POU (point of use) scrubbers were applied for the treatment of waste gases including PFCs (perfluorocompounds) exhausted from the CVD (chemical vapor deposition), etching, and cleaning processes of semiconductor and display manufacturing plant. The GWP (global warming potential) and atmosphere lifetime of PFCs are known to be a few thousands higher than that of $CO_2$, and extremely high temperature more than 3,000 K is required to thermally decompose PFCs. Therefore, POU gas scrubbers based on the thermal plasma technology were developed for the effective control of PFCs and industrial application of the technology. The thermal plasma technology encompasses the generation of powerful plasma via the optimization of the plasma torch, a highly stable power supply, and the matching technique between two components. In addition, the effective mixture of the high temperature plasma and waste gases was also necessary for the highly efficient abatement of PFCs. The purpose of this paper was to provide not only a useful technical information of the post-treatment process for the waste gas scrubbing but also a short perspective on R&D of POU plasma gas scrubbers.
Journal of the Microelectronics and Packaging Society
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v.25
no.3
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pp.55-59
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2018
In this paper, we investigated the characteristics of shear stress type piezoresistor on a diaphragm structure formed by MEMS (Microelectromechanical System) technology of silicon-direct-bonding (SDB) wafers with Si/$SiO_2$/Si-sub. The diaphragm structure formed by etching the backside of the wafer using a TMAH aqueous solution can be used for manufacturing various sensors. In this study, the optimum shape condition of the shear stress type piezoresistor formed on the diaphragm is found through ANSYS simulation, and the diaphragm structure is formed by using the semiconductor microfabrication technique and the shear stress formed by boron implantation. The characteristics of the piezoelectric resistance are compared with the simulation results. The sensing diaphragm was made in the shape of an exact square. It has been experimentally found that the maximum shear stress for the same pressure at the center of the edge of the diaphragm is generated when the structure is in the exact square shape. Thus, the sensing part of the sensor has been designed to be placed at the center of the edge of the diaphragm. The prepared shear stress type piezoresistor was in good agreement with the simulation results, and the sensitivity of the piezoresistor formed on the $2200{\mu}m{\times}2200{\mu}m$ diaphragm was $183.7{\mu}V/kPa$ and the linearity of 1.3 %FS at the pressure range of 0~100 kPa and the symmetry of sensitivity was also excellent.
Journal of the Korean Crystal Growth and Crystal Technology
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v.29
no.6
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pp.345-351
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2019
Recently, ink-jet printing technology has been applied for various industries such as semiconductor, display, ceramic tile decoration. Ink-jet printing has advantages of high resolution patterning, fast printing speed, high ink efficiency and many attempts have been made to apply functional materials with excellent physical and chemical properties for the ink-jet printing process. Due to these advantages, research scope of ink-jet printing is expanding from conventional two-dimensional printing to three-dimensional printing. In order to expand the application of ink-jet printing, it is necessary to optimize the rheological properties of the ink and the interaction with the substrate. In this study, photo curable ceramic complex ink containing nano silica particles were synthesized and its printability was characterized. Contact angle of the photo curable silica ink were modified by control of the ink composition and the surface property of the substrate. Effects of contact angle on printing resolution and three-dimensional printability were investigated in detail.
Proceedings of the Korean Institute of Electrical and Electronic Material Engineers Conference
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2008.06a
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pp.62-62
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2008
As micro-system move toward higher speed and miniaturization, requirements for embedding the passive components into printed circuit boards (PCBs) grow consistently. They should be fabricated in smaller size with maintaining and even improving the overall performance. Miniaturization potential steps from the replacement of surface-mount components and the subsequent reduction of the required wiring-board real estate. Among the embedded passive components, capacitors are most widely studied because they are the major components in terms of size and number. Embedding of passive components such as capacitors into polymer-based PCB is becoming an important strategy for electronics miniaturization, device reliability, and manufacturing cost reduction Now days, the dielectric films deposited directly on the polymer substrate are also studied widely. The processing temperature below $200^{\circ}C$ is required for polymer substrates. For a low temperature deposition, bismuth-based pyrochlore materials are known as promising candidate for capacitor $B_2Mg_{2/3}Nb_{4/3}O_7$ ($B_2MN$) multi layers were deposited on Pt/$TiO_2/SiO_2$/Si substrates by radio frequency magnetron sputtering system at room temperature. The physical and structural properties of them are investigated by SEM, AFM, TEM, XPS. The dielectric properties of MIM structured capacitors were evaluated by impedance analyzer (Agilent HP4194A). The leakage current characteristics of MIM structured capacitor were measured by semiconductor parameter analysis (Agilent HP4145B). 200 nm-thick $B_2MN$ muti layer were deposited at room temperature had capacitance density about $1{\mu}F/cm^2$ at 100kHz, dissipation factor of < 1% and dielectric constant of > 100 at 100kHz.
