Kim, Muyong;Park, Sangkook;Park, Heeyeon;Ri, Hyeong-Cheol
한국초전도ㆍ저온공학회논문지
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제17권2호
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pp.25-30
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2015
In order to realize economical applications, it is important to reduce the ac loss of 2G high-temperature superconductor coated conductors. It seems to be reasonable that a multi-filamentary wire can decrease the magnetization loss. In this study, we prepared two samples of YBCO coated conductors with striations. We measured local superconducting properties of both samples by using Low Temperature Scanning Laser and Hall Probe Microscopy (LTSLHPM). The distribution of the local critical temperature of samples was analyzed from experimental results of Low Temperature Scanning Laser Microscopy (LTSLM) near the superconducting transition temperature. According to LTSLM results, spatial distributions of the local critical temperature of both samples are homogeneous. The local current density and the local magnetization in samples were explored from measuring stray fields by using Scanning Hall Probe Microscopy (SHPM). From SHPM results, the remanent field pattern of the one bridge sample in an external magnetic field confirms the Bean's critical state model and the three bridge sample has similar remanent field pattern of the one bridge sample. The local magnetization curve in the three bridge sample was measured from external fields from -500 Oe to 500 Oe. We visualized that the distribution of local hysteresis loss are related in the distribution of the remanent field of the three bridge sample. Although the field dependence of the critical current density must be taken into account, the relation of the local hysteresis loss and the remanent field from Bean's model was useful.
A nonlinear optimization method for the shape optimization of actively shielded superconducting MRI magnet is presented. The presented design method can optimize both main coil and shielding coil simultaneously by setting constraints on stray field intensity at a specified distance from the magnet center. A 1 Tesla actively shielded superconducting MRI magnet, with 30cm bore diameter, is designed using the presented method.
The standards of the capacitance arc measured and analyzed by the dry nitrogen or mica film as a dielectric. In this paper, respectively the standard capacitors of 10 pF and 100 pF for the establishment of the dielectric loss tangent are made by $Al_{2}O_{3}$ crystal disc with the low dielectric loss tangent, and then measured the dielectric loss tangent with precision. To regard for the existence of capacitances just in the dielectric, 3-terminal configuration electrode is used. With using the 2D electric field simulator, precise design values are derived in addition to stray capacitance. As stated above method, respectively the standards of the capacitances with 10 pF and 100 pF arc made with the low dielectric loss tangent less than $10^{-4}$.
In this paper, a series of electromagnetic analyses carried out for a high efficiency 22.9/0.38kV mold transformer are presented. The simulations were performed in order to calculate the losses which eventually verify the performance(efficiency) of the designed product. Here, losses include core loss, stray losses of non-current carrying metallic structural parts(core plate and clamp), ohmic loss and eddy current loss of current carrying metallic parts(busbars, leads, terminals and windings). The obtained results of the simulations were compared to the test results and showed high level of accuracy. The loss evaluation technology will allow designers avoid any potential over-design or under-design of the high efficiency products, reducing the manufacture cost and development period compared to the conventional experience-based design procedures.
Series connection of power semiconductor devices is selected in high voltage and high power applications. It is important to prevent the overvoltage from being induced across a device above ratings by the proper voltage balancing in the field of IGBT series connection. In addition, the overvoltage induced by a stray inductance has to be limited in the high power circuit. This paper proposes a new gate control scheme which can balance the voltage properly and limit the overshoot by controlling the slope of collector voltage under the turn-off transient in the series connected IGBTs. The proposed gate control scheme changes the slope of collector voltage by sensing the collector voltage and controlling the gate signal actively. The new series connected IGBT gate driver is made and its validity is verified by the experimental results for series connected IGBT circuit.
