Jeon, Sang-Jun;Suh, Hwan-Soo;Kim, Sung-Min;Kuk, Young
한국진공학회:학술대회논문집
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한국진공학회 2009년도 제38회 동계학술대회 초록집
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pp.390-390
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2010
Superconducting proximity effects of Nb/Si(111) were investigated with scanning tunneling microscopy(STM) and scanning tunneling spectroscopy(STS). A highly-doped($0.002\;{\omega}{\diamondsuit}cm$) Si wafer pieces were used as substrate and Nb source was thermally evaporated onto the atomically clean silicon substrate. The temperature of the silicon sample was held at $600^{\circ}C$ during the niobium deposition. And the sample was annealed at $600^{\circ}C$ for 30 minutes additionally. Volmer-Weber growth mode is preferred in Nb/Si(111) at the sample temperature of $600^{\circ}C$. With proper temperature and annealing time, we can obtain Nb islands of lateral size larger than Nb coherence length(~38nm). And outside of the islands, bare Si($7{\times}7$) reconstructed surface is exposed due to the Volmer-Weber Growth mode. STS measurement at 5.6K showed that Nb island have BCS-like superconducting gap of about 2mV around the Fermi level and the critical temperature is calculated to be as low as 6.1K, which is lower than that of bulk niobium, 9.5K. This reduced value of superconducting energy gap indicates suppression of superconductivity in nanostructures. Moreover, the superconducting state is extended out of the Nb island, over to bare Si surface, due to the superconducting proximity effect. Spatially-resolved scanning tunneling spectroscopy(SR-STS) data taken over the inside and outside of the niobium island shows gradually reduced superconducting gap.
초전도 결정의 임계 온도 $T_{CH}$에서의 비열 불연속 폭을, Gibbs 자유 에너지에 관한 열역학 관계식과 임계 자기장 $H_{CT}$의 선형 모델을 이용하여, 인가 자기장 H의 함수로 이론적으로 구한다. 그리고 구한 비열 불연속 폭을 J. Kacmarcik 등에 의한 MgCNi3 초전도체 결정 대상의 실험 결과와 비교 분석한다. 여기서 구한 비열 불연속 폭은 초전도체 결정의 비열 점프 업 현상을 잘 설명한다.
The contactless power transfer (CPT) systems have been recently gaining popularity widely since it is an available option to realize the power delivery and storage with connector-free devices across a large air gap. Especially, the CPT with electromagnetic resonance coupling method is possible to exchange energy within 2 m efficiently. However, the power transfer efficiency of CPT in commercialized products has been limited because the impedance matching of coupled coils is sensitive. As a reasonable approach, we combined the CPT system with HTS wire technology and called as, superconducting contactless power transfer (SUCPT) system. Since the superconducting coils have an enough current density, the superconducting antenna and receiver coils at CPT system have a merit to deliver and receive a mass amount of electric energy. In this paper, we present the feasibility of the SUCPT system and examine the transmission properties of SUCPT phenomenon between room temperature and very low temperature at 77 K as long as the receiver is within 1.0 m distance.
The ceramics superconductor may have a high degree of homogeneity and a more open structure through which atoms can easily diffuse without having to overcome the high activation barrier. Infrared detectors of ceramic superconductor materials have been studied. Ceramic superconductor have smaller reflection coefficient than metal superconductor and therefore infrared light can more easily penetrate into bulks. YBCO thick films show sensitivity of 250 V/W. The accumulation of particles decrease the superconducting energy gap.
Shiki, S.;Zen, N.;Matsubayashi, N.;Koike, M.;Ukibe, M.;Kitajima, Y.;Nagamachi, S.;Ohkubo, M.
Progress in Superconductivity
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제14권2호
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pp.99-101
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2012
Fluorescent yield X-ray absorption fine structure (XAFS) spectroscopy is useful for analyzing local structure of specific elements in matrices. We developed an XAFS apparatus with a 100-pixel superconducting tunnel junction (STJ) detector array with a high sensitivity and a high resolution for light-element dopants in wide-gap semiconductors. An STJ detector has a pixel size of $100{\mu}m$ square, and an asymmetric layer structure of Nb(300 nm)-Al(70 nm)/AlOx/Al(70 nm)-Nb(50 nm). The 100-pixel STJ array has an effective area of $1mm^2$. The XAFS apparatus with the STJ array detector was installed in BL-11A of High Energy Accelerator Research Organization, Photon Factory (KEK PF). Fluorescent X-ray spectrum for boron nitride showed that the average energy resolution of the 100-pixels is 12 eV in full width half maximum for the N-K line, and The C-K and N-K lines are separated without peak tail overlap. We analyzed the N dopant atoms implanted into 4H-SiC substrates at a dose of 300 ppm in a 200 nm-thick surface layer. From a comparison between measured X-ray Absorption Near Edge Structure (XANES) spectra and ab initio FEFF calculations, it has been revealed that the N atoms substitute for the C site of the SiC lattice.
