Oxygen plasma has been treated on the surface of indium-tin-oxide (ITO) to improve the efficiency of the organic light-emitting diodes (OLEDs) device. The plasma treatment was expected to inject the holes effectively due to the control of an ITO work-function and the reduction of surface roughness. To optimize the treatment condition, a surface resistance and morphology of the ITO surface were investigated. The effect on the electrical properties of the OLEDs was evaluated as a function of oxygen plasma powers (0, 200, 250, 300, and 450 W). The electrical properties of the devices were measured in a device structure of ITO/TPD/Alq3/BCP/LiF/Al. It was found the plasma treatment of the ITO surface affects on the efficiency of the device. The efficiency of the device was optimized at the plasma power of 250 W and decreased at higher power than 250 W. The maximum values of luminance, luminous power efficiency, and external quantum efficiency of the plasma treated devices increase by 1.4 times, 1.4 times, and 1.2 times, respectively, compared to those of the non-treated ones.
The conductive polymers, polyaniline (PANI) emeralidin base and 3,4-polyethylene dioxythiophene(PEDOT) were synthesized and coated on the PET film dealt with acryl type primer to study the electromagnetic shielding effectiveness. When both PANI and PEDOT were coated on the PET film dealt with acryl type priemer, their surface properties such as he adhesive increased. For PANI, when blended with the binder such as PMMA, it adhesive and surface hardness increased, too. The visible light transmittance decreased, while the electromagnetic shielding effectiveness increased, when coated thickness of PANI and PEDOT increased. For PANI, the electromagnetic shielding effectiveness increased as its surface resistance decreased. For PANI, when the surface resistance was 140 Ω/$\square$, the shielding effectiveness was found to be 11 dB in the far field, and 13 dB in the near field at 1 GHz. For PEDOT, when the surface resistance was 200 Ω/$\square$, the shielding effectiveness was found to be 3 dB in the far field, and 7dB in the near field.
In this study, we propose the application of doping process technology for atmospheric pressure plasma. The plasma treatment means the wafer is warmed via resistance heating from current paths. These paths are induced by the surface charge density in the presence of illuminating Argon atmospheric plasmas. Furthermore, it is investigated on the high-concentration doping to a selective partial region in P type solar cell wafer. It is identified that diffusion of impurities is related to the wafer temperature. For the fixed plasma treatment time, plasma currents were set with 40, 70, 120 mA. For the processing time, IR(Infra-Red) images are analyzed via a camera dependent on the temperature of the P type wafer. Phosphorus concentrations are also analyzed through SIMS profiles from doped wafer. According to the analysis for doping process, as applied plasma currents increase, so the doping depth becomes deeper. As the junction depth is deeper, so the surface resistance is to be lowered. In addition, the surface charge density has a tendency inversely proportional to the initial phosphorus concentration. Overall, when the plasma current increases, then it becomes higher temperatures in wafer. It is shown that the diffusion of the impurity is critically dependent on the temperature of wafers.
This paper describes the influence of Ultra-violet irradiation on time to tracking resistance of epoxy insulating materials by use of the inclined plane test. And, the influence of surface degradation was evaluated through several method such as measurement of contact angle, surface roughness, using a scanning electron microscopy. As the 1000 hours of the surface degradation with UV-CON, the flashover time decreases at different rates depending on epoxy resin and silicone rubber specimen. As the duration of the surface degradation with UV-CON is prolonged, the contact angle of epoxy resin decreases at the rate of degradation time, while that of silicone rubber was not exchanged. It is assumed that this phenomenon is related to the decrease in hydrophobicity of the surface of the materials. Also, as to epoxy resin, the decrease of hydrophobicity due to surface degradation with UV-CON is greater than that resulting from surface degradation with WOM. The UV radiation produced chalking and crazing on the surface of the insulating materials specimen.
The electrical contact resistance is here estimated using the multiscale microcontact distribution of elastic contact between rough surfaces, simulated from the Archard's model, and the electrical contact conduction theory suggested by Greenwood. These analysis confirms that the electrical contact resistance is converged to a values, larger than would be obtained if the contact spots were widely separated and hence independent. In multiscale process, the base potential is close to the value of the potential difference between the contact surface and the extremity of body, suggesting a possibility to obtain the multiscale electrical contact resistance relations.