We have studied magnetic and transport properties of NbN/FeN/Cu/FeN/FeMn spin-valve structure. In-plane magnetic moment exhibited typical hysteresis loops of spin valves in the normal state of NbN film at 20 K. On the other hand, the magnetic hysteresis loop in the superconducting state exhibited more complex behavior in which exchange bias provided by antiferrmagnetic FeMn layer to adjacent FeN layer was disturbed by superconductivity. Because of this, the ideal superconducting spin-valve effect was not detected. Instead the stray field originated from unsaturated magnetic states dominated the transport properties of NbN/FeN/Cu/FeN/FeMn multilayer.
Extremely-Low-Frequency(ELF) magnetic fields are generated around power cables and bus bars in power systems. Such the stray fields may cause disturbances to nearby electronic apparatus and affect even human health. In order to seeking out a proper way to reducing the fields, the first thing to do is to accurately predict field distribution around analysis models of interest. Then, optimization techniques should be applied for finding a more improved design than the initial one. To achieve this goal, commercial electromagnetic software, MagNet, is combined with evolution strategy algorithm. For verification of the proposed method, three-phase power line cables and busbar systems have been tested.
The large scale industry needs high voltage converters. Therefore series connection of power semiconductor devices is necessary. It is important to prevent a device induced the overvoltage above ratings by proper voltage balancing in the field of IGBT series connection. In addition, the overvoltage induced by a stray inductance has to be limited in the high power circuit. This paper proposes a new gate control scheme which can balance the voltage properly and limit the overshoot by control the slope of collector voltage under series connected IGBT turn-off transient. The propose gate control scheme limits the overvoltage by sensing the collector voltage and controlling the gate signal actively. The new series connected IGBT gate driver is made and its validity is verified by the experimental results for series connected IGBT circuit.
The flyback topology is being widely used in power adapters. The coupling capacitance between primary and secondary windings of a flyback transformer is the main path for common-mode (CM) noise conduction. A Y-cap is usually used to effectively suppress EMI noise. However, this results in problems in space, cost, and the danger of safety leakage current. In this paper, the CM noise behaviors due to the electric field coupling of the transformer windings in a flyback adapter with synchronous rectification are analyzed. Then a scheme with balance winding is proposed to reduce the CM noise with a transformer winding design that eliminates the Y-cap. The planar transformer has advantages in terms of its low profile, good heat dissipation and good stray parameter consistency. Based on the proposed scheme, with the help of a full-wave simulation tool, the key parameter influences of the transformer PCB winding design on CM noise are further analyzed. Finally, a PCB transformer for an 18W adapter is designed and tested to verify the effectiveness of the balance winding scheme.
The low energy excitations of spin waves (SWR) in thin films can be used for determination of the surface anisotropy constant and the nonhomogeneities of magnetization in the close-to-surface layer. The dispersion relation in SWR is sensitive on the geometry of experiment. We report on temperature dependence of surface magnetic anisotropy energy constant in magnetic semiconductor thin films of$ CdCr_{2-2x}In_{2x}Se_4$ at spin glass state. Samples were deposited by rf sputtering technique on Corning glass substrate in controlled temperature conditions. Coexistence of the infinite ferromagnetic network (IFN) and finite spin slusters (FSC) in spin glass state (SG) is know phenomena. Some behavior typical for long range magnetic ordering is expected in samples at SG state. The spin wave resonance experiment (microwave spectrometer at X-band) with excited surface modes was applied to describe the energy state of surface spins. We determined the surface magnetic anisotropy energy constant versus temperature using the surface inhomogeneities model of magnetic thin films. It was found that two components contribute to the surface magnetic anisotropy energy. One originates from the exchange interaction term due to the lack of translation symmetry for surface spin as well as from the originates from the exchange interaction term due to the lack of translation symmetry for surface spin as well as from the stray field of the surface roughness. The second one comes from the demagnetizing field of close-to surface layer with grad M. Both term linearly decrease when temperature is increased from 5 to 123 K, but dominant contribution is from the first component.
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[게시일 2004년 10월 1일]
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