• Composites Research
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• 제12권3호
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• pp.36-44
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• 1999

In-situ process에 의한 $Al_2O_{3p}/Al$기 복합재료 제조시, Mg의 첨가형태와 함량, 공정온도 및 유지시간이 응용Al의 침투거동과 미세조직 및 경도에 미치는 영향을 조사하였다. Mg분말과 $Al_2O_3$입자의 혼합분말에 순 Al을 침투시켜 복합재를 제조하는 경우, 침투율에 영향을 주는 가장 유력한 변수는 Mg분말의 함량이며, Mg의 활발한 반응으로 $700^{\circ}C$의 낮은 온도에서도 침투가 가능했다. 한편 Al-Mg합금을 $Al_2O_3$입자에 침투시켜 복합재를 제조하는 경우 Mg함량과 공정온도에 관계없이 거의 동일한 침투율을 나타냈으며 침투 가능한 공정온도는 $800^{\circ}C$이었다. Mg과 $Al_2O_3$의 혼합분말로 제조한 복합재가 Al-Mg합금으로 제조한 복합재 보다 월등히 높은 경도를 나타냈으나, 과도한 계면방응에 의한 불균일한 강화상의 분산으로 경도의 산포도는 컸다.

• Parasites, Hosts and Diseases
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• 제34권2호
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• pp.135-142
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• 1996

톡소포자충(Toxoplosma gondii) 주요막단백질의 하나인 30 kDa 단백질(p30)의 항원부위를 결정하고자 p30의 아미노산 분석에 따른 친수성 부위 및 혐수성 부위에 맞게 유전자를 증폭하고 발현시켜 항원성을 검토하였다 p30의 절편으로는 p30 전체 p30의 N-말단 Signal Sequence와 C- 탈단의 혐수성 부위를 제거한 S28. S28의 N-말단 2/3부위인 Al9. S28의 C-말단 2/3부위인 Pl9. 528의 N-탈난 1/3부위인 X9 중앙 1/3부위인 Y10 및 C-말단 1/5부위인 Z9로 구성하였다. 각절편에 대한 primer에는 EcoR I의 clampsequence를 포함시켜 중합효소반응으로 증폭시켰으며 G57를 발현하는 pGEX-4T-1 vector에 삽입시킨 후 Eschericha coli(.JM105 strain)에 형질변형시키고 IgG로 각 절편이 GST와 융합단백질로 발현되도록 하였다 SDS-PAGE상에서 p30은 63 kDa. S28는 54 kDa Al9과 Pl9은 각각 45 kDa. X9은 35 kDa. Y10은 36 kDa 및 29은 35 kDa 단백질로 발현되었다. 각각의 단백질은 westemblot상에서 GSTdetectionkit와 잘 반응하여 융합단백질임을 확인하였다. 톡소포자충증 환자 혈청과 westem blot에서 p30. S28 및 Al9은 반응하여 항원성이 인정되었으나 Pl9 . X9, Y10 및 Z9는 반응하지 않았다 따라서. p30의 중간 1/3 부위의 존재하에 N-말단 1/3부위가 항원성을 나타내는 구조적 항원이거나. 첫 1/3부위와 중 간 1/3부위의 경계에 위치한 polypeptide가 항원성을 발현하는 것으로 추정되었다.

• 반도체디스플레이기술학회지
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• 제19권3호
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• pp.49-54
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• 2020

We studied the electronic and magnetic properties for the Mn-doped chalcopyrite (CH) AlAs, GaAs, and AlGaAs₂ semiconductor by using the first-principles calculations. The chalcopyrite AlGaP₂, AlGaAsP, and AlGaAs₂ compounds have a semiconductor characters with a small band-gap. The interaction between Mn-3d and As-4p states at the Fermi level dominate rather than the other states. The ferromagnetic ordering of dopant Mn with high magnetic moment is induced due to the Mn(3d)-As(4p) strong coupling, which is attributed by the partially filled As-4p bands. The holes are mediated with keeping their 3d-electrons, therefore the ferromagnetic state is stabilized by this double-exchange mechanism. We noted that the ferromagnetic state with high magnetic moment is originated from the hybridized As(4p)-Mn(3d)-As(4p) interaction mediated by the holes-carrier.

• 한국토양비료학회지
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• 제10권2호
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• pp.75-78
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• 1977

본시험(本試驗)은 Al 독성(毒性)을 유발하는 Al Form 을 알아보기 위하여 옥수수 유묘(幼苗)를 완전영양액(完全營養液)과 hydroxy Al 용액(溶液) 또는 Al-citrate 용액(溶液)에 번갈아 기른 결과(結果) Hydroxy Al 용액(溶液)에서 기른 옥수수 유묘(幼苗)는 Al 독성(毒性)이 심하게 나타났으나 Al-citrate 용액(溶液)에서는 독성(毒性)이 나타나지 않았다. Al-citrate 용액(溶液) PH7에서 기른 옥수수 유묘(幼苗)는 철부족(鐵不足) 증상이 심하였는데 아마 이것은 PH가 상승함에 따라 Al- 나 Fe- Organic Complexes의 Stability Constant가 낮아져서 Al- 나 Fe- 가 hydroxide로 침전(沈澱)하기 때문인 것 같다. 부식산(腐植酸)의 첨가는 Al 독성(毒性)을 약간 완화(緩和)시켰으나 PH 7.0에서는 심한 철부족(鐵不足) 현상을 일으켰다.

