Ultra shallow $p^{+}$ n junction formation using the boron diffusin form epi-co silicide
(에피 코발트 실리사이드막으로 부터의 붕소 확산을 이용한 극저층 $p^{+}$ n 접합 형성)
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- Journal of the Korean Institute of Telematics and Electronics A
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- v.33A no.7
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- pp.134-142
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- 1996