• 제목/요약/키워드: science and technology in society

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용융 Si 침윤법에 의해 제조된 반응소결 탄화규소 복합체에서 SiC 입자 크기의 영향 (The Effect of SiC Powder Size at Reaction Bonded SiC Composite Fabricated by a Molten Si Infiltration Method)

  • 윤성호;조경선;;정훈;김영도;박상환
    • 한국세라믹학회지
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    • 제45권8호
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    • pp.486-492
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    • 2008
  • Reaction bonded silicon carbide(RBSC) composite for heat-exchanger was fabricated by molten Si infiltration method. The raw materials with variable particle sizes were used in this experience. The finer the particle size in sintered silicon carbide was the more increasing 3-point bending strength and fracture toughness. As the adaptable particle sizes had been occupied interstice arising from packing sample, the mechanical properties were increased. In the PCS1-1 sample, the 3-point bending strength and fracture toughness were 323MPa and $4.9\;MPa{\cdot}m^{1/2}$, respectively.

기술의 본성(NOT) 개념 틀 제안 및 과학기술공학 관련 전문가들의 인식 분석 (Suggesting the Conceptual Framework of the Nature of Technology(NOT) and Examining the Conceptions of Experts of Science, Technology, and Engineering Fields regarding the NOT)

  • 이영희
    • 한국과학교육학회지
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    • 제38권1호
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    • pp.27-42
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    • 2018
  • 본 연구는 기술의 본성(NOT: Nature of Technology)에 대한 개념 정리를 위하여 최근 수행된 NOT 관련 문헌 연구를 통하여 포괄적인 NOT 개념 틀을 제안하고 이를 바탕으로 국내외의 과학기술공학 전문가들의 기술 개념에 대한 인식을 탐구하고자 하였다. 과학과 기술교육 영역의 다양한 NOT 관련 선행연구를 분석하여 제시된 NOT 영역은 1. 인공물로서의 기술(Technology as artifacts), 2. 지식으로서의 기술(Technology as knowledge), 3. 실행으로서의 기술(Technology as practice), 4. 시스템으로서의 기술(Technology as system), 5. 사회적 역할의 기술(The role of technology in society), 그리고 6. 기술의 역사(History of technology) 6가지로 제안되었다. 또한 제안된 6개의 NOT 영역을 기준으로 과학기술공학 전문가들 30명의 인식 분포를 조사한 결과 전문가들은 다양한 NOT 개념 중에서 3. 실행으로서의 기술, 4. 시스템으로서의 기술, 그리고 5. 사회적 역할의 기술의 3가지 영역을 주로 인식하고 있는 것으로 나타났다. 이것은 NOT 선행연구에서 대중이나 학생들이 주로 기술을 '인공물로서의 기술' 또는 '응용 과학으로서의 기술'로 이해하고 있다는 결과와는 달리 과학기술공학 전문가들은 기술의 개념을 기술철학적 차원의 복잡하고 추상적인 '인간의 총체적 지식과 행위'로 이해하고 있다는 것을 보여주었다.

과학기술정책학의 패러다임 논의 : 학문적 정의와 연구범위를 중심으로 (Discussion of the Paradigm of Studies on Science and Technology Policy : Suggesting the Definition of Discipline and Research Scope)

  • 이찬구;오현정;김은미
    • 기술혁신학회지
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    • 제21권1호
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    • pp.1-32
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    • 2018
  • 이 논문은 2017년 현재, 우리나라에서 과학기술정책학 또는 과학기술정책 연구가 독자적인 학문 정체성을 가지고 있는가 하는 문제의식에서 수행되었다. 이를 위하여 국내에서 출판된 과학기술정책 관련 단행본 19권을 대상으로, 학문 패러다임 형성의 핵심요소인 학문적 정의와 핵심 연구범위의 논의 여부를 분석하였다. 연구결과는 현 시점에서의 우리나라 과학기술정책학은 패러다임 형성 이전의 단계에 머물러 있다는 잠정 결론을 내렸다. 이러한 결론에 근거하여 연구자들은 향후 과학기술정책학의 패러다임 완성에 필요한 학문적 정의와 연구범위를 새롭게 제안하였다. 과학기술정책학은 '과학기술 활동 및 과학기술과 관련된 정치 경제 사회 문화의 제반 현상을 연구 분석함으로써, (1) 과학기술 자체의 발전을 도모하면서 (2) 과학기술을 활용하여 국가와 공공 부문의 문제해결 능력을 높이고자 하는 정책지향적인 학문'으로 정의하였다. 과학기술 정책학의 '연구범위'는 (1) 과학기술 정책과정, (2) 과학기술 공공관리, (3) 연구관리, (4) 기술혁신의 4대 부문으로 제안하였다. 이 중에서 '과학기술 정책과정'과 '과학기술 공공관리'는 이 논문에서 제안하는 과학기술 정책학의 정의를 반영하는 새로운 내용이며, '기술혁신'과 '연구관리'는 기존 연구들도 대부분 포함하고 있는 과학기술정책학의 연구범위라고 할 수 있다.

Device Applications of Graphene and Their Challenges

  • Lee, B.H.;Hwang, H.J.;Yang, J.H.;Baek, E.J.;Kang, S.C.;Lee, Y.G.;Kang, C.G.
    • 한국진공학회:학술대회논문집
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    • 한국진공학회 2012년도 제43회 하계 정기 학술대회 초록집
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    • pp.114-114
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    • 2012
  • Even though graphene was introduced with a great hope to replace silicon in future, small (or zero) band gap and poor stability have become major challenges in graphene electronics. Especially, rectification and amplification function which are the elemental functions of silicon device, is very difficult to implement without a bandgap. However, the graphene can still be used in many other device applications if the merits of graphene are creatively utilized. For example, graphene can be applied to almost any kind of substrate. Its conductivity can be varied in some degree using electric field, charge dipole, attached molecules, and many other ways. Recently, graphene stacked with ferroelectric materials or piezoelectric materials has been actively studied for various device applications. In this talk, various device applications of graphene using hybrid stack or novel device structure will be introduced and their prospect will be discussed.

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LSGM계 음극지지형 고체산화물 연료전지에 적용된 LDC 완충층의 효과 (Effect of the LDC Buffer Layer in LSGM-based Anode-supported SOFCs)

  • 송은화;정태주;김혜령;손지원;김병국;이종호;이해원
    • 한국세라믹학회지
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    • 제44권12호
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    • pp.710-714
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    • 2007
  • LSGM$(La_{0.8}Sr_{0.2}Ga_{0.8}Mg_{0.2}O_{3-{\delta}})$ is the very promising electrolyte material for lower-temperature operation of SOFCs, especially when realized in anode-supported cells. But it is notorious for reacting with other cell components and resulting in the highly resistive reaction phases detrimental to cell performance. LDC$(La_{0.4}Ce_{0.6}O_{1.8})$, which is known to keep the interfacial stability between LSGM electrolyte and anode, was adopted in the anode-supported cell, and its effect on the interfacial reactivity and electrochemical performance of the cell was investigated. No severe interfacial reaction and corresponding resistive secondary phase was found in the cell with LDC buffer layer, and this is due to its ability to sustain the La chemical potential in LSGM. The cell exhibited the open circuit voltage of 0.64V, the maximum power density of 223 $mW/cm^2$, and the ohmic resistance of $0.17{\Omega}cm^2$ at $700^{\circ}C$. These values were much improved compared with those from the cell without any buffer layer, which implies that formation of the resistive reaction phases in LSGM and then deterioration of the cell performance is resulted mainly from the La diffusion from LSGM electrolyte to anode.