발광다이오드(Light Emitting Diode; LED)는 p형과 n형의 반도체 접합에서 다이오드양단에 전압을 가하여 정공과 전자가 접합부분에서 결합하면서 그 밴드갭만큼의 에너지가 빛으로 발광되는 현상을 이용한 다이오드 소자의 일종이다. 최근 고휘도 LED소자가 신호등이나 어선의 집어등 등에서 기존의 백열전구를 대체하고 있으며, 또한 디스플레이분야에서도 LCD와 더불어 광범위하게 사용되고 있다. 또한 LCD 디스플레이의 백라이트로 사용되기 시작하면서 새로운 영역으로 응용분야가 개척되고 있다. 한편으로는 가시광영역의 LED 소자의 빛에 디지털 정보를 실어서 보내는 LED 통신기술이 주목을 받게 되면서, 조명이나 디스플레이기능과 동시에 디지털 정보를 전달하는 분야에 적용되는 노력이 이루어지고 있다. 본 논문에서는 이러한 LED통신시스템을 위한 기반 기술들을 살펴보고, LED통신의 응용분야에 대하여 고찰해보고자 한다.
현재 반도체 및 LCD(Liquid Crystal Display) 제조 공정에 널리 사용하는 $NF_3$는 국제적으로 대기중 배출량에 대한 규제를 실시 중인 온실가스 중의 하나다. 온실가스의 배출량 감축을 위하여 국내 대상 산업체들은 $NF_3$ 배출량의 감소에 지속적으로 노력을 해 오고 있다. 본 연구는 LCD를 제조하는 국내 3사에 설치된 $NF_3$ 처리용 전기가열방식 스크러버(scrubber)의 제거효율(DRE, Destruction and Removal Efficiency)과 process chamber에서의 $NF_3$ 사용 비율(use rate in process)을 측정하였다. 스크러버의 효율을 정확하게 측정하기 위하여, 비활성 기체인 He을 일정 유량으로 주입시켜주는 방법으로 시료를 채취하고, 정밀 가스질량분석기(Gas-MS)를 이용하여 시료 중 화학종들의 분압을 측정하였다. 세 회사에 설치되어 있는 스크러버의 효율을 측정한 결과, 2004년 이전에 설치한 스크러버의와 그 이후 개선한 스크러버의 DRE는 각각 52%와 95% 이상임을 확인하였다. 또한 Process chamber의 $NF_3$ 사용 효율은 1세대 및 2세대 공정라인에 설치한 RFSC(Radio Frequency Source Chamber)의 경우 75% 보다 낮지만, 3세대 이상 라인에 설치한 RPSC(Remote Plasma Source Chamber)의 경우는 95% 이상으로 측정이 되었다. 반도체 및 디스플레이 공정에 개선된 스크러버와 RPSC식 process chamber를 사용할 경우 $NF_3$ 배출량을 99.95% 이상 줄일 수 있을 것으로 예상된다. 따라서 $NF_3$에 대한 국내 3사의 온실가스 감축 목표가 성공적으로 이루어 질 것으로 예상된다.
In this paper, the optimum design of ultrasonic dry cleaning head was investigated. The transducer instead of mechanical dynamic structure was used to generate ultrasonic wave and the horn-shape amplifier was utilized to solve the energy decaying problem of ultrasonic wave with propagating it through the media. The analyses of ultrasonic wave and a fluid for the selected structure of a cleaning head were carried out using SYSNOISE and ANSYS simulators, respectively. Based on simulator results, the distance between a horn and the substrate of 4 mm and the horn diameter of 10 mm were determined to maximize the energy of ultrasonic waves. The cooling structure was also considered to reduce the heat from the transducer and the horn. The equivalent circuit for the fabricated horn was deduced from HP4194A impedance/gain/phase analyzer and the frequency of an ultrasonic wave of 20.25 kHz was confirmed using the parameters of the equivalent circuit.
In robot operation, a motor with multi-degree of freedom motion control and an encoder for motor control are needed. To perform precise motion, location, and velocity control, the operation of motor and encoder with superior performance is important. In this paper, we studied performance evaluation system that can evaluate the performance of motor and encoder. The performance of motor and encoder can be evaluated in terms of disconnection check, signal variation count, and U, V, W signal check. Disconnection check verifies signal connection between a motor and an encoder, signal variation check verifies A, B signal by counting the number of signal A, B when a motor revolves, and U, V, W signal check verifies operating direction of a motor. The result is shown at graphic LCD integrated in system, and can be checked in PC with PC communication.