Nb/Al Superconducting Tunnel Junction(STJ) 소자를 제작하여 I-V 특성곡선을 측정하고 제작된 STJ 소자의 초전도체 특성 및 성능 파라미터 값들을 구하였다. 크기가 각각 20, 40, 60, 그리고 $80{\mu}m$인 4종류의 STJ소자를 제작하였으며 각 소자는 총 5층의 Nb/A1/AlOx/Al/Nb 다결정(polycrystalline) 박막으로 구성된 SIS(Superconductor Insulate. Superconductor) 방식의 조셉슨 접합 구조를 갖는다. 이 연구에서 제작한 STJ 소자는 $Tanner^{TM}$ L-Edit 8.3 프로그램으로 설계하였으며 한국표준과학연구원의 SQUID 제조실험실에서 제작하였다. 5층의 STJ 박막은 DC magnetron sputtering, reactive ion etching, CVD(Chemical Vapor Deposition) 장비를 이용해 생성되었다. 제작된 STJ 소자는 액체헬륨으로 냉각(4K)시킨 후 I-V 특성곡선을 측정하여 초전도 특성을 확인하였고, STJ 소자의 성능을 결정하는 파라미터인 energy gap, normal resistance, normal resistivity, dynamic resistance, dynamic resistivity, 그리고 quality factor를 계산하였다. Nb/Al STJ 소자의 FWHM 에너지 분해능 계산 결과, 순수 Nb STJ 소자보다 $11\%$ 우수한 에너지 분해능 특성을 확인하였다.
Transferring single flux quanta across a Josephson junction at an exactly determined rate has made highly precise voltage measurements possible. Making use of self-shunted Nb-based SINIS junctions, programmable fast-switching DC voltage standards with output voltages of up to 10 V were produced. This development is now extended from fundamental DC measurements to the precise determination of AC voltages with arbitrary waveforms. Integrated RSFQ circuits will help to replace expensive semiconductor devices for frequency control and signal coding. Easy-to-handle AC and inexpensive quantum voltmeters of fundamental accuracy would be of interest to industry. In analogy to the development in the flux regime, metallic nanocircuits comprising small-area tunnel junctions and providing the coherent transport of single electrons might play an important role in quantum current metrology. By precise counting of single charges these circuits allow prototypes of quantum standards for electric current and capacitance to be realised. Replacing single electron devices by single Cooper pair circuits, the charge transfer rates and thus the quantum currents could be significantly increased. Recently, the principles of the gate-controlled transfer of individual Cooper pairs in superconducting A1 devices in different electromagnetic environments were demonstrated. The characteristics of these quantum coherent circuits can be improved by replacing the small aluminum tunnel Junctions by niobium junctions. Due to the higher value of the superconducting energy gap ($\Delta_{Nb}$ = $7\Delta_{Al}$), the characteristic energy and the frequency scales for Nb devices are substantially extended as compared to A1 devices. Although the fabrication of small Nb junctions presents a real challenge, the Nb-based metrological devices will be faster and more accurate in operation. Moreover, the Nb-based Cooper pair electrometer could be coupled to an Nb single Cooper pair qubit which can be beneficial for both, the stability of the qubit and its readout with a large signal-to-noise ratio..
The $YBa_2Cu_3O_{7-x}$ structure has been fluorinated by a gas phase exchange technique. The ${^19}F$NMR (nuclear magnetic resonance) spin-lattice relaxation rate (1/T1) measurements on a fluorinated sample gave superconducting energy gap of $2\Delta=4.6kT_c$.
During the past few years, a great deal of attention has been directed to the application of superconductivity to the electrical systems such as superconducting power transmission lines, superconducting magnet energy storage and so on. Yet in order to develop the practical model of these electrical equiqments utilizing suprconductivety and other phenomena at cryogenic temperautre, it is necessary to know the dielectric behaviour of insulating materials at cryogenic temperature in view of reliability, safety and economy of these machines. Investigation of dielectric properties of cryogenic liquids is very important due to the dual role of those as the dielectric and cooling medium. In this study, we investigated results measured over several kinds of dielectric characteristics of liquid nitrogen taking into consideration for application of high Tc superconductor. Dependence of breakdown voltage of gap width, polarity and pressure is reported in this paper and time delay characteristics of breakdown is also the subject of this discussion.
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[게시일 2004년 10월 1일]
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