• 한국결정성장학회지
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• 제4권2호
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• pp.111-118
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• 1994

Crystal growth chamber 상부에 있는 reservoir에서 polycrystalline silicon powder를 연속적으로 feeding하면서 도가니 하부에 용융대를 형성시키고 seed를 meed를 dipping하여 회전시키면서 하부로 끌어내려 단결정을 성장시키는 연속성장법의 기본 원리를 확립하였고, 직접 고안 설계 제작한 연속성장 장치로 silicon 단결정을 성장시켰다. 본 연속성장법은 melt에 미치는 중력, 진동, melt의 표면장력, melt와 solid의 계면 장력, seed의 회전에 따른 원심력 등의 힘들이서로 상쇄되고 power, feeding양과 성장속도가 비례하여 적당한 조합을 이룰 때 안정한 연속성장을 할 수있다.

• 한국컴퓨터정보학회논문지
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• 제8권2호
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• pp.57-63
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• 2003

본 논문에서는 최근 대두되고 있는 마이크로 디스플레이 디바이스 LCOS(Liquid Crystal On Silicon)에 대하여 간단히 논하며, 출력 해상도가 물리적으로 고정되어 있어 다양한 영상 모드를 변환해주는 스케일 변환기(scale converter)와 그레이 스케일(Gray scale)이 바탕인 LCOS 마이크로 디스플레이 디바이스에서 컬러(color) 구현을 위한 하드웨어 구조와 본 디스플레이 구동 시스템을 구현한 ASIC에 대한 구조에 대하여 논하고자 한다

• International Journal of Control, Automation, and Systems
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• 제3권2호
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• pp.252-257
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• 2005

In this work, we propose a simple but efficient method to design a target temperature trajectory for pulling speed tracking control of the crystal grower in the Czochralski crystallization process. In the suggested method, the model predictive control strategy is used to incorporate the complex dynamic effect of the heater temperature on the pulling speed into the temperature trajectory design quantitatively. The feedforward trajectories designed by the proposed method were implemented on 200 mm and 300 mm silicon crystal growers in the commercial Czochralski process. The application results have demonstrated its excellent and consistent tracking performance of pulling speed along whole bulk crystal growth.

• 한국결정성장학회지
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• 제18권5호
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• pp.191-194
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• 2008

We will focus on the horizontal Bridgman growth system to analyze the transport phenomena numerically, because the simple furnace system and the confined growth environment allow for the precise understanding of the transport phenomena in solidification process. In conventional melt growth process, the dopant concentration tends to vary significantly along the crystal. In this work, we propose the modification of crucible geometry for improving the productivity of silicon single-crystal growth by controlling axial specific resistivity distribution. Numerical analysis has been performed to study the transport phenomena of dopant impurities in conventional and proposed Bridgman silicon growth using the finite element method and implicit Euler time integration. It has been demonstrated using mathematical models and by numerical analysis that proposed method is useful for obtaining crystals with superior uniformity along the growth direction at a lower cost than can be obtained by the conventional melt growth process.

• 한국결정성장학회지
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• 제24권2호
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• pp.47-53
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• 2014

태양전지용 규소에는 단결정, 다결정, mono-like의 세 가지 재료가 사용 중에 있다. 첫 번째로, 단결정은 수율향상의 과제에 집중되고 있으며, 이것은 고액 계면의 형상이 주요 요인으로 알려지고 있다. 이에 대한 연구가 전산모사 등으로 집중되고 있다. 또한 결정과 도가니의 회전 속도가 고액 계면의 형상에 영향을 미치는 것이 확인 되었다. 다결정의 경우에는 결정립계의 역할이 매우 중요하므로 이에 대한 연구가 진행되는데, 이들을 특히 전기적으로 비활성적인 쌍정 입계로 전환하는 연구가 진행되고 있다. 성장 조건을 변경시켜 쌍정 입계로 바꾸어서 재료의 전기적 성질을 향상시키는 결과를 확인하였다. 또한 성장 공정에서 발생될 수 있는 오염을 줄이기 위한 노력은 상부의 Ar 가스의 흐름을 상향 조절하여 불순물의 용입을 줄임이 확인되었다. 다음으로 mono-like인 경우에는 측면으로부터 성장 되어 들어오는 다결정이 단결정의 분율을 저하 시키는 주요 요인이 되고 있다. 이에 대한 해결책으로 하부의 냉각 속도를 높이고 상부와 측면에 단열재를 보강하는 방안이 제시되고 있고, 하부에 놓는 seed의 orientation을 조절하여 측면으로부터 성장 되어 들어오는 다결정을 억제하는 방안이 효과가 있음이 확인 되고 있다.