CNT (carbon nanotube) resistors with low resistance and negative TCR (temperature coefficient of resistance) were fabricated with yarned CNT (carbon nanotube) fibers. The CNT fibers were prepared by yarning CNTs grown on the silicone substrate by CVD (chemical vapor deposition) method. The CNT resistors were fabricated by winding CNT fibers on the surface of ceramic rod. Both metal terminals were connected with the CNT fiber wound on the ceramic rod. We measured electrical resistance and thermal stability with the number of CNT fibers wound. The CNT resistor system shows linearly decreased resistance with the number of CNTs wound on the ceramic rod and saturated at 20 strands. The CNT resistor system has negative TCR between $-1,000{\sim}-2,000ppm/^{\circ}C$ and stable frequency properties under 100 kHz.
International Journal of Concrete Structures and Materials
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제9권1호
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pp.119-132
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2015
Electrical resistivity is an important physical property of portland cement concrete which is directly related to chloride induced corrosion process. This study examined the electrical surface resistivity (SR) and bulk electrical resistivity (BR) of concrete cylinders for various binary and ternary based high-performance concrete (HPC) mixtures from 7 to 161 days. Two different types of instruments were utilized for this investigation and they were 4 point Wenner probe meter for SR and Merlin conductivity tester for bulk resistivity measurements. Chronological development of electrical resistivity as well as correlation between two types of resistivity on several days was established for all concrete mixtures. The ratio of experimental surface resistance to bulk resistance and corresponding resistivity was computed and compared with theoretical values. Results depicted that bulk and SR are well correlated for different groups of HPC mixtures and these mixtures have attained higher range of electrical resistivity for both types of measurements. In addition, this study presents distribution of surface and bulk resistivity in different permeability classes as proposed by Florida Department of Transportation (FDOT) specification from 7 to 161 days. Furthermore, electrical resistivity data for several HPC mixtures and testing procedure provide multiple promising options for long lasting bridge decks against chloride induced corrosion due to its ease of implementation, repeatability, non-destructive nature, and low cost.
접지저항의 측정은 접지계통의 접지성능이 적정한가를 평가하기 위한 가장 기본적이고 중요한 작업이라고 할 수 있다. 그러나 실제 현장에서, 특히 접지극의 크기가 큰 경우일수록 접지저항을 정확히 측정하기란 쉽지 않은데, 이는 정확한 접지전위 측정을 위한 기준전위 점을 찾기가 힘들기 때문이다. 본 논문에서는 접지극 주변에서 측정한 지표면전위를 분석하여 기준전위 점의 위치를 정확히 식별하는 방법과 그 정당성을 제시하였다.
자체-감지능 있는 다기능성 나노복합소재를 위해, 투명하고 전도성 있는 카본나노튜브 (CNT)로 코팅된 폴리에틸렌 테레프탈레이트(PET)를 함침 방법으로 제조하였다. CNT 코팅의 전기적 광학적 특정의 변화는 함침 횟수와 CNT용액의 농도에 주로 의존하였다. 결과적으로, CNT 코팅의 표면저항과 투과도는 제조공정의 변수들에 따라 예민하게 조절되었다. CNT 코팅의 표면저항은 4점법과 이중 배열법에 의해 측정되었으며, 광학적 투과도는 UV 스펙트럼을 사용하여 평가하였다. CNT 코팅의 표면특성을 측정한 정적 및 동적 접촉각은 상호 일치함을 보여주었다. 함침 코팅수가 증가함에 따라, CNT코팅한 PET의 표면저항은 현저하게 저하했으나, 투명도는 CNT 네트워크의 특성으로 거의 감소하지 않았다. CNT와 인듐틴옥사이드 (ITO)의 계면 및 전기적 특성들은 피로 시험을 통하여 비교하였다. CNT는 2000회 반복 후에도 표면저항의 변화가 없는 반면에, ITO는 1000회 반복까지 표면저항의 급격한 증가를 보여주었다가 안정화하였다. 이는 형상비가 큰 CNT는 전기 접촉점을 계속 유지하는 반면에, 취성이 있는 ITO는 미세 균열이 발생하여 전지 접촉점을 많이 상실하기 때문이다.
ZnO:Al thin films were deposited on glass substrate by RF magnetron sputtering followed by in situ heat treatment in the same chamber. Effects of in situ heat treatment on properties of ZnO:Al thin films were investigated in this study. As heat treatment temperature was increased, crystal quality was improved first and then it was deteriorated, surface roughness was decreased, and sheet resistance was also decreased. The decrease in sheet resistance was caused by increasing carrier concentration due to decreased surface roughness. The decrease in surface roughness resulted in increase of transmittance. Therefore, in situ heat treatment is an effective method for obtaining films with better electrical characteristics.
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[게시일 2004년 10월 1일]
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