• 한국전자파학회논문지
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• 제12권6호
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• pp.983-993
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• 2001

본 논문에서는 meander line을 이용한 소형 유전체 안테나 모델을 제안하고 이에 대한 계산과 실험을 통하여 그 성능을 검증하였다. 그 결과, 방사전극의 형성면을 substrate의 전면과 후면에도 적용하고 세라믹 유전체의 크기가 8$\times$4$\times$1.5 mm 인 알루미나와 두께가 1.0 mm 인 substrate(FR-4)상에 방사전극을 형성하여 VSWR<1.5 인 범위에서 Bluetooth용 주파수 대역을 포함하는 성능을 보였다. 또한, 방사패턴은 일반적인 모노폴 안테나와 유사하고 측정된 최대 방사이득은 1.7 dBi로 상용화가 가능한 안테나 모델을 선보였다. 따라서, 본 논문에서 제안하는 표면 실장형 유전체 안테나는 현재의 안테나 소형화 문제와 방사이득을 개선하는 해결수단이 될 수 있으리라 본다.

• 한국전자파학회논문지
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• 제11권7호
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• pp.1240-1246
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• 2000

본 논문에서는 유한차분 시간영역 방법을 적용하여 단일 계단형 마이크로스트립 기판 불연속 구조를 해석하였으며, 이 결과를 사용하여 LC 등가회로를 구성하였다. 본 논문에서 제안된 구조는 마이크로스트립 선로의 길이 방향으로 계단형 기판 불연속을 가지며, 패치 안테나의 급전선, 회로 모듈간 연결 등에 적용될 수 있다. FDTD 해석결과는 HFSS를 이용하여 얻어진 결과와 비교하여 잘 일치함을 보였다. 개발된 등가회로는 S11과 S21 모두 2.4% 이내의 정확도를 가지며, 마이크로파 회로의 CAD 설계에 응용될 수 있다.

• 한국표면공학회:학술대회논문집
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• 한국표면공학회 2016년도 추계학술대회 논문집
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• pp.189-189
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• 2016

In this study, the Al-rich AlTiSiN thin films that consisted of TiN/AlSiN nano-multilayers were deposited on the steel substrate by magnetron sputtering, and their high-temperature oxidation behavior was investigated, which has not yet been adequately studied to date. Since the oxidation behavior of the films depends sensitively on the deposition method and deposition parameters which affect their crystallinity, composition, stoichiometry, thickness, surface roughness, grain size and orientation, the oxidation studies under various conditions are imperative. AlTiSiN nano-multilayer thin films were deposited on a tool steel substrate, and their oxidation behavior of was investigated between 600 and $1000^{\circ}C$ in air. Since the amount of Al which had a high affinity for oxygen was the largest in the film, an ${\alpha}-Al_2O_3-rich$ scale formed, which provided good oxidation resistance. The outer surface scale consisted of ${\alpha}-Al_2O_3$ incoporated with a small amount of Ti, Si, and Fe. Below this outer surface scale, a thin ($Al_2O_3$, $TiO_2$, $SiO_2$)-intermixed scale formed by the inwardly diffusing oxygen. The film oxidized slower than the $TiO_2-forming$ kinetics and TiN films, but faster than ${\alpha}-Al_2O_3-forming$ kinetics. During oxidation, oxygen from the atmosphere diffused inwardly toward the reaction front, whereas nitrogen and the substrate element of iron diffused outwardly to a certain extent.

• 한국전기전자재료학회논문지
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• 제23권11호
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• pp.911-914
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• 2010

In this paper, the $CuInSe_2$ thin film was prepared by using co-evaporation method in four different substrate temperatures $100^{\circ}C$, $200^{\circ}C$, $300^{\circ}C$ and $400^{\circ}C$. When the substrate temperature was at $200^{\circ}C$ and $300^{\circ}C$, the single-phase $CuInSe_2$ was crystallized. As the temperature increased, it was shown that the thickness of the thin film was decreased with increment of the hall coefficient. When the sample was prepared at $200^{\circ}C$ of the subsrate temperature, the values of band gap energy (Eg), sheet resister and resistivity were measured 0.99 eV, $89.82\;{\Omega}/{\square}$ and $103{\times}10^{-4}\;{\Omega}{\cdot}cm$, respectively.

• 한국전기전자재료학회논문지
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• 제22권7호
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• pp.549-554
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• 2009

Al thin films were synthesized on TiN/Si substrate by MOCVD using N-methylpyrrolidine alane (MPA) precursor. Effects of substrate temperature, reaction pressure on the deposition rate, surface roughness and electrical resistivity were investigated. The early stage of Al thin film formation was analyzed by in-situ surface reflectivity measurement with a laser and photometer apparatus. From the Arrhenius plot of deposition rate vs. substrate temperature, it was found that the activation energy of surface reaction was 91.1kJ/mole, and the transition temperature from surface-reaction-limited region to mass-transfer-limited region was about $150^{\circ}C$. The growth rate increased with the reaction pressure, and average growth rates of $200{\sim}1,200nm/min$ were observed at various experimental conditions. Surface roughness of the film increased with the film thickness. The electrical resistivity of Al film was about $4{\mu}{\Omega}{\cdot}cm$ in the case of optimum condition, and it was close to the value of the bulk Al, $2.7{\mu}{\Omega}{\cdot}cm$.

