This paper presents a user programmable computational/control platform developed to conduct real-time hybrid simulation (RTHS). The architecture of this platform is based on the integration of a real-time controller and a field programmable gate array (FPGA).This not only enables the user to apply user-defined control laws to control the experimental substructures, but also provides ample computational resources to run the integration algorithm and analytical substructure state determination in real-time. In this platform the need for SCRAMNet as the communication device between real-time and servo-control workstations has been eliminated which was a critical component in several former RTHS platforms. The accuracy of the servo-hydraulic actuator displacement control, where the control tasks get executed on the FPGA was verified using single-degree-of-freedom (SDOF) and 2 degrees-of-freedom (2DOF) experimental substructures. Finally, the functionality of the proposed system as a robust and reliable RTHS platform for performance evaluation of structural systems was validated by conducting real-time hybrid simulation of a three story nonlinear structure with SDOF and 2DOF experimental substructures. Also, tracking indicators were employed to assess the accuracy of the results.
Combustion of gaseous fuel combustor in a high temperature vitiated air stream was studied with computer simulation. It is for application to afterburner of gas turbine engine which the exact mechanism is not yet clarified. As the jet velocity from fuel nozzle is very high and the geometry of combustor is three dimensional complex structure, many time and money are required to have good results. To consider this demerit, it is simplified to 2-dimensional and modified with the nozzle hole area to same area of annual status. As the thickness of annual is too thin, it is to divide with the many grids for reasonable results. Accordingly, new method which injected fuel mass, momentum and energy are added to source terms of each governing conservation equation as a source terms is introduced like as two phase analysis. Reaction rate is determined by taking into account the Arrhenius reaction based on a single step reaction mechanism. It is focused to temperature and product concentration distribution at each equivalence ratio of inlet hot product.
Nano-crystalline hydroxyapatite (HAp) films were formed at the Ti surface by a single-step microarc oxidation (MAO), and HAp-zirconia composite (HZC) films were obtained by subsequent chemical vapor deposition (CVD) of zirconia onto the HAp. Through the CVD process, zero- and one-dimensional zirconia nanostructures having tetragonal crystallinity (t-ZrO2) were uniformly distributed and well incorporated into the HAp crystal matrix to form nanoscale composites. In particular, (t-$ZrO_2$) was synthesized at a very low temperature. The HZC films did not show secondary phases such as tricalcium phosphate (TCP) and tetracalcium phosphate (TTCP) at relatively high temperatures. The most likely mechanism for the formation of the t-$ZrO_2$ and the pure HAp at the low processing temperature was proposed to be the diffusion of $Ca^{2+}$ ions. The HZC films showed increasing micro-Vickers hardness values with increases in the t-$ZrO_2$ content. The morphological features and phase compositions of the HZC films showed strong dependence on the time and temperature of the CVD process. Furthermore, they showed enhanced cell proliferation compared to the $TiO_2$ and HAp films most likely due to the surface structure change.
This paper presents deposition and characterizations of microcrystalline silicon$({\mu}c-Si:H)$ films prepared by hot wire chemical vapor deposition at substrate temperature below $300^{\circ}C$. The $SiH_{4}$ concentration$[F(SiH_{4})/F(SiH_{4})+F(H_{2})]$ is critical parameter for the formation of Si films with microcrystalline phase. At 6% of silane concentration, deposited intrinsic ${\mu}c-Si:H$ films shows sufficiently low dark conductivity and high photo sensitivity for solar cell applications. P-type ${\mu}c-Si:H$ films deposited by Hot-Wire CVD also shows good electrical properties by varying the rate of $B_{2}H_{6}$ to $SiH_{4}$ gas. The solar cells with structure of Al/nip ${\mu}c-Si:H$/TCO/glass was fabricated with single chamber Hot-Wire CVD. About 3% solar efficiency was obtained and applicability of HWCVD for thin film solar cells was proven in this research.
The compositional dependence of bismuth iron oxides and effect of La-substitutions in the structure of $BiFeO_3$ compounds were investigated, which compounds were synthesized by conventional ceramic processing. It is shown that some of bismuth iron oxides including $BiFeO_3$ show the narrow single phase region. The effect of La-doping in $BiFeO_3$ was presented as disappearance of many impurity phases of Bi-Fe-O compounds. The lower electrical resistivity was obtained as those compositions of Fe deficient region and La-doped $BiFeO_3$. The saturation magnetization of La-doped $BiFeO_3$ was increased with La content. The dielectric dispersion was also observed for those Bi-Fe-O compounds with Fe deficient and La-doped $BiFeO_3$ at low frequencies under 1 kHz.