• 동력기계공학회지
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• 제5권4호
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• pp.11-17
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• 2001

Micronization of sensor is a trend of the silicon sensor development with regard to a piezoresistive silicon pressure sensor, the size of the pressure sensor diaphragm have become smaller year by year, and a microaccelerometer with a size less than $200{\sim}300{\mu}m$ has been realized, In this paper, we study some of the bonding processes of SCS(single crystal silicon) insulator wafer for the microaccelerometer. and their subsequent processes which might affect thermal loads. The finite element method(FEM) has been a standard numerical modeling technique extensively utilized in micro structural engineering discipline for design of SCS insulator wafers. Successful temperature distribution analysis and design of the SCS insulator wafers based on the tunneling current concept using microaccelerometer depend on the knowledge about normal mechanical properties of the SCS and $SiO_2$ layer and their control through manufacturing processes.

• 한국결정성장학회지
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• 제5권4호
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• pp.332-342
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• 1995

실리콘 알콕사이드 용액의 졸-겔 전이에 있어서 반응조건에 중요한 영향을 미치는 인자에 대하여 Raman 분광분석을 기초로 해서 고찰해 보았다. 촉매의 종류, 용매, 건조제어용 화학첨가제 및 물의 양과 같은 여러 가지 인자가 졸-겔 과정에 있어 전이메카니즘에 영향을 주었다.

• 한국결정성장학회지
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• 제15권5호
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• pp.198-201
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• 2005

Carbon nanofibers were formed on silicon substrate which was applied by negative direct current (DC) bias voltage using microwave plasma-enhanced chemical vapor deposition method. Formation of carbon nanofibers were varied according to the variation of the applied bias voltage. At -250 V, we found that the growth direction of carbon nanofibers followed the applied direction of the bias voltage. Based on these results, we suggest one of the possible techniques to control the growth direction of the carbon nanofibers.

• 대한전기학회:학술대회논문집
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• 대한전기학회 2002년도 하계학술대회 논문집 D
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• pp.2089-2092
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• 2002

The PID controller have the simple structure and show the comparatively good control performance. Crystal Grower(FF-CZ150) melt polycrystalline silicon at the temperature of about 1450$^{\circ}C$, then grow it into a single crystalline ingot. The automatic diameter control system of the Crystal Grower has a good performance with only PD control. But it contain the integrator in the plant which has a long time delay. In this paper, we show the secondary approximate model and applies time delay controller which has good performance for the plant with long time delay. It will be able to improve the response characteristic against a standard input and a load disturbance.

• 한국정보디스플레이학회:학술대회논문집
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• 한국정보디스플레이학회 2004년도 Asia Display / IMID 04
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• pp.939-942
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• 2004

In this study, we report simulation results of single-panel LCOS (liquid crystal on silicon). Reflective LCOS microdisplays are widely used in various projection and near-eye application. For one panel system, liquid crystal response time is an important variable. The panel must switch fast enough to support the display of Field color sequential with high field rates. In order to have fast response and good contrast, a vertical alignment (VA) cell was used in this study. With suitable selection on LC parameters like temperature, viscosity, elastic constant and birefringence, it is possible to get response time of around 2ms from a 2.0 um-thick vertical alignment cell. This result also indicates an ease of production control on 2.0 um cells than 1.0 um cells.