ITO(Indium Tin Oxide) is the most attractive TCO(Transparent Conducting Oxide) materials for LCD, PDP, OLEDs and solar cell, because of their high optical transparency and electrical conductivity. However due to the shortage of indium resource, hard processing at low temperature, and decrease of optical property during hydrogen plasma treatment, their applications to the display industries are limited. Thus, recently the Al-doped ZnO(AZO) has been studied to substitute ITO. In this study, we have investigated the effect of different substrate temperature(RT, $150^{\circ}C$, $225^{\circ}C$, $300^{\circ}C$) and working pressure(10 mTorr, 20 mTorr, 30 mTorr, 80 mTorr) on the characteristics of AZO(2 wt.% Al, 98 wt.% ZnO) films deposited by RF-magnetron sputtering. We have obtained AZO thin films deposited at low temperature and all the deposited AZO thin films are grown as colunmar. The average transmittance in the visible wavelength region is over 80% for all the films and transmittance improved with increasing substrate temperature. Electrical properties of the AZO films improved with increasing substrate temperature.
The fracture analysis of $SiN_x$ layers, which were deposited by low-temperature plasma enhanced chemical vapor deposition (LT-PECVD) and could be used for an encapsulation layer of a flexible organic light emitting display (OLED), was performed by an electrical method. The specimens of metal-insulator-metal (MIM) structure were prepared using Pt and ITO electrodes. We stressed MIM specimen mechanically by bending outward with a bending radius of 15mm repeatedly and measured leakage current through the top and bottom electrodes. We also observed the cracks, were generated on surface, by using optical microscope. Once the cracks were initiated, the leakage current started to flow. As the amount of cracks increased, the leakage current was also increased. By correlating the electrical leakage current in the MIM specimen with the bending times, the amount of cracks in the encapsulation layer, generated during the bending process, was quantitatively estimated and fracture behavior of the encapsulation layer was also closely investigated.
This paper presents a study of an integrated infrared (IR) photo sensor for display application. We fabricated hydrogenated amorphous silicon thin film transistor (a-Si:H TFT) and hydrogenated amorphous silicon germanium thin film transistor (a-SiGe:H TFT) which were bottom gate structure. We investigated the dependence of a-SiGe:H TFT characteristics on incident wavelengths. We proposed photo sensor which responded to wavelengths of IR region. Proposed pixel circuit of photo sensor was consists of switch TFT and photo TFT, and one capacitor. We developed integrated photo sensor circuit and investigated the performance of the proposed sensor circuit according to the input wavelengths. The developed photo sensor circuit with a-SiGe:H TFT was suitable for IR.
In this study, the optimal process condition was induced about the pillar arrangement process of applying the screen printing method in the manufacture process of vacuum glazing panel. The high precision screen printing is technology which pushes out the paste and spreads it by using the squeegee on the stainless steel plate in which the pattern is formed. The screen printing method is much used in the flat panel display field including the LCD, PDP, FED, organic EL, and etc for forming the high precision micro-pattern. Also a number of studies of screen printing method have been conducted as the method for the cost down through the improvement of productivity. The screen printing method has many parameters. So we used Taguchi method in order to decrease test frequencies and optimize this parameters efficiently. In this study, experiments of pillar arrangement were performed by using Taguchi experimental design. We analyzed experimental results and obtained optimal conditions which are 4 m/s of squeegee speed, $40^{\circ}$ of squeegee angle and distance between metal mask and glass.
The electronic device, such as flat panel display (FPD), is very important in our life as a means of communication between humans. Liquid crystal display (LCD), which is categorized as a flat panel display, has been used in many display products, especially in TV industry. An LED TV is composed of several electrical components, such as liquid critical module (LCM), analog to digital convertor (AD), power supplier, and inverter board. These modules are very vulnerable to particulate contamination, and causing malfunction or visibility degradation. In this study, we developed a test method for prediction of LCM's lifetime. The test system consists of carbon particle generation flame, dilution system, test chamber, and particle concentration monitoring instrument. Since the carbon particles are the most abundant in the atmosphere and easily absorb light, soot particles are used as a challenging material for this test. The concentration of generated soot particles is set around 4,000,000 #/cc, which is 400 times higher than that of usual atmospheric particles. Through this experiment, we deduced the relationship between the dust concentration and life time of the test specimen.
Zinc-tin oxides (ZTO) thin film transistors have been fabricated at different process pressure via re sputtering technique. TFT properties were improved by depositing channel layers at lower pressure. From the analysis of TFTs comprised of multi layer channel, deposited consecutively at different sputtering pressure, it was suggested that the electrical characteristics of TFTs were mainly affected by interfacial layer due to their high conductance, however, the stability under the NBIS condition was influenced by whole bulk layer due to low concentration of positive charges, which might be generated by the oxygen vacancy transition, from Vo0 to $Vo^{2+}$. Those improvements were attributed to increasing sputtered target atoms and decreasing harmful effects of oxygen molecules by adopting low sputtering pressure condition.
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[게시일 2004년 10월 1일]
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