• 대한전자공학회:학술대회논문집
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• 대한전자공학회 2004년도 하계종합학술대회 논문집(2)
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• pp.363-366
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• 2004

PZT thin films were formed by rf-magnetron sputtering on $Pt/Ti/SiO_2/Si$ substrate. Bulk PZT target containing $5\%$ excess PbO was used. They were formed with in-situ process at $650^{\circ}C$ as total thickness of 175 and 250 nm after the depositing of thin PZT films at room temperature, i. e. 2-step Sputtering. It was found that the ferroelectric perovskite phase is formed at $650^{\circ}C$ by XRD and the interface between room temp.-layer and $650^{\circ}C$ -layer is not existent. In the samples undergoing 2-step sputtering the dielectric constant was 600 or more and the leakage current density was $2{\times}10^{-7}A/cm^2$. So, we found that the room temp.-layer on the bottom electrode stabilize the underlaid layers.

• 마이크로전자및패키징학회지
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• 제13권1호통권38호
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• pp.17-22
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• 2006

2단계 스퍼터링으로 강유전 PZT 박막을 형성시켜 유전특성과 전도기구를 조사하였다. 또한 PZT 박막 내의 carrier를 보상해주기위해 도너 불순물을 도핑하였다. 2단계 스퍼터링으로 상온층 두에를 조절하여 누설전류를 $10^{-7}A/cm^2$ order까지 줄일 수 있었다. 전도기구가 bulk-limited의 하나임을 확인하였고 따라서 적정한 도너 불순물을 채택하였다. 도너 불순물을 도핑한 경우 2단계 스퍼터링한 PZT 박막의 누설전류 특성은 $10^{-8}A/cm^2$ order까지 개선되었다.

• 마이크로전자및패키징학회지
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• 제11권3호
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• pp.91-97
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• 2004

PZT 박막을 rf-마그네트론 스퍼터링으로 $Pt/Ti/SiO_2/Si$ 기판 위에 형성시켰다. $5\%$ 과잉 PbO 를 포함한 bulk PZT 타겟을 사용하였다. 상온에서 PZT 박막을 얇게 입힌 후 나머지 두께를 $650^{\circ}C$에서 in-situ 방법으로 형성시켰다. 강유전 특성을 갖는 PZT 상은 $650^{\circ}C$에서 형성되었다. 2단계 스퍼터링에 의해 누설전류 특성을 크게 증진시킬 수 있었고, 적절한 두께의 상온층을 포함시킨 경우 $2{\times}10^{-7}A/cm^2$의 매우 작은 누설전류를 나타냈다. 누설전류 기구에 대한 조사 결과, 여러 조건에서 제조된 PZT 박막의 전기전도는 모두 bulk-limit 기구에 의한 것임을 알 수 있었다.