International Journal of Computer Science & Network Security
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제22권6호
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pp.288-296
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2022
Side-channel attacks are a quiet mighty type of attack that targets specific physical implementations vulnerabilities. Even though several researchers have examined diverse means and methods of detecting side-channel attacks, at the present time a systematic review of these approaches does not exist. The purposes of this paper are to give an extensive analysis of literature on side-channel attack detection and offer intuitiveness from past research studies. In this study, a literature survey is conducted on articles related to side-channel attack detection between 2020 and 2022 from ACM and IEEE digital libraries. From the 10 publications included in the study, it appears they target either a single type of side-channel attacks or multiple types of side-channel attacks. Therefore, a vital review of each of the two categories is provided, as well as possible prospective research in this field of study.
본 논문에서는 디지털 능동위상배열 안테나를 간략히 소개하고 주 빔의 부엽을 차단하기 위해 적용된 이중 채널 부엽 차단 빔 형성 방법에 대해 기술하였다. 그리고 안테나 주 빔 및 부엽 차단 빔 설계 결과와 안테나 근접전계 측정 결과로부터 안테나 성능을 검증하였다. 다음으로 기존의 이중 채널 부엽 차단 빔 운용 방식 보다 채널수를 줄이기 위해 단일 채널 부엽 차단 빔 형성 방법을 제안하고, 제안한 방법으로 부엽 차단 안테나에 대한 소자별 가중치 분포를 설계하였다. 마지막으로 설계된 단일 채널 부엽 차단 빔 패턴과 차단 능력을 검증하고 이중 채널 부엽 차단 빔과 비교하였다. 또한, 디지털 능동위상배열 안테나의 수신 근접전계 시험을 통해 측정한 이중 채널 부엽 차단 빔과 제안된 단일 채널 부엽 차단 빔 패턴 및 부엽 차단 성능을 비교/검증함으로써 제안된 부엽 차단 빔 형성 방법에 대한 유효성을 확인하였다.
In this paper, we first investigate the side channel analysis attack resistance of various FPGA hardware implementations of the ARIA block cipher. The analysis is performed on an FPGA test board dedicated to side channel attacks. Our results show that an unprotected implementation of ARIA allows one to recover the secret key with a low number of power or electromagnetic measurements. We also present a masking countermeasure and analyze its second-order side channel resistance by using various suitable preprocessing functions. Our experimental results clearly confirm that second-order differential side channel analysis attacks also remain a practical threat for masked hardware implementations of ARIA.
As side-channel analysis and machine learning algorithms share the same objective of classifying data, numerous studies have been proposed for adapting machine learning to side-channel analysis. However, a drawback of machine learning algorithms is that their performance depends on human engineering. Therefore, recent studies in the field focus on exploiting deep learning algorithms, which can extract features automatically from data. In this study, we survey recent advances in deep learning-based side-channel analysis. In particular, we outline how deep learning is applied to side-channel analysis, based on deep learning architectures and application methods. Furthermore, we describe its properties when using different architectures and application methods. Finally, we discuss our perspective on future research directions in this field.
본 논문에서는 스마트카드 소자에 대한 부채널공격(side-channel attack)기법을 분석하며, 또한 부채널관련 스마트카드 안전성 평가기준을 제안한다. 부채널공격관련 스마트카드 안전성 평가기준을 설정하기 위하여 유사 암호 알고리듬, 암호 모듈, 그리고 국제공통 평가기준(CC)에 따른 스마트카드 보호 프로파일을 분석한다. 그리고 스마트카드 제품 평가시에 적용될 수 있는 보호 프로파일 수준의 부채널공격관련 안전성 평가기준을 제안한다. 제안된 평가기준은 정보보호 기술과 연관된 암호 시스템을 평가하는데 유용하며, 또한 스마트카드 보호 프로파일 개발에 적용될 수 있다.
