In this study, a ZnS film of 8-mm thickness was prepared on graphite using a hot-wall-type CVD technique. The ZnS thick film was then hot isostatically pressed under different pressures (125-205 MPa) in an argon atmosphere. The effects of pressure were systematically studied in terms of crystallographic orientation, grain size, density, and transmittance during the HIP process. X-ray diffraction pattern analysis revealed that the preferred (111) orientation was well developed after a pressure of 80 MPa was applied during the HIP process. A high transmittance of 61.8% in HIP-ZnS was obtained under the optimal conditions (1010℃, 205 MPa, 6 h) as compared with a range of approximately 10% for the CVD-ZnS thick film under a 550-nm wavelength. In addition, the main cause of the improvement in transmittance was determined to be the disappearance of the scattering factor due to grain growth and the increase in density.
Irradiation of the metal nanoparticles causes local plasmon resonance in a specific wavelength band, which can improve the absorption and scattering properties of a structure. Since noble metal nanoparticles have better resonance effects than those of other metals, it is easy to identify plasmonic reactions and this is advantageous to find the optical tendency. Compared to having a particle gap or randomly arranged particle structures, densely and evenly packed structures can exhibit more uniform optical properties. Using the uniform properties, the structure can be applied to optical filtering applications. Therefore, in this paper, validation tests about metal nanoparticles and thin film structures are conducted for more accurate analysis. The optical properties of monolayer and bilayer noble metal nanoparticle structures with different diameters, packed in a uniform array, are investigated and their optical trends are analyzed. In addition, a thin film structure under identical conditions as metal nanoparticle structure is evaluated to confirm the improved optical characteristics.
Transparent conducting ZnO films were deposited to apply DSSC Substrate on glass substrates at $500^{\circ}C$ by ionbeam-assisted deposition. Crystallinity, microstructure, surface roughness, chemical composition, electrical and optical properties of the films were investigated as a function of deposition parameters such as ion energy, and substrate temperature. The microstructure of the polycrystalline ZnO films on the glass substrate were closely related to the oxygen ion energy, arrival ratio of oxygen to Zinc Ion bombarded on the growing surface. The main effect of energetic ion bombardment on the growing surface of the film may be divided into two categories; 1) the enhancement of adatom mobility at low energetic ion bombardment and 2) the surface damage by radiation damage at high energetic ion bombardment. The domain structure was obtained in the films deposited at 300 eV. With increasing the ion energy to 600 eV, the domain structure was changed into the grain structure. In case of the low energy ion bombardment of 300 eV, the microstructure of the film was changed from the grain structure to the domain structure with increasing arrival ratio. At the high energy ion bombardment of 600 eV, however, the only grain structure was observed. The electrical properties of the deposited films were significantly related to the change of microstructure. The films with the domain structure had larger carrier concentration and mobility than those with the grain structure, because the grain boundary scattering was reduced in the large size domains compared with the small size grains. The optical transmittance of ZnO films was dependent on a surface roughness. The ZnO films with small surface roughness, represented high transmittance in the visible range because of a decreased light surface scattering. By varying the ion energy and arrival ratio, the resistivity and optical transmittance of the films were varied from $1.1{\times}10^{-4}$ to $2.3{\times}10^{-2}{\Omega}cm$ and from 80 to 87%, respectively. The ZnO film deposited at 300 eV, and substrate temperature of $500^{\circ}C$ had the resistivity of $1.1{\times}10^{-4}{\Omega}cm$ and optical transmittance of 85% in visible range. As a result of experiments, we provides a suggestition that ZnO thin Films can be effectively used as the DSSC substrate Materials.
Hydrogen analysis by elastic recoil detection has been performed utilizing polyimide film as a reference sample of known hydrogen content assuming the soundness of ion beam current integration. However beam current integration at higher incidence angle is not reliable. Scattering yield per unit fluence by current integration which is normalized per unit path length decreases as the sample tilt angle is getting higher. Moreover because beam current integration at high tilt angle is incomplete, hydrogen evaluation is very risky by direct comparison of sequentially collected recoil spectra between reference and target sample. In this study, primary ion beam dose is determined by backscattering spectrum that is collected simultaneously with recoil spectrum instead of ion beam current integration in order to reduce uncertainty arising in the process of current integration and to enhance the reliability of quantitative analysis. Three test samples are selected $-7.6{\mu}m$ polyimide film, hydrogen implanted silicondioxide and Au deposited carbon wafer- and analyzed by two methods and compared.
Proceedings of the Korean Vacuum Society Conference
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2016.02a
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pp.340-340
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2016
We have prepared alumina (Al2O3) doped zinc oxide (AZO) films by DC magnetron sputtering (MS) technique and obtained higher self surface texturing at a high target angle (f). We have characterized the films and applied it as a front electrode of a single junction amorphous silicon solar cell. At a lower f the deposited films show higher values of optical gap (Eg), charge carriers mobility & concentration, crystallite grain size and wider wavelength range of transmission. At higher target angle the sheet resistance, surface roughness, haze factor etc for the films increase. For f=72.5o the haze factor for diffused transmission becomes 6.46% at 540 nm wavelength. At f=72.5o the material shows a reduction in crystallinity and evolution of a hemispherical-type sub-micron surface textures. A Monte Carlo method (MCM) of simulation of the AZO film deposition shows that such an enhanced self-surface texturing of the films at higher f is possible.
