In this study we investigated the acting characteristics of Polymers for electrical insulation by UV radiation and salt water spray treatment. We used the Polymers such as EPDM, SR. PTFE. EVA. We measured contact angle and surface resistance to know the aging characteristic of Polymer surface. And we use SEM to observe the change of the surface shape. Dry flashover voltage test impulse voltage test were carried for the polymer insulator(EVA) . Through this experiment and the analysis we could know the polymers have a good resistance to weathering conditions like as salt spray UV irradiation and mix of them. And we can compare the aging characteristics between Polymers. As a result, we could know that the surface characteristics of PTFE is better than the other. And the degree, electrical characteristics is affected by change of surface shape is not big.
The plasma and microwave surface treatments of carbon nanotubes that loaded on plastic substrates were carried out with expecting a change of carbon nanotube dispersion by increasing treatment time. The microwave treatment process was undergone by commercial microwave oven (800 W). The electrical property was measured by hall measurement and resistance was increased by increasing $O_2$ flow rate of plasma, suggesting an improvement of carbon nanotube dispersion and a possibility of controlling the resistances of carbon nanotubes by plasma surface treatment. The resistance was increased in both polyethylene terephthalate and polyimide substrates by increasing $O_2$ flow rate. Resistance changes only slightly with different $O_2$ flow treatment in measure rho for all polyimide samples. Sheet resistance is lowest in polyimide substrate not due to high carbon nanotube loading but due to tendency to remain in elongated structure. $O_2$ or $N_2$ plasma treatments on both polyethylene terephthalate and polyimide substrates lead to increase in sheet resistance.
In this study, the surface properties of PET film were analyzed after plasma surface treatment. After plasma treatment of surface roughness and XPS were evaluated to analyze the chemical property, while the surface potential decay and surface resistance rate was measured to analyze the electric관 characteristic. When plasma discharge treatment was conducted for less than 10 minutes, the electrical insulating property was improved by evaporation of low molecular weight materials and cleaning of surface. However, when the treatment was conducted for more than 10 minutes, the insulating property was decreased due to excessive discharge energy. Analyses of chemical characteristics showed that 10-minute treatment resulted in increase of C-O and O=C-O bonds. However, when treated for more than 10 minutes. they were relatively decreased.
Kannan, P.;Sivakumar, M.;Mekala, K.;Chandrasekar, S.
Journal of Electrical Engineering and Technology
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제10권1호
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pp.355-363
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2015
HVDC technology has become popular as an economic mode of bulk power transmission over very long distances. Polymeric insulators in HVDC power transmission lines are affected by surface tracking and erosion problems due to contamination deposit, which pose a greater challenge in maintaining the reliability of the HVDC system. In addition, polymeric insulators are also naturally affected by aging due to various environmental stresses, which in turn accelerates the surface tracking and erosion problems. Research works towards the improvement of tracking and erosion resistance of polymeric insulators by adding nano-sized fillers in the base material are being carried out worldwide. However, surface tracking and erosion performance of nano-filled aged polymeric insulators for HVDC applications are not well reported. Hence, in the present work, tracking and erosion resistance of the nano $Al(OH)_3$ filled silicone rubber insulation material has been evaluated under DC voltages at different filler concentrations and aged conditions, as per IEC 60587 test procedures. Leakage current and contact angle measurements were carried out to understand the surface hydrophobicity. Moving average technique was used to analyze the trend followed by leakage current. Water aged specimen shows less tracking resistance when compared with thermal aged specimen. It is observed that nano-filler concentration of 5% is even sufficient to get better tracking/erosion resistance under DC voltages.
Chakrabarty K.;Mangalaraj D.;Kim K. H.;Dhungel S. K.;Park J. H.;Singh S. N.
Transactions on Electrical and Electronic Materials
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제4권4호
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pp.22-25
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2003
High series resistance due to the presence of glass frit is one of the major problems for screen printed silicon solar cells. Cells having electrical parameters below the prescribed values are usually rejected during solar module fabrication. Therefore, it is highly desirable to improve the electrical parameters of the silicon solar cells and thereby to increase the overall production yield. It was observed that, the performance of low quality mono-crystalline silicon solar cells made by standard screen printing technology could be improved remarkably by novel surface treatment. We have chemically treated the surface using sodium hydroxide (NaOH) and silver nitrate ($AgNO_3$) solutions. NaOH treatment helps to reduce the series resistance by decreasing the presence of excess glass frit on the top silver grid contact. The $AgNO_3$ treatment is used to reduce the series resistance comes from the deposition of silver on the grids by filling the holes present (if any) within the grid pattern.