Kim, Jung-Hye;Son, Dae-Ho;Kim, Dae-Hwan;Kang, Jin-Kyu;Ha, Ki-Ryong
Proceedings of the Korean Vacuum Society Conference
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2010.02a
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pp.200-200
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2010
In recent times, metal oxide semiconductors thin films transistor (TFT), such as zinc and indium based oxide TFTs, have attracted considerable attention because of their several advantageous electrical and optical properties. There are many deposition methods for fabrication of ZnO-based materials such as chemical vapor deposition, RF/DC sputtering and pulsed laser deposition. However, these vacuum process require expensive equipment and result in high manufacturing costs. Also, the methods is difficult to fabricate various multicomponent oxide semiconductor. Recently, several groups report solution processed metal oxide TFTs for low cost and non vacuum process. In this study, we have newly developed solution-processed TFTs based on Ti-related multi-component transparent oxide, i. e., InTiO as the active layer. We propose new multicomponent oxide, Titanium indium oxide(TiInO), to fabricate the high performance TFT through the sol-gel method. We investigated the influence of relative compositions of Ti on the electrical properties. Indium nitrate hydrate [$In(NO^3).xH_2O$] and Titanium isobutoxide [$C_{16}H_{36}O_4Ti$] were dissolved in acetylacetone. Then monoethanolamine (MEA) and acetic acid ($CH_3COOH$) were added to the solution. The molar concentration of indium was kept as 0.1 mol concentration and the amount of Ti was varied according to weighting percent (0, 5, 10%). The complex solutions become clear and homogeneous after stirring for 24 hours. Heavily boron (p+) doped Si wafer with 100nm thermally grown $SiO_2$ serve as the gate and gate dielectric of the TFT, respectively. TiInO thin films were deposited using the sol-gel solution by the spin-coating method. After coating, the films annealed in a tube furnace at $500^{\circ}C$ for 1hour under oxygen ambient. The 5% Ti-doped InO TFT had a field-effect mobility $1.15cm^2/V{\cdot}S$, a threshold voltage of 4.73 V, an on/off current ratio grater than $10^7$, and a subthreshold slop of 0.49 V/dec. The 10% Ti-doped InO TFT had a field-effect mobility $1.03\;cm^2/V{\cdot}S$, a threshold voltage of 1.87 V, an on/off current ration grater than $10^7$, and a subthreshold slop of 0.67 V/dec.
Journal of the Korea Academia-Industrial cooperation Society
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v.17
no.9
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pp.206-211
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2016
Various applications require dry air at low temperature, such automation equipment, semiconductor manufacturing, chemical production lines, and coating processes for the shipbuilding industry. Four evaporators for low temperature (below $0^{\circ}C$) were installed for a dehumidification system. Moist air is cooled sequentially over three evaporators. The first evaporator has an evaporation temperature of $13^{\circ}C$, that of the second evaporator is $5^{\circ}C$, and that of the third evaporator is maintained at $-1.3^{\circ}C$. In the fourth evaporator implantation thereby the moisture contained in the moisture air. A pressure regulator (CPCE 12) is used at this point and is defrosted when the vapor pressure is below a set value. The non-implantation moisture of the air is a heating system that uses the waste heat of a condenser with high temperature. It develops the cooling type's dehumidifier, which is important equipment that prevents the destruction of protein and measures the temperature and humidity at each interval by changing the front air velocity from 1.0 m/s to 4.0 m/s. The cooling capacity was also calculated. The greatest cooling capacity was 1.77 kcal/h for a front air velocity of 2.0 m/s
A change in object distance would generally change the magnification of an optical system. In this paper, we have proposed and designed a double-Gauss optical system with a fixed magnification and image surface regardless of any change in object distance, according to moving the lens groups a little bit to the front and rear of the stop, independently parallel to the direction of the optical axis. By maintaining a constant size of image formation in spite of various object-distance changes in a projection system such as a head-up display (HUD) or head-mounted display (HMD), we can prevent the field of view from changing while focusing in an HUD or HMD. Also, to check precisely the state of the wiring that connects semiconductor chips and IC circuit boards, we can keep the magnification of the optical system constant, even when the object distance changes due to vertical movement along the optical axis of a testing device. Additionally, if we use this double-Gauss optical system as a vision system in the testing process of lots of electronic boards in a manufacturing system, since we can systematically eliminate additional image processing for visual enhancement of image quality, we can dramatically reduce the testing time for a fast test process. Also, the Gaussian bracket method was used to find the moving distance of each group, to achieve the desired specifications and fix magnification and image surface simultaneously. After the initial design, the optimization of the optical system was performed using the Synopsys optical design software.