Ji, H.K.;Kim, J.P.;Song, J.Y.;Choi, Y.W.;Park, C.S.;Park, N.K.;Kil, G.S.
Journal of the Korean Society of Safety
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v.28
no.5
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pp.15-20
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2013
This paper dealt with melting characteristics of low-voltage miniature cartridge fuse used for 220 V electronic equipment. The experimental sample is low-voltage miniature cartridge fuse with rating of 250 V(3A) and size of $5{\times}20$ mm. In order to evaluate melting and scattering characteristics of the fuse, we applied to 8/20 ${\mu}s$ surge current, overload current and external thermal stress such as flame of fire. From the experimental results, the fuse element was melted and scattered by applied surge current(above 0.79 kA) and overload current(above 4.5 A). It was also attached to the inner surface of the fuse tube. The fuse element was attached as a thin film on inner surface of fuse tube when large surge current was applied. It was confirmed, however, the fuse element was not changed by external thermal stress such as flame and hot-air.
Single crystal growth of $BaFe_{12}O_{19}$ by the solid state crystal growth method was attempted. Seed crystals of ${\alpha}-Fe_2O_3$ were pressed into pellets of $BaFe_{12}O_{19}$ + 2 wt% $BaCO_3$ and heat-treated at temperatures between $1150^{\circ}C$ and $1250^{\circ}C$ for up to 100 hours. Instead of single crystal growth taking place on the seed crystal, BaO diffused into the seed crystal and reacted with it to form a polycrystalline reaction layer of $BaFe_{12}O_{19}$. The microstructure, chemical composition and structure of the reaction layer were studied using scanning electron microscopy-energy dispersive spectroscopy (SEM-EDS), x-ray Diffraction (XRD) and micro-Raman scattering and confirmed to be that of $BaFe_{12}O_{19}$. XRD showed that the reaction layer shows a strong degree of orientation in the (h00)/(hk0) planes in the sample sintered at $1200^{\circ}C$. $BaFe_{12}O_{19}$ layers with a degree of orientation in the (hk0) planes could also be grown by heat-treating an ${\alpha}-Fe_2O_3$ seed crystal buried in $BaCO_3$ powder.
We have performed Brillouin light scattering experiments to study the elastic properties of Cr films deposited on soda-lime glasses by using Ar-ion assisted deposition techniques. The elastic constants of the films increased as the ion-current density employed during the film deposition increases and they approached to the values of bulk Cr. The best fit values of the elastic constants of the films manufactured with ion current density of $400\muA/cm^{2}$are $c_{11}=296, c_{13}=83, c_{33}=289$, and $c_{55}=c_{44}=108(\times10^9/N/m^{2}}$ and these are 5% lower than those of bulk Cr in hexagonal symmetry. metry.
Proceedings of the Korean Institute of Electrical and Electronic Material Engineers Conference
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2004.04b
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pp.1-4
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2004
Polycrystalline CdSe thin films were grown on ceramic substrate using a chemical bath deposition(CBD)method. They were annealed at various temperature and X-ray diffraction patterns were measured by X-ray diffractometer in order to study CdSe polycrystal structure. Using extrapolation method of X-ray diffraction patterns for the CdSe samples annealed in $N_2$ gas at $450^{\circ}C$ it was found hexagonal structure whose lattice parameters $a_0$ and $c_0$ were $4.302{\AA}$ and 7.014 ${\AA}$, respectively. Its grain size was about 0.3 ${\mu}m$. Hall effect on this sample was measured by Van der Pauw method and studied on carrier density and movility depending on temperature. From Hall data, the mobility was likely to be decreased by piezo electric scattering at temperature range of 33K and 200K, and by polar optical scattering at temperature range of 200K and 293K. We measured also spectral response, sensitivity$(\gamma)$, maximum allowable power dissipation and response time on these samples.
Kim, Na-Young;Oh, Min-Kyung;Park, Sung-Ho;Kim, Seong-Kyu;Hong, Byung-Hee
Bulletin of the Korean Chemical Society
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v.31
no.4
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pp.999-1003
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2010
Raman spectra of a single layer graphene sheet placed in different gold substrates were obtained and are discussed in the context of surface enhanced Raman scattering (SERS). The gold substrates were composed of a combination of a thermally deposited gold film and a close-packed gold nanosphere layer. The SERS effects were negligible when the excitation wavelength was 514 nm, while the Raman signals were enhanced 3-to 50-fold when the excitation wavelength was 633 nm. The large SERS enhancement accompanied a spectral distortion with appearance of several unidentifiable peaks, as well as enhancement of a broadened D peak. These phenomena are interpreted as the local field enhancement in the nanostructure of the gold substrates. The difference in the enhancement factors among the various gold substrates is explained with a model in which the spatial distribution and polarization of the local field and the orientation of the inserted graphene sheet are considered important.
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[게시일 2004년 10월 1일]
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