• Bulletin of the Korean Chemical Society
• /
• v.33 no.7
• /
• pp.2333-2337
• /
• 2012

We report the synthesis and thermal annealing of Si-core/ZnO-shell nanorods using a two-step process comprising the metal-assisted electroless etching of Si and the sputter deposition of ZnO. Transmission electron microscopy and X-ray diffraction analysis showed that the cores of the annealed core-shell nanorods were single crystal diamond cubic-type Si, whereas the shells of the annealed core-shell nanorods were single crystal wurtzite-type ZnO. The PL spectra of Si nanorods consisted of a broad red emission band and a weaker blue emission band. The major emission band of Si nanorods was shifted from 700 nm (in the red region) to 440 nm (in the violet region) by ZnO coating. The violet emission of the core-shell nanorods was enhanced in intensity considerably by annealing in an oxidizing atmosphere. The origin of the PL enhancement by annealing is also discussed.

• Proceedings of the Korean Society of Dyers and Finishers Conference
• /
• 2011.11a
• /
• pp.31-31
• /
• 2011

섬유제품은 대부분은 흡수성 또는 흡유성을 가지고 있어 물이나 기름이 등을 쉽게 흡수하는 성질이 있다. 이러한 성질 때문에 물이나 기름 등의 접촉에 의한 얼룩과 오염이 잘 되는 단점을 가지고 있다. 이러한 문제점을 해소하기 위하여 원단에 대한 발수, 발유, 방오가공 등이 연구되어 왔으며 섬유의 고유한 화학적, 기계적 물성을 유지하면서 표면과 이면이 다른 특성을 가지도록 유도하여 기능성을 부여하는 편면가공을 주목을 받게 되었다. 본 연구에서는 불소계로 발수처리 된 PET직물에 저온 Plasma와 Sputter을 이용하여 직물의 한쪽 면에는 친수성과 다른 면에는 발수성이 동시에 나타나는 편발수에 관한 실험을 했다. 불소계로 발수처리 된 시료와 저온 Plasma처리된 시료와 Sputter처리된 시료(처리면, 미처리면)를 접촉각 5회 측정하여 평균값을 나타냈다. 발수처리 된 시료의 평균 접촉각 값은 $149^{\circ}$이며, 저온 Plasma의 평균값은 $45^{\circ}$(처리면) $128^{\circ}$(미처리면), Sputter는 $74^{\circ}$(처리면) $144^{\circ}$(미처리면) 으로 가공처리 된 시료에는 양면의 접촉각이 확연한 차이가 나타난 걸로 미루어 보아 편면발수효과가 얻어졌다고 판단된다. SEM 측정을 통하여 관찰한 경우, 발수처리 된 시료에서는 불소계 발수제의 흔적이 보였다. 저온 Plasma, Sputter 처리된 시료에서는 처리시간이 높아짐에 따라서 시료표면에 코팅된 불소계 발수제 막들이 점점 파괴되는 것을 관찰할 수 있었다. 그리고 건식가공으로 인하여 처리된 표면에는 Etching작용이 일어나 표면적이 넓어져 친수화가 일어난 것으로 생각된다. 이처럼 저온 Plasma가공과 Sputter가공으로 편발수를 얻을 수 있다면 에너지 절약, 처리공정과 시간단축 등 여러 가지 장점이 기대된다.

• Proceedings of the Korean Vacuum Society Conference
• /
• 1999.07a
• /
• pp.212-212
• /
• 1999

