Lee, Hyo-Sung;Kim, Byung-Ho;Hwang, Jong Hee;Lim, Tae-Young;Kim, Jin-Ho;Jeon, Dae-Woo;Jung, Hyun-Suk;Lee, Mi Jai
Korean Journal of Materials Research
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제26권1호
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pp.22-28
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2016
In this study, we fabricated high quality color conversion component with green/red phosphor and low melting glass frit. The color conversion component was prepared by placing the green and red phosphor layer on slide glass via screen printing process. The properties of color conversion component could be controlled by changing coating sequence, layer thickness and heat treatment temperature. We discovered that optical properties of color conversion component were generally determined by the lowest layer. On the other hand, the heat treatment temperature also affected to correlated color temperature (CCT) and color rending index (CRI). The color conversion component with a green (lower) - red (upper) layer which was sintered at $550^{\circ}C$ showed the best optical properties: CCT, CRI and luminance efficacy were 3340 K, 78, and 56.5 lm/w, respectively.
Jo, Seulki;Lee, Kyungjoo;Song, Sangwoo;Park, Jaeho;Moon, Byungmoo
한국신재생에너지학회:학술대회논문집
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한국신재생에너지학회 2011년도 추계학술대회 초록집
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pp.57.2-57.2
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2011
Dye-sensitized solar cells (DSSC) have recently been developed as a cost-effective photovoltaic system due to their low-cost materials and facile processing. The production of DSSC involves chemical and thermal processes but no vacuum is involved. Therefore, DSSC can be fabricated without using expensive equipment. The use of dyes and nanocrystalline $TiO_2$ is one of the most promising approaches to realize both high performance and low cost. The efficiency of the DSSC changes consequently in the particle size, morphology, crystallization and surface state of the $TiO_2$. Nanocrystalline $TiO_2$ materials have been widely used as a photo catalyst and an electron collector in DSSC. Front electrode in DSSC are required to have an extremely high porosity and surface area such that the dyes can be sufficiently adsorbed and be electronically interconnected, resulting in the efficient generation of photocurrent within cells. In this study, DSSC were fabricated by an screen printing for the $TiO_2$ thin film. $TiO_2$ nanoparticles characterized by X-ray diffractometer (XRD) and scanning electron microscope (SEM) and scanning auger microscopy (SAM) and zeta potential and electrochemical impedance spectroscopy(EIS).In addition, DSSC module was modeled and simulated using the SILVACO TCAD software program. Improve the efficiency of DSSC, the effect of $TiO_2$ thin film thickness and $TiO_2$ nanoparticle size was investigated by SILVACO TCAD software program.
Major quality features of the beef carcass in most countries including Korea are size, marbling state of the lean tissue, color of the fat and lean tissue, and thickness of back fat of the 13th rib. To evaluate the beef quality, extracting loin parts from the sectional image of the 13th beef rib is crucial and is the first step. However, because of the inhomogeneous distribution and fuzzy pattern of the fat and lean tissues on the beef cut, it is difficult to extract automatically the proper contour of the lean tissue. In this paper, a prototype mobile beef quality measurement system, which can be implemented practically at the beef processing site was developed. The developed system was composed of the hand held image acquisition unit and mobile processing unit mounted with touch-pad screen. Algorithms to extract the boundary of the lean tissue and a proper tool to evaluate the marbling status have been developed using color image processing. The boundary extraction algorithm showed successful results for the beef cuts with simple and moderate patterns of the lean tissue and fat. However, it had some difficulty in eliminating complex pattern of the extraneous tissues adhered to the lean tissue in the boundary extraction. The developed algorithms were implemented to the prototype mobile processing unit.
A computed Radiography (CR) system by use of reusable Image Plate (IP) offers a convenient and reliable way to replace a conventional film-screen system for NDT (non-destructive testing) field. The quality of a radiography to detect a defect of welded objects depends on the procedure embracing several factors such as measurement conditions, image plate type/class, radiation energy, radiation type, and source to image plate distance. Also, the ability of images to detect a flaw reduces with increasing object thickness. In the study, the properties of gamma ray source were summarized for NDT field and inspection images of CR image system manufactured by FUJI were acquired using $^{75}Se$ and $^{192}Ir$ with welded objects. We analyzed the gray scale of hole defect image by using XCAP image processing program and calculated the image contrast and SNR in definition. Also the sesitivities of image quality indicator(IQI) were calculated for hot and cooling tube image of $^{75}Se$ and $^{192}Ir$.
The doping procedure in crystalline silicon solar cell fabrication usually contains oxygen injection during drive-in process and removal of phosphorous silicate glass(PSG). In this paper, we studied the effect of oxygen injection and PSG on conversion efficiency of solar cell. The mono crystalline silicon wafers with $156{\times}156mm^2$, $200{\mu}m$, $0.5-3.0{\Omega}{\cdot}cm$ and p-type were used. After etching $7{\mu}m$ of the surface to form the pyramidal structure, the P(phosphorous) was injected into silicon wafer using diffusion furnace to make the emitter layer. After then, the silicon nitride was deposited by the PECVD with 80 nm thickness and 2.1 refractive index. The silver and aluminium electrodes for front and back sheet, respectively, were formed by screen-printing method, followed by firing in 400-425-450-550-$880^{\circ}C$ five-zone temperature conditions to make the ohmic contact. Solar cells with four different types were fabricated with/without oxygen injection and PSG removal. Solar cell that injected oxygen during the drive-in process and removed PSG after doping process showed the 17.9 % conversion efficiency which is best in this study. This solar cells showed $35.5mA/cm^2$ of the current density, 632 mV of the open circuit voltage and 79.5 % of the fill factor.
