• 한국통신학회논문지
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• 제26권4B호
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• pp.391-399
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• 2001

In this paper, electromagnetic wave scattering from a bianisotropicaly coated cylinder is formulated by using wave functions for bianisotropic media and boundary-value method. The cross section of the cylinder is made of a conducting core, a lossless dielectric layer which is both electrically magnetically bianisotropic, and a bianisotropic impedance sheet and a different uniaxial bianisotrpic coating. The solutions to arbitrary polarization angles are presented in two-dimensional. This paper presents and exact solution to the problem of scattering by a long composite circular cylinder using the boundary method. The validity of this solution is verified by comparing numerical results with those in literature. The numerical results for various geometrical and electrical parameters on bistatic scattering cross-section are presented.

• 대한화장품학회지
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• 제42권3호
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• pp.297-302
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• 2016

본 연구에서는 $C_{12-20}$ 알킬글루코사이드, $C_{14-22}$ 알코올 및 베헤닐알코올로 구성된 액정에멀젼을 제조하고 다양한 분석장비를 이용하여 구조분석을 실시하였다. 먼저 제조한 액정에멀젼을 편광현미경과 cryo-SEM을 이용하여 각각 액정에멀젼의 특징인 maltese cross 무늬와 다층 구조를 확인하였다. 또한, DSC를 이용하여 액정상 형성을 확인하였고, small angle x-ray scattering (SAXS) 분석을 통하여 약 $305{\AA}$의 층간 간격을 갖는 다층 라멜라 구조를 확인하였다. 한편, wide angle x-ray scattering (WAXS) 분석을 통해 제조된 액정에멀젼의 라멜라 구조를 이루고 있는 알킬 사슬 간 배열이 사방정계 구조로 되어 있음을 확인할 수 있었다. 액정에멀젼 구조 연구를 통해 얻어진 다양한 물성 정보는 향후 산업적으로 많이 이용될 것으로 기대된다.

• 한국인터넷방송통신학회논문지
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• 제16권4호
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• pp.153-158
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• 2016

본 논문에서는 접지된 2중 유전체층 사이의 완전도체띠 격자구조에 의한 TE(transverse electric) 산란문제를 전자파 수치해석 방법으로 알려진 PMM(point matching method)을 이용하여 해석하였다. 경계조건들은 미지의 계수를 구하기 위하여 이용하였고 산란 전자계는 Floquet 모드 함수의 급수로 전개하였으며, 도체띠의 해석을 위해 완전도체 경계조건을 적용하였다. 완전도체띠의 폭과 주기, 접지된 2중 유전체층의 비유전율과 두께 및 입사각에 대해 정규화 된 반사전력을 계산하였다. 최소값을 가지는 변곡점들의 대부분의 반사전력은 입사각 이외의 다른 방향으로 산란된다. 접지된 2중 유전체층을 가지는 제안된 구조에 대한 수치결과들은 기존 논문의 수치해석 결과들과 비교하여 매우 잘 일치하였다.

• 한국산학기술학회논문지
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• 제16권6호
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• pp.4158-4163
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• 2015

본 논문에서는 유전체층 위의 완전도체띠 격자구조에 의한 TE(transverse electric)산란 문제를 전자파 수치해석 방법으로 알려진 FGMM(fourier-Galerkin moment method) 및 PMM(point matching method)을 이용하여 해석하였다. 산란전자계는 Floquet 모드함수의 급수로 전개하였고, 경계조건은 미지의 계수를 구하기 위하여 적용하였으며, 완전도체의 경계조건은 접선성분의 전계와 스트립위에 유도되는 전류와의 관계를 이용하였다. 도체띠의 폭과 주기, 유전층의 비유전율과 두께 및 입사각에 대해 정규화된 기하광학적 반사 및 투과전력을 계산하였다. 전반적으로 유전체층의 비유전율이 증가할수록 기하광학적 정규화된 반사전력이 증가하였다. 본 논문의 정확도를 검증하기 위하여 FGMM의 수치결과들은 PMM을 이용한 수치계산 결과들과 비교하여 매우 잘 일치하였다.

• 한국인터넷방송통신학회논문지
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• 제23권3호
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• pp.71-76
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• 2023

본 논문에서는 접지된 2중 유전체층 사이의 저항띠 격자구조에 의한 TE(transverse electric) 산란문제를 전자파 수치해석 방법으로 알려진 FGMM(fourier galerkin moment method)를 이용하여 해석하였다. 경계조건들은 미지의 계수를 구하기 위하여 이용하였고 산란 전자계는 Floquet 모드 함수의 급수로 전개하였으며, 저항띠의 해석을 위해 저항 경계조건을 적용하였다. 전반적으로 저항율이 작으면 저항띠에 유도되는 전류밀도의 크기가 증가하였고, 반사전력도 증가하였다. 균일 저항율을 가지는 경우, 유전체층의 비유전율이 증가하거나 또는 유전체 층의 두께가 증가할수록 반사전력은 감소하였다. 본 논문에서 제안된 구조에 대한 수치결과들은 기존 논문의 수치해석 결과들과 비교하여 매우 잘 일치하였다.

• 문화기술의 융합
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• 제9권3호
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• pp.619-624
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• 2023

본 논문에서는 2중 유전체층 사이의 저항띠 격자구조에 의한 TE(transverse electric) 산란 문제를 전자파 수치해석 방법으로 알려진 FGMM(fourier galerkin moment method)를 이용하여 해석하였다. 경계조건들은 미지의 계수를 구하기 위하여 이용하였고, 산란 전자계는 Floquet 모드 함수의 급수로 전개하였고, 저항띠의 해석을 위해 저항 경계조건을 적용하였다. 2중 유전체층의 문제를 취급하기 위하여 유전체층들의 두께와 비유전율을 동일한 값을 가지는 경우에 대해서만 수치계산하였다. 전반적으로, 저항띠 균일 저항율이 증가하면 저항띠에 유도되는 전류밀도는 감소하였고 반사 전력은 감소하였으며, 상대적으로 투과전력은 증가하였다. 본 논문에서 제안된 구조에 대한 수치결과들은 기존 논문의 수치해석 방법인 PMM의 결과들과 비교하여 매우 잘 일치하였다.

