In conventional line scan angiography, flow signal has been enhanced by the time_of_flight effect while the signal from stationary tissues has been suppressed by the saturation rf pulse followed by spoiling gradients. Due to the inhomogeneous rf field and the tissue dependent T1 relaxation time, however, stationary tissues can not be suppressed completely or uniformly, and the remnant stationary signal deteriorates the resultant angiogram. Here, the complete cancellation of stationary tissues is made possible by the spectral analysis of a series of repetitive line images of the same slice. The Fourier transformation of a set of line images results in the spectrum images, where stationary tissues are collected into the dc component while arteries are included in harmonic components because of the variation of the flow velocity and the resultant flow signal in arteries according to the cardiac cycle. The summation of harmonic components excluding the dc component results in the angiogram of arteries with the complete cancellation of stationary tissues.
Journal of Korean Society for Atmospheric Environment
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v.15
no.2
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pp.191-199
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1999
This study evaluated the availability as an alternative adsorbent which is cheaper and more efficient than CuO/${\gamma}$-$Al_2O_3$ which have been studing vigorously to remove $SO_2$. Five adsorbents (CuO/${\gamma}$-$Al_2O_3$, Iron ore, Slag, LD slag, $Fe_2O_3$) was employed in a fixed bed reactor. $SO_2$ breakthrough curves were obtained as a function of temperature, initial gas velocity and particle size. Saturation capacities calculated by the numerical integration of breakthrough curves of $SO_2$ increased with increasing reaction temperature. $SO_2$ breakthrough curve equation of $Fe_2O_3$ for this system can be expressed as Kr=3,914,000 exp(-37,329.86/RT). By means of the breakthrough curve, the influence of bed height on breakthrough time was also estimated.
Transactions of the Korean Society of Mechanical Engineers
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v.12
no.1
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pp.81-94
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1988
A series of experiments was performed in this study to investigate the boiling heat flux between an impinging water jet and a hot surface. Test variables were surface roughness, jet velocity, saturation temperature excess of surface, nozzle diameter and the gap distance between nozzle plate and the hot surface. In order to make the impinged cooling water a forced flow streaming a long the hot surface immediately after the initial impingement, the flat nozzle tip was extended to a circular flat plate having the same diameter as the hot surface. Utilizing the dimensionless parameter study on continuity, momentum and energy equations, 5 groups of variables involved in the nucleate boiling heat transfer were derived so that it is possible to estimate the increased heat flux by impinging water jet in a similar experimental work. For the case of saturated water being impinging onto a high temperature surface, an applicable correlation among dimensionless parameters describing the heat flux was found to be as follow.
Transactions of the Korean Society of Mechanical Engineers
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v.18
no.5
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pp.1275-1287
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1994
Heat transfer performance improvement by fin and grooves is studied for condensation of R-11 on integral-fin tubes. Eight tubes with trapezoidal shaped integral-fins having fin densities from 748 to 1654 fpm and 10, 30 grooves are tested. A plain tube having the same diameter as the finned tubes is also tested for comparison. R-11 condenses at saturation state of $32^{\circ}C$ on the outside tube surface cooled by inside water flow. All of test data ate taken at steady state. Beatty and Katz's, Rudy's and Webb's theoretical models are used to predict the R-11 condensation coefficient of tubes having 748, 1024 and 1299 fpm. The predicted value by Betty and Katz's model is within 10% of experimental values in this study at fpm<1024 and Rudy's model predicted the experimental data at fpm>1024 within 15%. The tube having fin density of 1299 fpm and 30 grooves has the best overall heat transfer performance. This tube shows the overall heat transfer coefficient of 11500 $W/m^{2}K$,/TEX> at coolant velocity of 3.0m/s.
Korean Journal of Air-Conditioning and Refrigeration Engineering
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v.8
no.1
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pp.140-150
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1996
CFC-12, which has been used most widely in automobile air conditioners and household refrigerators is scheduled to be phased out soon because of its high ozone depletion potential. Now HFC-134a is suggested as an alternative refrigerant for CFC-12. In this Study, we intended to investigate how PAG oil influence evaporation heat transfer and flow pattern, using R-134a and PAG oil influences evaporation heat transfer and flow pattern, using R-134a and PAG oil in the horizontal miro-fin evaporation tube. Experiments were conducted under the flowing est conditions : mass velocity 86-250kg/$m^2$s, heat flux 5-30 ㎾/$m^2$, oil concentration 0-21 wt.% and saturation temperature 5$^{\circ}C$. Local evaporation heat transfer coefficients were found to be higher at the top, side and bottom of the tube in this order. Average heat transfer coefficients turned out to increase with oil concentration increment up to 3 wt.% oil concentration, whereas heat transfer coefficients gradually decreased over 3 wt.% oil concentration, because of oil-rich liquid film was formed on the heat transfer surface. Flow patterns were rapidly transitioned to annular regimes up to 3 wt.% oil concentration. In case of pure refrigerant, measured heat transfer coefficients in the experiments were similar to those of Kandlikar's correlation.