Indium doped $SnO_2$ thick films for gas sensors were fabricated by a screen printing method on alumina substrates. The effects of indium concentration on the structural and morphological properties of the $SnO_2$ were investigated by X-ray diffraction and Scanning Electron Microscope. The structural properties of the $SnO_2$:In by X-ray diffraction showed a (110) dominant $SnO_2$ peak. The size of $SnO_2$ particles ranged from 0.05 to $0.1\;{\mu}m$, and $SnO_2$ particles were found to contain many pores, according to the SEM analysis. The thickness of the indium-doped $SnO_2$ thick films for gas sensors was about $20\;{\mu}m$, as confirmed by cross sectional SEM image. Sensitivity of the $SnO_2$:In gas sensor to 2000 ppm of $CO_2$ gas and 50 ppm of H2S gas was investigated for various indium concentrations. The highest sensitivity to $CO_2$ gas and H2S gas of the indium-doped $SnO_2$ thick films was observed at the 8 wt% and 4 wt% indium concentration, respectively. The good sensing performances of indium-doped $SnO_2$ gas sensors to $CO_2$ gas were attributed to the increase of oxygen vacancies and surface area in the $SnO_2$:In. The $SnO_2$:In gas sensors showed good selectivity to $CO_2$ gas.
Many researches have been carried out to improve light absorption in the crystalline silicon solar cell fabrication. The rear reflection is applied to increase the path length of light, resulting in the light absorption enhancement and thus the efficiency improvement mainly due to increase in short circuit current. In this paper, we manufactured the silicon solar cell using the mono crystalline silicon wafers with $156{\times}156mm^2$, 0.5~3.0 ${\Omega}{\cdot}cm$ of resistivity and p-type. After saw damage removal, the dielectric film ($SiN_x$)on the back surface was deposited, followed by surface texturing in the KOH solution. It resulted in single-side texturing wafer. Then the dielectric film was removed in the HF solution. The silicon wafers were doped with phosphorus by $POCl_3$ with the sheet resistance 50 ${\Omega}/{\Box}$ and then the silicon nitride was deposited on the front surface by the PECVD with 80nm thickness. The electrodes were formed by screen-printing with Ag and Al paste for front and back surface, respectively. The reflectance and transmittance for the single-sided and double-sided textured wafers were compared. The double-sided textured wafer showed higher reflectance and lower transmittance at the long wavelength region, compared to single-sided. The completed crystalline silicon solar cells with different back surface texture showed the conversion efficiency of 17.4% for the single sided and 17.3% for the double sided. The efficiency improvement with single-sided textured solar cell resulted from reflectance increase on back surface and light absorption enhancement.
In this paper, the optimized doping condition of crystalline silicon solar cells with 156 ${\times}$ 156 mm2 area was studied. To optimize the drive-in condition in the doping process, the other conditions except drive-in temperature and time were fixed. After etching 7 ${\mu}m$ of the surface to form the pyramidal structure, the silicon nitride deposited by the PECVD had 75~80 nm thickness and 2 to 2.1 for a refractive index. The silver and aluminium electrodes for front and back sheet, respectively, were formed by screen-printing method, followed by firing in $400-425-450-550-850^{\circ}C$ five-zone temperature conditions to make the ohmic contact. Drive-in temperature was changed in range of $828^{\circ}C$ to $860^{\circ}C$ and time was from 3 min to 40 min. The sheet resistance of wafer was fixed to avoid its effect on solar cell. The solar cell fabricated with various conditions showed the similar conversion efficiency of 17.4%. This experimental result showed the drive-in temperatures and times little influence on solar cell characteristics.
In this paper, the optimized doping condition of crystalline silicon solar cells with $156{\times}156\;mm^2$ area was studied. To optimize the drive-in temperature in the doping process, the other conditions except variable drive-in temperature were fixed. These conditions were obtained in previous studies. After etching$7\;{\mu}m$ of the surface to form the pyramidal structure, the silicon nitride deposited by the PECVD had 75~80nm thickness and 2 to 2.1 for a refractive index. The silver and aluminium electrodes for front and back sheet, respectively, were formed by screen-printing method, followed by firing in 400-425-450-550-$850^{\circ}C$ five-zone temperature conditions to make the ohmic contact. Drive-in temperature was changed in range of $830^{\circ}C$ to $890^{\circ}C$to obtain the sheet resistance $30{\sim}70\;{\Omega}/{\box}$ with $10\;\Omega}/{\box}$ intervals. Solar cell made in $890^{\circ}C$ as the drive-in temperature revealed 17.1% conversion efficiency which is best in this study. This solar cells showed $34.4\;mA/cm^2$ of the current density, 627 mV of the open circuit voltage and 79.3% of the fill factor.
Seo, Dong-Ho;Park, Dong-Nyeok;Yoon, Sung-Pil;Han, Jong-Hee;Oh, In-Hwan
Transactions of the Korean hydrogen and new energy society
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제22권5호
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pp.599-608
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2011
The Ni-Al anodes of the molten carbonate fuel cell (MCFC) with three different structures were successfully fabricated in order to reduce the thickness of the anode down to 0.3 mm; one was the non-supported anode made by a conventional tape casting method, and others were the supported anodes made by lamination or direct casting on the nickel screen. It was seen from the physical analyses and cell operation that the supported thin anodes made by direct casting showed good mechanical strength and cell performance because of a good contact between the anode materials and the support. The single cell using the above anode showed the cell voltage of 0.858 V at the current density of 150$mA/cm^2$ with the nitrogen cross-over of only 0.6% at the operation time of 1,000 h, which was similar to the performance of the conventional thick (0.7 mm) anode. The ability to utilize a thin configuration of anode should cut down the amount of nickel alloy and consequently reduce its manufacturing cost.
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[게시일 2004년 10월 1일]
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