A Ni-W thin-film was synthesized by electrodeposition, and its corrosion resistance and electrical surface conductivity were investigated. Amount of tungsten in the Ni-W thin-film increased linearly with current density during the electrodeposition, and crack-free and low-crystalline Ni-21 at.%W coating layer was obtained. Corrosion resistances of the Ni-W thin-films were examined with an anodic polarization method and a storage test in a strong sulfuric acid solution. As a result, the Ni-21 at.%W thin-film exhibited the greatest corrosion resistance, and maintained the electrical surface conductivity even after the severe corrosion test, which could be applicable as a surface treatment for advanced metallic bipolar plates in fuel cell or redox flow battery systems.
In this study, we aim to analyze the effects of both contact layer properties and surface roughness on contact resistance. The contact has a great influence on performance in terms of electrical conduction and heat transfer. The two biggest factors determining contact resistance are the presence of surface roughness and the surface layer. For this reason we calculated the contact resistance by considering both factors simultaneously. The model of this study to calculate contact resistance is as follows. First, the three representative surface parameters for the GW model are obtained by Nayak's random process. Then, the apparent contact area, real contact area, and contact number of asperities are calculated using the GW model with the surface parameters. The contact resistance of a single surface layer is calculated using Mikic's constriction equation. The total contact resistance is approximated by the parallel connection between the same asperity contact resistances. The results of this study are as follows. The appropriate thickness with reduction effect for contact resistance is determined according to the difference in conductivity between the base layer and surface layer. It was confirmed that the standard deviation of surface roughness has the greatest influence on surface roughness parameters. The results of this study will be useful for selecting the surface material and surface roughness when the design considering the contact resistance is needed.
한국전기전자재료학회 2004년도 춘계학술대회 논문집 반도체 재료 센서 박막재료 전자세라믹스
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pp.137-140
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2004
We treated $O_2$ plasma on ITO thin film using RIE (Reactive Ion Etching) system, and analyzed the ingredient of ITO thin film according to change of processing conditions. The ingredient analysis of ITO thin film was used by EDS (Energy Dispersive Spectroscopy) and XPS (X-ray Photoelectron Spectroscopy) to compare and analyze the ingredient of bulk and surface. We measured electrical resistivity using Four-Point-Probe and calculated sheet resistance, and ITO surface roughness was measured by using AFM (Atomic Force Microscope). Finally, we fabricated OLEDs (Organic Light-Emitting Diodes) device using substrate that was treated optimum ITO surface. The result of the study for electrical and optical properties using I V L System (Flat Panel Display Analysis System), we confirmed that electrical properties (I-V) and optical properties (L-V) were improved.
Silicone rubber has very excellent chemical stability and hydrophobicity. A hydrophobic surface can prevent the formation of continuous water films on the surface in wet and heavily contaminated conditions. This phenomenon contributes to the suppression of leakage current and partial discharges on insulator surfaces. Silicone rubber has been used much for housing materials of polymer insulators. ATH is added to the silicone rubber for improvement of its resistance against surface discharge. In this paper, ATH with different particle size and content was added to the silicone rubber during compounding. Silicone rubber was deteriorated by a corona treatment. Hydrophobicity recovery rate after corona treatment and arc resistance of silicone rubber were investigated. Hydrophobicity recovery rate of silicone rubber was evaluated by the measurement of contact angle. Arc resistance was evaluated by measuring weight loss of silicone rubber after arc resistance test. It was observed that the hydrophobicity recovery rate and arc resistance of silicone rubber were different when different particle size and content of ATH were added.
Device model parameters are very important for accurate estimation of electrical performances in devices, integrated circuits and their systems. There are a large number of methods for extraction of model parameters in power MOSFETs. For high efficiency, design is important considerations of a power MOSFET with high-voltage applications in consumer electronics. Meanwhile, it was proposed that the efficiency of a MOSFET can be enhanced by conducting JFET region double implant to reduce the On-resistance of the transistor. This paper reports the effects of JFET region double implant on the electrical properties and the decreasing On-resistance of the MOSFET. Experimental results show that the 1st JFET region implant diffuse can enhance the On-resistance by decreasing the ion concentration due to the surface and reduce the On-resistance by implanting the 2nd Phosphorus to the surface JFET region.
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[게시일 2004년 10월 1일]
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