Transactions of the Korean Society of Mechanical Engineers B
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v.23
no.7
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pp.881-892
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1999
Experiment was performed to study the characteristics of pressure drop of multi-channel tubes for automotive condenser using HFC-134a. Single phase liquid and two phase flow pressure drop were measured in one rectangular plain and three micro-fin tubes with 10 channels. Data are presented for the following range of variables: mass flux(200 to $600kg/m^2s$), and inlet saturation pressure of the refrigerant(1.0 and 1.6MPa). For subcooled flow, pressure drops are 10% and 12% higher than that predicted by the Petukhov equation with hydraulic diameter respectively. Two-phase flow pressure drop are compared with the previously proposed correlations, and well predicted by modified correlation that was derived from Traviss correlation. and correlated within -30~+20%. Also experimental data are correlated within -56%~+18% by Webb's prediction method based on the equivalent mass velocity concept originally proposed by Akers et al.
Korean Journal of Air-Conditioning and Refrigeration Engineering
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v.14
no.9
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pp.756-765
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2002
Experimental work was performed on the flow characteristics of R-22 and R-l34a in small diameter tubes. The experimental apparatus was made up of liquid pump, pre-heater, sight-glass, condenser and measurement instruments. The sight-glass for flow pattern observations was located at the outlet of the pre-heater. The experiment was carried out to show the flow characteristics of R-22 and R-l34a. Data were taken with test conditions in the following ranges; the mass flux was ranged from 100 to 1,000 kg/$m^2s$, the saturation temperature was $30^{\circ}C$ and the vapor quality was ranged from 0.1 to 0.9. The main results were summarized as follows; In the flow patterns during evaporation, the annular flow in a 2 mm inner diameter tube occurred at a relatively lower quality and mass velocity, compared to the flow in a 8mm inner diameter tube. The evaporation flow in small diameter tubes has been shown major deviations with the Mandhane, Taitel-Dukler's and Wambs-ganss' flow pattern maps but it was similar to the Dobson's flow pattern map.
Compared with Si MOSFETs, the GaN FET has many advantages in a wide band gap, high saturation drift velocity, high critical breakdown field, etc. This paper compares the electrical properties of GaN FETs and Si MOSFETs. The soft-switching condition and power loss analysis in a flyback-forward high gain DC/DC converter with a GaN FET is presented in detail. In addition, a comparison between GaN diodes and Si diodes is made. Finally, a 200W GaN FET based flyback-forward high gain DC/DC converter is established, and experimental results verify that the GaN FET is superior to the Si MOSFET in terms of switching characteristics and efficiency. They also show that the GaN diode is better than the Si diode when it comes to reverse recovery characteristics.
Kim, Jong-Ryeul;Jung, Jong-Chuck;Kim, Young-Cig;Sung, Man-Young;Cho, Ho-Yeol
Proceedings of the KIEE Conference
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1993.07b
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pp.1247-1249
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1993
In this paper, NUDFET(NonUniformly Doped Field Effect Transistor) is presented as an alternative which offers the possibility of reducing the power necessary to operate switching circuits without a substantial loss in speed. The purpose of this NUDFET is to modify the electric field profile in order to cause carrier velocity saturation to occur at a lower voltage than it would occur in the uniformly doped device of the same channel length. The more MESFET and NUDFET circuits are realized, the more accurate model ins the performance of these devices become required. Analytic model ins was replaced by numerical analysis because of the complexity of device configuration. In this paper, FEM is selected because of simpler local mesh refinement and smaller computer memory than FDM. For accurate analysis, this paper has applied the Scharfetter-Gummel(S-G) Scheme and seven-point Gaussian Quadrature rule to assembly of the finite-element stiffness matrices and right-hand side vector of the semiconductor equations.
Journal of the Korean Institute of Electrical and Electronic Material Engineers
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v.22
no.2
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pp.128-131
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2009
Silicon carbide (SiC) has attracted significant attention for high frequency, high temperature and high power devices due to its superior properties such as the large band gap, high breakdown electric field, high saturation velocity and high thermal conductivity. We performed Al ion implantation processes on n-type 4H-SiC substrate using a SILVACO ATHENA numerical simulator. The ion implantation model used Monte-Carlo method. We simulated the effect of channeling by Al implantation in both 0 off-axis and 8 off-axis n-type 4H-SiC substrate. We have investigated the effect of varying the implantation energies and the corresponding doses on the distribution of Al in 4H-SiC. The controlled implantation energies were 40, 60, 80, 100 and 120 keV and the implantation doses varied from $2{\times}10^{14}$ to $1{\times}10^{15}\;cm^{-2}$. The Al ion distribution was deeper with increasing implantation energy, whereas the doping level increased with increasing dose. The effect of post-implantation annealing on the electrical properties of Al-implanted p-n junction diode were also investigated.
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[게시일 2004년 10월 1일]
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