본 연구에서는 구형 수로 내에서 횡월류가 발생할 때, 그 흐름 특성의 변화를 연구하였다. ADI 기법을 이용한 2차원 천수방정식을 수치해석하여 횡월류웨어 주변의 수심 및 유속변화, 월류량에 영향을 미치는 인자들을 검토하였다. 월류량에 가장 직접적인 영향을 미치는 인자인 유량계수는 웨어의 기하학적 특성 이외에 본류의 후르드수와 웨어부 시작점에서의 본류 수심의 영향을 받는다. 웨어부 시작점에서의 후르드수와 본류의 후르드수 사이의 상관관계 및 웨어부 시작점에서의 수심과 본류 수심의 상관 관계를 알아내어 실제 웨어 설계에 이용할 수 있는 유량계수를 제안하였다.
Even if transmissions through normal channel between ubiquitous devices and terminal readers are encrypted, any extra sources of information retrieved from encrypting module can be exploited to figure out the key parameters, so called side channel attack. Since side channel attacks are based on statistical methods, making side channel signal weak or complex is the proper solution to prevent the attack. Among many countermeasures, shielding the electromagnetic signal and adding noise to the EM signal were examined by applying different thicknesses of thin films of ferroelectric (BTO) and conductors (copper and gold). As a test vehicle, chip antenna was utilized to see the change in radiation characteristics: return loss and gain. As a result, the ferroelectric BTO showed no recognizable effect on both shielding and adding noise. Cu thin film showed increasing shielding effect with thickness. Nanometer Au exhibited possibility in adding noise by widening of bandwidth and red shifting of resonating frequencies.
A microchannel PCHE is manufactured by the two technologies of micro photo-etching and diffusion bonding. In this paper, heat transfer and pressure drop characteristics by applying various configuration for the flow channel in the microchannel PCHE is experimentally investigated. The flow channel configurations are designed three types such as straight, wavy and offset strip channels. The performance experiment of each configuration is performed for Reynolds numbers in ranges of $100{\sim}700$ under various flow conditions for the hot side and the Reynolds number of cold side is fixed at 350. The inlet temperatures of the hot side and cold side are conducted as $40^{\circ}C$ and $20^{\circ}C$, respectively. The heat transfer performance of wavy channel, which was similar to that of offset strip channel, was much higher than that of straight channel. The effectiveness of wavy channel and offset strip channel was evaluated as about $0.5{\sim}0.9$. The pressure drop of wavy channel was highest among configurations and that of offset strip channel was lower than that of straight channel because the round curved surface of each strip edge was reduced the pressure loss.
Transactions on Electrical and Electronic Materials
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제16권5호
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pp.254-259
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2015
This paper reports the optimized mixed-signal performance of a high-voltage (HV) laterally double-diffused metaloxide-semiconductor (LDMOS) field-effect transistor (FET) with a dual gate oxide (DGOX). The fabricated device is based on the split-gate FET concept. In addition, the gate oxide on the source-side channel is thicker than that on the drain-side channel. The experiment results showed that the electrical characteristics are strongly dependent on the source-side channel length with a thick gate oxide. The digital and analog performances according to the source-side channel length of the DGOX LDMOS device were examined for circuit applications. The HV DGOX device with various source-side channel lengths showed reduced by maximum 37% on-resistance (RON) and 50% drain conductance (gds). Therefore, the optimized mixed-signal performance of the HV DGOX device can be obtained when the source-side channel length with a thick gate oxide is shorter than half of the channel length.
Side channel spillways based on Hinds theory were tested. Surface water level at the beginning point of side channel is the same as the crest level of weir in the usual design. Here, side channel section were moved upwards $\frac{1}{2}$ of the total head on the crest and test(revised experiment) were made. In the revised experiments, coefficients of discharge for design flood (Q) were the same with that of original design experiments. In case of 1.2Q a little influence of submergence were appeared, coefficients of discharge were decreased to be about 97.6% of that of original design experiments, therefore, Reservoir flood water level become higher about 2-3cm than original case. So revised design can be used for actual purpose and it will brings much savings in construction cost of side channel spillway.
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[게시일 2004년 10월 1일]
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