• 대한전기학회논문지
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• 제41권2호
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• pp.170-177
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• 1992

Contact resistance and contact leakage current of the Al/TiSiS12T/Si system are investigated for NS0+T and PS0+T junctions. SALICIDE (Self Aligned Silicide) process was used to make the Al/TiSiS12T/Si system. Titanium disilicide is one of the most common silicides because of its thermal stability, ability to form selective formation and low resistivity. In this paper, RTA temperature effect and Junction implant dose effect were evaluated to characterize contact resistance and contact leakage current. The TiSiS12T contact resistance to NS0+T silicon is lower than that to PS0+T silicon, and TiSiS12T of contact leakage current to NS0+T silicon is lower than that to PS0+T silicon. Contact resistance and contact leakage current of the Al/TiSiS12T/Si system by this method were possible for VLSI application.

• Journal of applied mathematics & informatics
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• 제12권1_2호
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• pp.31-37
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• 2003

In this Paper, we investigate local stability, oscillation and bounde-ness character of positive solutions of the difference equation $X_{N+l}$ = $\alpha$ + ( $X_{N-1}$$^{P/)}$( $X_{N}$$^{P}$), n = 0, 1, … under specified conditions.s.tions.s.

• Bulletin of the Korean Chemical Society
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• 제7권6호
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• pp.442-444
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• 1986

Starting with the readily available p-tert-butyl-calix[4]arene 2, tert-butyl groups are removed by $AlCl_3$-catalyzed de-alkylation reaction, and the calix[4]arene 3 formed is converted to the tetraacetate 4. This compound undergoes Fries rearrangement to yield p-acetylcalix[4]arene 6, which seems to be an attractive starting material for the introduction of functional groups. As a preliminary experiment p-(1-hydroxyethyl)calix[4]arene 7 is prepared by LiAlH$_4$ reduction of 6.

• 마이크로전자및패키징학회지
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• 제24권4호
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• pp.79-84
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• 2017

태양전지와 같은 광전소자의 특성 및 신뢰성 유지하기 위해서는 수분과 산소 등으로 부터 소자 내부가 보호되어야 한다. 본 연구는 여러 연성(flexible) 플라스틱 기판위에 유 무기 복합 보호막을 스프레이코팅 방법으로 형성하여 공정조건(노즐 위치, 박막 두께, 기판 구성)에 따른 소자의 보호특성을 연구하였다. 사용된 복합 보호막 재료로서 PVA (polyvinyl alcohol)와 SA(sodium alginate) 혼합 유기 물질(P.S)에 $Al_2O_3$($P.S+Al_2O_3$)과 $SiO_2$($P.S+SiO_2$) 나노 분말을 혼합하여 유 무기 복합 보호막 용액을 합성하였다. 플라스틱 기판 위에 코팅한 보호막의 두께가 $5{\mu}m$에서 91%의 투과율을 나타내었으며 $78{\mu}m$에서 $178{\mu}m$로 두께가 증가할 경우 광 투과율은 81.6%에서 73.6%으로 감소하였다. 또한 합성한 $P.S+Al_2O_3$ 복합재료를 사용하여 PEN(polyethylene naphthalate), PC(polycarbonate) 단일 플라스틱 기판과 Acrylate film과 PC 이중막(Acrylate film/PC double layer) 구조와 $Al_2O_3$ 무기박막과 PEN 이중막($Al_2O_3$ film/PEN double layer) 구조의 기판 위에 $P.S+Al_2O_3$ 용액을 사용하여 수분투과도(water vapor transmission rate, WVTR)와 표면형상 등을 측정하여 최적의 보호막 구조를 확인하였다. 즉, $Al_2O_3$ film/PEN 이중막 기판위에 형성한 보호막의 수분투과 값은 $0.004gm/m^2-day$로 가장 우수한 내 투습 특성을 나타내었다.

• 한국가스학회지
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• 제16권5호
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• pp.7-13
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• 2012

알루미늄 분진폭발특성에 미치는 입경과 농도 변화에 따른 영향을 20 L 구형 분진폭발시험장치를 사용하여 실험적으로 조사하였다. 실험에 사용한 알루미늄 분진의 체적 평균 입경은 15.1 및 $34.8{\mu}m$이다. 실험결과, 평균 입경 $15.1{\mu}m$에서의 폭발하한농도(LEL)는 $40g/m^3$, 최대폭발압력($P_{max}$)은 9.8 bar, 폭발압력상승속도는 ($[dP/dt]_{max}$)는 1852 bar/s이었으며, 평균입경 $34.8{\mu}m$의 경우에는 LEL이 $70g/m^3$, $P_{max}$는 7.9 bar, $[dP/dt]_{max}$는 322 bar/s가 얻어졌다. Al분진의 폭발하한농도는 입경 증가에 따라 증가하는 경향이 관찰되었다. 또한 평균입경 $15.1{\mu}m$에서의 Al분진폭발압력으로부터의 화염전파속도의 계산값은 평균입경 $34.8{\mu}m$의 경우보다 5배의 크기를 나타내었다.

• 한국주조공학회지
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• 제24권2호
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• pp.85-93
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• 2004

Mechanical property of hypereutectic Al-Si alloy is changed according to size and distribution of primary Si. Consequently, the study on the refinement for primary Si is progressed for a long time. But such effect of refinement comes out fading phenomena with the lapse of time. Therefore, this study investigated the optimum condition of primary Si refinement for hypereutectic Al-Si alloy. And we observed various primary Si size with P's fading phenomena. The experiment results were as follows. For experiment of primary Si refinement, we made hypereutectic Al-Si alloy with various amounts of P addition. As a result of experiment, we obtained the fine microstructure at 0.01wt.%P. And the optimum condition of P addition, for preventing from growth of primary Si by P fading, is estimated 0.1wt.%P.