Simulation Study of ion-implanted 4H-SiC p-n Diodes
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Lee, Jae-Sang
(광운대학교 전자재료공학과)
Bahng, Wook (한국전기연구원 고집적전원연구그룹) Kim, Sang-Cheol (한국전기연구원 고집적전원연구그룹) Kim, Nam-Kyun (한국전기연구원 고집적전원연구그룹) Koo, Sang-Mo (광운대학교 전자재료공학과) |
1 | J. Richmond, S. H. Ryu, M. Das, S. Krishnaswami, S. H. Jr, A. Agrwal, and J. Palmour, “An overview of cree silicon carbide power devices', IEEE Aerospace Conf., p. 37, 2004 |
2 | C. Dutto, E. Fogarassy, D. Mathiot, D. Muller, P. Kern, and D. Ballutaud, 'Long- pluse duration excimer laser annealing of Al+ ion implanted 4H-SiC for pn junction formation', Applied Surface Science, Vol. 208, p. 292, 2003 DOI ScienceOn |
3 | Y. Negoro, T. Kimoto, and H. Matsunami, 'Electrical activation of high-concentration aluminum implantrd in 4H-SiC', J. Applied physics, Vol. 96, No. 9, p. 4916, 2004 DOI ScienceOn |
4 | H. O. Olafsson, G. Gudjonsson, F. Allerstam, E. O. Sveinbjornsson, T. Rodle, and R. Jos, 'Stable operation of high mobility 4H-SiC MOSFETs at elevated temperatures', IEEE. Eelctrons Letters, Vol. 41, p. 825, 2005 DOI ScienceOn |
5 | 이원선, 오충완, 최재승, 신동현, 이형규, 박근형, 김영석, '고온 응용을 위한 SiC MOSFET 문턱전압 모델', 전기전자재료학회논문지, 15권, 7호, p. 559, 2002 DOI |
6 | 김형준, 나훈주, 정재경, 'SiC 반도체 공정 및 소자기술 연구 현황', 전기전자재료학회논문지, 13권, 3호, p. 9, 2000 |
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