Recently, manufacturers have been struggling to efficiently use production equipment as their production methods become more sophisticated and complex. Typical factors hindering the efficiency of the manufacturing process include setup cost due to job change. Especially, in the process of using expensive production equipment such as semiconductor / LCD process, efficient use of equipment is very important. Balancing the tradeoff between meeting the deadline and minimizing setup cost incurred by changes of work type is crucial planning task. In this study, we developed a scheduling model to achieve the goal of minimizing the duedate and setup costs by using reinforcement learning in parallel machines with duedate and work preparation costs. The proposed model is a Deep Q-Network (DQN) scheduling model and is a reinforcement learning-based model. To validate the effectiveness of our proposed model, we compared it against the heuristic model and DNN(deep neural network) based model. It was confirmed that our proposed DQN method causes less due date violation and setup costs than the benchmark methods.
Sunwoo Park;Joo Hwan Kim;Sangwook Park;Godi Mahendra;Jaehyun Lee;Jongwook Park
Applied Chemistry for Engineering
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v.34
no.6
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pp.590-595
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2023
Novel aromatic imine derivatives with yellow were designed and synthesized for their potential application in color filters for image sensors. The synthesized compounds possessed chemical structures using aromatic imine groups. This innovative material was evaluated thoroughly, considering its optical and thermal properties under conditions similar to commercial device manufacturing processes. Following a rigorous performance evaluation, it was found that (E)-3-methyl-4-((3-methyl-5-oxo-1-phenyl-1H-pyrazol-4(5H)-ylidene)methyl)-1-phenyl-1H-pyrazol-5(4H)-one, abbreviated as MOPMPO, exhibited an impressive solubility of 0.5 wt% in propylene glycol monomethyl ether acetate, predominantly utilized as the solvent in the industry. Furthermore, MOPMPO showed exceptional performance as a color filter material for image sensors, having a high decomposition temperature of 290 ℃. These data unequivocally establish MOPMPO as a viable yellow dye additive for coloring materials in image sensor applications.
Along with economic growth and industrial development, there is an increasing demand for various electronic components and device production of semiconductor, SMT component, and electrical battery products. However, these products may contain foreign substances coming from manufacturing process such as iron, aluminum, plastic and so on, which could lead to serious problems or malfunctioning of the product, and fire on the electric vehicle. To solve these problems, it is necessary to determine whether there are foreign materials inside the product, and may tests have been done by means of non-destructive testing methodology such as ultrasound ot X-ray. Nevertheless, there are technical challenges and limitation in acquiring X-ray images and determining the presence of foreign materials. In particular Small-sized or low-density foreign materials may not be visible even when X-ray equipment is used, and noise can also make it difficult to detect foreign objects. Moreover, in order to meet the manufacturing speed requirement, the x-ray acquisition time should be reduced, which can result in the very low signal- to-noise ratio(SNR) lowering the foreign material detection accuracy. Therefore, in this paper, we propose a five-step approach to overcome the limitations of low resolution, which make it challenging to detect foreign substances. Firstly, global contrast of X-ray images are increased through histogram stretching methodology. Second, to strengthen the high frequency signal and local contrast, we applied local contrast enhancement technique. Third, to improve the edge clearness, Unsharp masking is applied to enhance edges, making objects more visible. Forth, the super-resolution method of the Residual Dense Block (RDB) is used for noise reduction and image enhancement. Last, the Yolov5 algorithm is employed to train and detect foreign objects after learning. Using the proposed method in this study, experimental results show an improvement of more than 10% in performance metrics such as precision compared to low-density images.
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[게시일 2004년 10월 1일]
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