• 제목/요약/키워드: random phase

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상변화 메모리 응용을 위한 Sb을 첨가한 $Ge_1Se_1Te_2$ 박막의 상변화 특성 (Phase-Change Properties of the Sb-doped $Ge_1Se_1Te_2$ thin films application for Phase-Change Random Access Memory)

  • 남기현;최혁;구용운;정홍배
    • 한국전기전자재료학회:학술대회논문집
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    • 한국전기전자재료학회 2007년도 하계학술대회 논문집 Vol.8
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    • pp.156-157
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    • 2007
  • For tens of years many advantages of Phase-Change Random Access Memory(PRAM) were introduced. Although the performance improved gradually, there are some portions which must be improved. So, we studied new constitution of $Ge_1Se_1Te_2$ chalcogenide material to improve phase transition characteristic. Actually, the performance properties have been improved surprisingly. However, crystallization time was as long as ever for amorphization time. We conducted this experiment in order to solve that problem by doping-Sb.

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새로운 2상 랜덤 펄스 위치 PWM기법 (A New Two-Phase Random Pulse Position PWM Scheme)

  • 魏 昔 吾;鄭 榮 國;羅 碩 煥;任 永 徹
    • 전력전자학회논문지
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    • 제7권2호
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    • pp.194-204
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    • 2002
  • 본 연구에서는 각 상의 PWM 펄스를 개별적으로 랜덤하게 위치시킬 수 있는 새로운 2상 공간벡터 RPWM (Random PWM) 기법을 제안하고 있다. 제안된 방식은 각 2상 펄스들을 변조 구간 내에서 임의의 위치에 랜덤하게 배치하고 이를 기준으로 한 인버터 스위칭에 의해 고조파의 스펙트럼을 광대역화 하는 RPWM 기법이다. 제안된 방법의 타당성을 검증하기 위하여, 16비트 고성능 마이크로 콘트롤러Cl67 기반의 실험을 수행하였다 제안된 2상 RPWM에 의한 인버터 출력 선간 전압과 직류 링크 전류의 고조파 스펙트럼 및 모터의 가청 스위칭 소음 저감효과를 종전의 방식과 비교 검토하였으며, 제안된 방법의 우수성을 입증할 수 있었다.

A Topological Analysis of Large Scale Structure Using the CMASS Sample of SDSS-III

  • 최윤영;김주한;김성수
    • 천문학회보
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    • 제38권2호
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    • pp.56.2-56.2
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    • 2013
  • We study the three-dimensional genus topology of large-scale structure using the CMASS Data Release 11 sample of the SDSS-III Baryon Oscillation Spectroscopic Survey (BOSS). The CMASS sample yields a genus curve that is characteristic of one produced by Gaussian random-phase initial conditions. The data thus supports the standard model of inflation where random quantum fluctuations in the early universe produced Gaussian random-phase initial conditions. Modest deviations in the observed genus from random phase are as expected from the nonlinear evolution of structure. We construct mock SDSS CMASS surveys along the past light cone from the Horizon Run 3 (HR3) N-body simulations, where gravitationally bound dark matter subhalos are identified as the sites of galaxy formation. We study the genus topology of the HR3 mock surveys with the same geometry and sampling density as the observational sample, and the observed genus topology to be consistent with LCDM as simulated by the HR3 mock samples.

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분산 제어가 적용된 광전송 링크에서 RDPS의 랜덤 분포 조건 (Condition of Random Distribution of Residual Dispersion Per Span (RDPS) in Optical Transmission Links with Dispersion Management)

  • 이성렬
    • 한국정보통신학회:학술대회논문집
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    • 한국해양정보통신학회 2011년도 추계학술대회
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    • pp.650-652
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    • 2011
  • 축적된 분산(dispersion)과 비선형 효과에 의한 광 신호의 왜곡을 보상하기 위해 중계 구간의 잉여 분산 (RDPS; residual dispersion per span)이 랜덤하게 분포하는 분산 제어 (DM; dispersion management)가 적용되고 전체 전송로 중간에 광 위상 공액기 (OPC; optical phase conjugator)를 둔 광전송 링크를 통해 40 Gbps 광 신호를 최상의 성능으로 전송하기 위한 RDPS 랜덤 분포 조건을 도출하였다.