Ar-O2 분위기의 Plasma 표면 처리된 OPP 의 polymer 위에 약 400$\AA$ 정도로 sputter 코팅된 Al의 부착력에 관하여 연구를 하였다. 금속과 polymer와 같이 성질이 서로 다른 물질이 서로 결합할 때 접착력은 제품의 성능과 신뢰도를 결정하는데 매우 중요한 인자이다. 최근 고분자재료의 표면을 플라즈마 처리 (plasma surface treatment)에 의해 고분자와 금속도포(coating) 층간의 접착력향상에 따라, 증착필름 및 인쇄용 필름 등의 기능도 향상시킬 수 있다. 저온 plasma를 이용한 표면처리는 plastic 재료가 가지고 있는 기본적인 특성을 저해하지 않고, 그 표면 층만을 개량하는 plasma 또는 sputter etching 갚은 electrical discharge 방법은 진공 증착 방식에서 많이 사용되고 있다. 7$\mu\textrm{m}$의 두께 OPP polymer를 10m/min의 속도로 OPP의 표면을 연속 plasma pretreatment를 하였다. 5$\times$10-2torr에서, PEM(Plasma Emission Monitor)를 이용하여 plasma intensity에 따른 Ar/O2비를 변화시키면서 test를 하였다. AFM과 XPS를 이용하여 OPP의 표면분석을 하였다. 이 plasma처리는 기존의 D.C plasma 처리 방식과는 달리 Midium frequency AC voltage hollow cathod 방식으로 plasma를 발생된 high energy plasma 분위기를 만들 수 있다. 이러한 방식은 -cycle일 때 plasma로부터 발생된 전자가 polymer 표면을 bombard 하게 되고, +cycle 일 때 polymer 표면이 cathod 가 되어 active ion에 의해 sputtering 이 된다. 이때 plasma 처리기의 polymer 기판 후면에 magnet를 설치하여 높은 ionization을 발생시켜 처리 효과를 한층 높여 주었다. 이 plasma 처리는 표면 청정화, 표면 etching 이 동시에 행하는 것과 함께 장시간 처리에 의해 표면에서는 미세한 과, C=C기, -C-O-의 극성기의 도입에 의한 표면 개량이 된다는 것을 관찰할 수 있다. OPP polymer 표면을 Ar 100%로 plasma 처리한 경우 C-O, C=O 등의 carbonyl가 발생됨을 알 수 있었다. C-O, C=O 등의 carbynyl polor group이 도입됨에 따라 sputter된 Al의 접착력이 향상됨을 알 수 있으며, TEM 관찰 결과 grain size도 상당히 작아짐을 알 수 있었다.

• Solar Energy
• /
• v.19 no.3
• /
• pp.125-131
• /
• 1999

This paper deals with a novel structure of poly-Si solar cell. A grain boundary(GB) of poly-Si acts as potential barrier and recombination center for photo-generated carriers. To reduce unwanted side effects at the GB of poly-Si, we employed physical GB removal of poly-Si using chemical solutions. Various chemical etchants such as Sirtl, Yang, Secco, and Schimmel were investigated for the preferential GB etching. Etch depth about 10 ${\mu}m$ was achieved by a Schimmel etchant. After a chemical etching of poly-Si, we used $POCl_3$ for emitter junction formation. This paper used an easy method of top electrode formation using a RF sputter grown ITO film. ITO films with thickness of 300 nm showed resistivity of $1.26{\times}10^{-4}{\Omega}-cm$ and overall transmittance above 80%. Using a preferential GB etching and ITO top electrode, we developed a new fabrication procedure of poly-Si solar cells. Employing optimized process conditions, we were able to achieve conversion efficiency as high as 16.6% at an input power of 20 $mW/cm^2$. This paper investigates the effects of process parameters: etching conditions, ITO deposition factors, and emitter doping densities in a poly-Si cell fabrication procedure.

• Proceedings of the KIEE Conference
• /
• 2003.10a
• /
• pp.322-325
• /
• 2003

BST thin films were etched with inductively coupled plasmas. A chemically assisted physical etch of BST was experimentally confirmed by ICP under various gas mixtures. After a 20 % addition of $BCl_3$ to the $Cl_2/Ar$ mixture, resulting in an increased the chemical effect. As a increases of RF power, substrate power, and substrate temperature, and decrease of working pressure, the ion energy flux and chlorine atoms density increased. The maximum etch rate of the BST thin films was 90.1 nm/min at the RF power, substrate power, working pressure, and substrate temperature were 700 W, 300 W, 1.6 Pa, and 20 $^{\circ}C$, respectively. It was proposed that sputter etching is dominant etching mechanism while the contribution of chemical reaction is relatively low due to low volatility of etching product.