휴머노이드 로봇은 인간-로봇 상호작용에 가장 효과적인 로봇 플랫폼이지만 20개 이상의 관절로 구성되어 있을 만큼 복잡한 구조여서 전통적인 역기구학적 방법으로 안정되면서도 정교한 자세를 생성하기가 어렵다. 본 논문에서는 고속 연산최적화 기법인 Particle Swarm Optimization 기법을 사용해서 앞쪽 지면에 놓인 물체를 단측지지 상태로 상체를 굽혀서 왼팔이나 오른팔로 집는 고난도의 자세를 생성하고, 이를 상용 휴머노이드 로봇 플랫폼에 적용하여 검증함으로써 제안 된 방법의 적용 가능성을 확인한다.
This paper presents the optical hydrogen sensor based on transparent 3C-SiC membrane and photovoltaic effect. Gasochromic materials of Pd and Pd/$WO_3$ were deposited by sputter on 3C-SiC membrane for gas sensing area. Gasochromic materials change to transparency by exposure to hydrogen. The variations of light intensity by hydrogen generate the photovoltaic of P-N junction between N-type 3C-SiC and P-type Si. Single layer of Pd shows higher photovoltaic compared with Pd/$WO_3$. However, phase transition from ${\alpha}$ to ${\beta}$ is shown at 6 %. Pd/$WO_3$ structure show the more linear response to hydrogen range of 2 % ~10 %. Also, almost 2 times fast response and recovery characteristics are shown at Pd/$WO_3$. These fast performances are come from the fact that Pd promoted the chemical reaction between hydrogen and $WO_3$.
The substituted yttrium iron garnet systems $Y_{ 3-x}$/Gd$_{x}$X$0.2_{0.2}$$Fe_{4.8}$$O _{12}$ (x = 0.2, 0.4, 0.6) have been investigated by means of X-ray diffraction, Mossbauer spectroscopy and SQUID. The X-ray diffraction patterns at room temperature confirm the samples to have a single phase of the garnet structure over the whole composition range. The lattice constants of all the samples linearly change with increasing x due to the size of substituted ions in the dodecahedral sites. $Y_{3-x}$$Gd_{x}$ X$Fe_{4.8}$$In_{0.2}$$O_{12}$ system which $Y_{3-x}$ ions are substituted with Gd$^{ 3+}$ ions, the Mossbauer spectrum consists of three Zeeman sextets at room temperature, one due to the $Fe^{3+}$ ions on the octahedral(a-) sites and the others due to the $Fe^{3+}$ ions on the tetrahedral(d-, d'-) sites, respectively. From the hysteresis loop measured by means of SQUID over the whole composition range, the saturation magnetization $M_{s}$ and magnetic moments $\mu_{ B}$ per unit cell have been obtained. The increment of Gd-ion content causes $M_{s}$ and $\mu_{B}$ decrease while the increment of In-ion content does not.
We studied the dielectric characteristics of low-k SiOCH thin films by Ellipsometry. The SiOCH thin films were prepared by deposition of BTMSM precursors on p-Si wafer by CCP-PECVD method. The nano-porous structural organic/inorganic hybrid-type of SiOCH thin films correlated directly to the formation of low dielectrics close to pore(k=1). The structural groups including highly dense pores in SiOCH thin films originated the anisotropic geometry type of network structure directing to complex refractive characteristics of SiOCH single layer on the p-Si wafer. The linearly polarized beam of Xe-ramp in the range from 190 nm to 2100 nm introduced to the surface of SiOCH thin film, and the reflected beam was Elliptically polarized by complex refractive coefficients of SiOCH dipole groups. The amplitude variation $\Psi$ and phase variation $\Delta$ of the relative reflective coefficients between perpendicular and parallel components to the incident plane were measured by Ellipsometry. The complex optical constants n and k as well as the dielectric constant and thickness of SiOCH thin films were driven by the measured value of $\Psi$ and $\Delta$.
The internal ultrastructural changes of germ cells and external morphology of spermatozoon during the spermatogenesis in the rockfish, Sebastes inermis were studied using transmission and scanning electron microscope. The testis is seminiferous tubule type in internal structure. Seminiferous tubule consist of many cyst which contain numerous germ cells in same developmental stage. Spermatogonium contained a large nucleus with single nucleolus in interphase. Primary spermatocyte identified by the presence of synaptonemal complex in nucleus and the contained a number of mitochondria, endoplasmic reticula and Golgi bodies in cytoplasm. The nucleoplasm of secondary spermatocyte was more concentrated than that of the previous phase. Spermatids were more condensed in nucleus and cytoplasm, and show the long-spherical shape. In the cytoplasm of spermatid mitochondria located to lower portion of the nucleus and Golgi bodies located to upper portion, but proacrosomal granule is not appeared. The spermatozoon consist of the head and tail. No acrosome could be found in the head. The cytoplasmic collar of posterior part in sperm head contained mitochondria which surrounded axial filament. The well developed axonemal lateral fins were identified in sperm flagellum, and the axial filament of the flagellum consist of nine pairs of peripheral microtubules and one pair of central microtubules.
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[게시일 2004년 10월 1일]
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