• 한국항행학회논문지
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• 제14권1호
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• pp.11-19
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• 2010

본 논문에서는 밀리미터파대역에서 동작하는 H면 여파기 결합 안테나를 제안하였다. 여파기 결합 안테나는 여파기가 안테나에 삽입된 형태이며 안테나의 반사손실을 줄이고 지향성을 높이기 위하여 다층의 유전체 렌즈가 결합되었다. 도파관 형태의 여파기와 안테나는 가상의 도체벽을 형성하는 via의 배열을 PCB기판에 구현함으로서 크기의 감소를 꾀하였으며 안테나와 여파기를 일반적인 도파관에서 설계한 후 PCB 기판에 축소하여 구현한 후 결합을 시도하였다. 유전체 렌즈의 두께를 조절하기위해 단층 및 다층의 유전체 기판을 사용하였으며 그 결과로 41.5 GHz의 중심주파수에서 8, 13.5 dBi의 시뮬레이션 이득을 각각 얻을 수 있었다.

• 한국정보통신학회논문지
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• 제13권1호
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• pp.110-114
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• 2009

최근에 유기물 전계효과 트랜지스터의 연구는 전자소자분야에서 널리 알려져 있다. 특히 본 연구에서는CuPc 물질을 기본으로 하여 소자를 제작하고, 또한 기판의 온도를 달리 하여 제작하였다. CuPc FET 소자는 top-contact 방식으로 제작하였으며, 기판의 온도는 상온과 $150^{\circ}C$로 달리 하였다. 또한 CuPc의 두께는 40nm로 하였고, 채널의 길이는 $50{\mu}m$, 폭은 3mm로 하였다. 제작된 소자를 이용하여 전압-전류 특성을 측정하였다.

• 한국정보통신학회:학술대회논문집
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• 한국해양정보통신학회 2007년도 춘계종합학술대회
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• pp.548-551
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• 2007

최근에 유기물 전계효과 트랜지스터의 연구는 전자 소자 분야에서 널리 알려져 있다. 특히 본 연구에서는 CuPc 물질을 기본으로 하여 소자를 제작하고, 또한 기판의 온도를 달리 하여 제작하였다. CuPc FET 소자는 top-contact 방식으로 제작하였으며, 기판의 온도는 상온과 $150^{\circ}C$로 달리 하였다. 또한 CuPc의 두께는 40nm로 하였고, 채널의 길이는 $50{\mu}m$, 폭은 3mm로 하였다. 제작된 소자를 이용하여 전압-전류 특성을 측정하였다.

• 한국전기전자재료학회논문지
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• 제18권10호
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• pp.909-916
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• 2005

The structural and electrical property of RF magnetron sputtered ZnO thin film have been studied as a function of RF power, substrate temperature, oxygen/argon gas ratio and film thickness at constant sputtering power, sputtering working pressure and target-substrate distance. To analyze a crystallo-graphic properties of the films, $\theta$/2$\theta$ mode X-ray diffraction, SEM, and AFM analyses. C-axis preferred orientation, resistivity and surface roughness highly depended on oxygen/argon gas ratio. The resistivity of ZnO thin film(6000 ${\AA}$) rapidly increased with increasing oxygen ratio and the resistivity value of $9 {\ast} 10^7 {\Omega}cm$ was obtained at a working pressure of 10 mTorr with the same oxygen/argon gas ratio. The surface roughness was also improved with increasing oxygen ratio and the ZnO films deposited with the same oxygen/argon gas ratio showed the excellent roughness value of 28.7 ${\AA}$. With increase of the substrate temperature, The C-axis preferred orientation of ZnO thin film increases and the resistivity decreases due to deviation from the stoichiometric ZnO due to oxygen deficiency.

• 한국전기전자재료학회:학술대회논문집
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• 한국전기전자재료학회 1998년도 추계학술대회 논문집
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• pp.53-56
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• 1998

Electroluminescent(EL) devices based on organic materials have been of great interest due to their possible applications for large-area flat-panel displays, where they are attractive because of their capability of multicolor emission, and low operation voltage. In this study, glass substrate/ITO/Eu(TTA)$_3$(Phen)/Al(A), glass substrate/ITO/TPD/Eu(TTA)$_3$(p-hen)/Al(B) and glass substrate/ITO/TPD/Eu(TTA)$_3$(phen)/AlQ$_3$/Al(C) structures were fabricated by vacuum evaporation method. where aromatic diamine(TPD) was used as a hole transporting material, Eu(TTA)$_3$(phen) as an emitting material. and tris(8-hydroxyquinoline)Aluminum(AlQ$_3$) as an electron transporting layer. Electroluminescent(EL) and I-V characteristics of Eu(TTA)$_3$(Phen) with a various thickness were investigated. This structure shows the red EL spectrum, which is almost the same as the PL spectrum of Eu(TTA)$_3$(phen). I-V characteristics of this structure show that turn-on voltage was 9V and current density was 0.01A/$\textrm{cm}^2$ at a dc operation voltage of 9V. Electrical transporting phenomena of these structures was explained using the trapped- charge-limited current model with I-V characteristics.