• Journal of the Korean Society for Nondestructive Testing
• /
• v.9 no.2
• /
• pp.50-60
• /
• 1989

The control of resistance of foil strain gauge is accomplished by means of etching technique. Thus, there is an irregularity in metal foil. In order to solve this problem, ion sputter machining method has been used to make strain gauge in this study and the characteristics of this strain gauge are investigated. As the result of this study, it was possible to make a flexible strain gauge which can be used to measure the stress. The strain gauge made by authors shows superior characteristics in creep, O point variance, hysteresis and nonlinearity by surrounding temperature.

• Journal of the Semiconductor & Display Technology
• /
• v.3 no.2
• /
• pp.11-15
• /
• 2004

Scales, accumulated on some parts of semiconductor equipments such as sputters and CVD during the device fabrication processes, often lower the lifetime of the equipments and production yields. Thus, many equipment parts have be cleaned regularly. In this study, an attempt to establish an effective process to remove scales on the sidewall of collimators located inside the chamber of the sputter was made. The EDX analysis revealed that the scales were composed of Ti and TiN with the columnar structure. Through the trial-and-error experiments, it was found that the etching in the $HNO_3$:$H_2SO_4$:$H_2O$=4:2:4 solution for 5.5 hrs at $67^{\circ}C$, after the oxide removal in the HF solution, and the heat-treatment at $700^{\circ}C$ for 1 min., was the most effective process for the scale removal.

• Journal of the Korean institute of surface engineering
• /
• v.37 no.1
• /
• pp.1-4
• /
• 2004

MoS$_2$-Ti films were deposited on SKD-11 tool steel substrate by a D.C. magnetron sputtering system. The influence of deposition parameters on the adhesion of the films was investigated by the scratch test. Crosssection morphology was evaluated using FE-SEM. The plasma etching played an important role on the adhesion of the films. The appropriate etching conditions roughened the surface, resulting In the improved adhesion of the film. The adhesion of the film increased with the interlayer thickness up to 110 nm and then decreased slightly with further increasing of interlayer thickness. The adhesion was highest at a bias voltage of -50 V. Further increase of the bias voltage decreased the film adhesion.

• Proceedings of the Korean Institute of Electrical and Electronic Material Engineers Conference
• /
• 2007.06a
• /
• pp.188-188
• /
• 2007

ZnO 박막은 넓은 밴드갭과 가시광 영역에서의 높은 투과 및 제조조건에 따른 비저항의 범위가 크게 달라짐으로 태앙전지, 디스플레이등의 투명 전극등에 널리 응용되어지고 있다. 본 살험에서는 이러한 장점을 갖는 ZnO 박막을 먼저 r. f.-sputter 법으로 제조하여 습식으로 식각하였다. 식각된 ZnO 필름은 OLED 및 디스플레이의 적용에 필요한 식각율과 표면구조 전기적 특성을 조사하였다.

• Journal of the Korean institute of surface engineering
• /
• v.33 no.4
• /
• pp.266-272
• /
• 2000

Sputtered $MoS_2$ thin films provide lubrication and wear improvements for vacuum and space applications. In this study, deposition of $MoS_2$ thin films by R.F. magnetron sputtering was studied with regard to the micro-structural change of $MoS_2$ film and mechanical properties. The coating parameters such as the working pressure, the RF power, the substrate temperature, the etching time were varied to determine how these parameters affected the film morphology and mechanical properties of deposited films. The best wear properties and critical load were observed with the film deposited at $70^{\circ}C$, 1.0$\times$$10^{ -3}$ Torr, 170W and 1 hour deposition time. The critical load increased with the increase of sputter etching time.