• 문화기술의 융합
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• 제9권3호
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• pp.641-646
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• 2023

본 논문에서는 2중 유전체층 사이의 저항띠 격자구조에 의한 TM(transverse magnetic) 산란 문제를 전자파 수치해석 방법으로 알려진 FGMM(fourier galerkin moment method)를 이용하여 해석하였다. 경계조건들은 미지의 계수를 구하기 위하여 이용하였고, 산란 전자계는 Floquet 모드 함수의 급수로 전개하였고, 저항띠의 해석을 위해 저항 경계조건을 적용하였다. 전반적으로, 저항띠의 균일저항율이 증가하면 저항띠에 유도되는 전류밀도의 크기는 감소하였고 반사 전력은 감소하였으며, 상대적으로 투과전력은 증가하였다. 또한 유전체 층의 두께가 증가할수록 반사전력은 증가하였고 상대적으로 투과전력은 상대적으로 감소하였다. 본 논문에서 제안된 구조에 대한 수치결과들은 기존 논문의 수치해석 방법인 PMM의 결과들과 비교하여 매우 잘 일치하였다.

• 한국진공학회:학술대회논문집
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• 한국진공학회 1998년도 제14회 학술발표회 논문개요집
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• pp.41-41
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• 1998

Rare earth metal films have been used as a buffer layer for growing ferroelectric t thin film or a seed layer for magnetic multilayer. But when it was deposited on s semiconductor substrates for the application of magneto-optic (MO) storage media, it i is difficult to exactly measure magnetic cons떠nts due to shunting current, and so it n needs to grow metal films on insulator substrate to reduce such effect. Recently, it w was reported that ultra-thin Pt layer were epitaxially grown on A12O:J by ion beam s sputtering in 비떠 high vacuum and it can be used as a seed layer for the growth of C Co-contained magnetic multilayer. In this stu$\phi$, Pt thin film were epi떠xially grown on AI2D3 ($\alpha$)OJ) by RF magnetron s sputtering. The crystalline structure was analyzed by transmission electron microscope ( (TEM) and Rutherford Back Scattering (RBS)/Ion Channeling. In TEM study, Pt was b believed to be twinned on AI잉3($\alpha$)01) su$\pi$ace about Pt(ll1) plane.Moreover, RBS c channeling spectra showed that minimum scattering yield of Pt(111)/AI2O:J(1$\alpha$)OJ) was 4 4% and Pt(11J)/AI2D3($\alpha$)OJ) had 3-fold symmetry.

• 한국결정학회지
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• 제13권2호
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• pp.57-62
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• 2002

MgO(001)면 위에 Ti 금속을 증착시킨 후 400℃에서 산소에 노출시킴으로써 헤테로 에피탁시 TiO 막을 성장시켰다. 성장된 TiO막의 원자구조를 비행시간형 직충돌 이온산란 분광법을 사용하여 해석하였다. MgO(001)면에 성장된 에피탁시 TiO막은 다음과 같은 구조를 갖고 있음이 밝혀졌다. Ti및 O 원자가 MgO 원자의 위에 위치하여 면내방향의 격자상수는 MgO의 격자상수와 일치하고, TiO막의 표면은 3차원적 섬 형상이 없는 평활한 구조를 가지고 있다.

• 한국진공학회:학술대회논문집
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• 한국진공학회 1998년도 제14회 학술발표회 논문개요집
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• pp.156-157
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• 1998

It is a diffcult and challenging pproblem to control the growth of eppitaxial films. Heteroeppitaxy is esppecially idfficult because of the lattice mismatch between sub-strate and depposited layers. This mismatch leads usually to a three dimensional(3D) island growth. But the use of surfactants such as As, Sb, and Bi can be beneficial in obtaining high quality heteroeppitaxial films. In this study medium energy ion scattering sppectroscoppy(MEIS) was used in order to reveal the growth mode of Ge on Si(001) and the strain of depposited film without and with dynamically supplied atomic hydrogen at the growth thempperature of 35$0^{\circ}C$. It was ppossible to control the growth mode from layer-by-layer followed by 3D island to layer-by-layer by controlling the hydrogen flux. In the absent of hydro-gen the film grows in the layer-by-layer mode within the critical thickness(about 3ML) and the 3D island formation is followed(Fig1). The 3D island formation is suppressed by introducing hydrogen resulting in layer-by-layer growth beyond the critical thickness(Fig2) We measured angular shift of blocking dipp in order to obtain the structural information on the thin films. In the ppressence of atomic hydrogen the blocking 야 is shifted toward higher scattering angle about 1。. That means the film is distorted tetragonally and strained therefore(Fig4) In other case the shift of blocking dipp at 3ML is almost same as pprevious case. But above the critical thickness the pposition of blocking dipp is similar to that of Si bulk(Fig3). It means the films is relaxed from the first layer. There is 4.2% lattice mismatch between Ge and Si. That mismatch results in about 2。 shift of blocking dipp. We measured about 1。 shift. This fact could be due to the intermixing of Ge and Si. This expperimental results are consistent with Vegard's law which says that the lattice constant of alloys is linear combination of the lattic constants of the ppure materials.