 일정전압법에서는 초기에 큰 양극 암전류 최고 값을 나타낸 후, 시간에 따라 양극 암전류가 감소하였다. 양극 암전류 최고 값 후. 표면의 모든 SiOx가 벗겨졌으며 이후 양극 암전류는 작은 값을 띠면 조금씩 더 낮아졌다. 이 낮아지는 양극 암전류 역시 이중수소 결합의 step-How반응에 안정한 단일수소결합의 [112]모서리 생성에 의해 나타난다. pH 4.7인 0.2M $NH_4F$용액중의 Si(111)-H표면에 +0.4V를 가할 때 진행되는 에칭반응의 메커니즘에 관해서 논하였다.