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간섭의 원리를 이용한 이진 위상의 광학적 암호화 시스템 (Binary Phase-based Optical Encryption System Using the Principle of Interference)

  • 서동환;신창목;김수중
    • 대한전자공학회논문지SD
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    • 제40권1호
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    • pp.29-35
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    • 2003
  • 본 논문에서는 위상 변조된 영상과 간섭이 원리를 이용한 영상 복호화 수준을 향상시키는 방법을 제안하였다. 원 영상과 무작위 영상은 이진 데이터 값을 가지고 위상 변조된 원 영상은 무작위 위상 변조된 키와 곱함으로씨 이진 위상 영상으로 암호화하였다. 이때 각각의 위상 변조된 영상물의 위상값은 0과 π이다. 제안한 복호화 과정은 암호화에 사용된 동일한 무작위 위상 변조된 기와 암호화된 영상을 정합시킨 영상과 가족과의 간섭에 의해서 간단히 복원될 수 있다. 컴퓨터 시뮬레이션과 광 실험을 통하여 제안한 방법이 광 암호화 시스템에 적합함을 확인하였다.

Scaling Down Characteristics of Vertical Channel Phase Change Random Access Memory (VPCRAM)

  • Park, Chun Woong;Park, Chongdae;Choi, Woo Young;Seo, Dongsun;Jeong, Cherlhyun;Cho, Il Hwan
    • JSTS:Journal of Semiconductor Technology and Science
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    • 제14권1호
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    • pp.48-52
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    • 2014
  • In this paper, scaling down characteristics of vertical channel phase random access memory are investigated with device simulator and finite element analysis simulator. Electrical properties of select transistor are obtained by device simulator and those of phase change material are obtained by finite element analysis simulator. From the fusion of both data, scaling properties of vertical channel phase change random access memory (VPCRAM) are considered with ITRS roadmap. Simulation of set reset current are carried out to analyze the feasibility of scaling down and compared with values in ITRS roadmap. Simulation results show that width and length ratio of the phase change material (PCM) is key parameter of scaling down in VPCRAM. Thermal simulation results provide the design guideline of VPCRAM. Optimization of phase change material in VPCRAM can be achieved by oxide sidewall process optimization.

도플러 특성 개선을 위한 랜덤 위상 및 부호율 천이 기반 저피탐 레이다 파형 (The Low Probability of Intercept RADAR Waveform Based on Random Phase and Code Rate Transition for Doppler Tolerance Improvement)

  • 이기웅;이우경
    • 한국전자파학회논문지
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    • 제26권11호
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    • pp.999-1011
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    • 2015
  • 전자전(Electronic Warfare) 상황에서 레이다는 재머에 의해 전파교란공격(ECM: Electronic Counter Measures)을 받게 된다. Linear-FM 신호는 도플러 특성이 우수하고, 신호의 구현이 용이하여 레이다에서 주로 사용되어 왔지만, 반복된 패턴에 의해 피탐 확률이 높고, 신호 특성변수 추정이 가능하여 기만재밍에 취약하다. 최근 제안된 APCN(Advanced Pulse Compression Noise) 신호는 랜덤 진폭과 랜덤 위상코드로 이루어진 신호로서, 저피탐 성능이 우수한 신호이다. 하지만, APCN 신호를 비롯한 일반적인 위상코드 신호는 도플러 특성이 좋지 않으므로, 주파수 천이에 의해 신호수신 성능이 저하될 수 있다. 따라서 본 논문에서는 도플러 특성을 개선하기 위한 방안으로 랜덤 위상천이 및 부호율 천이(RPCR: Random Phase and Code Rate transition) 레이다 신호 파형을 제안하고, 도플러 성능과 저피탐 성능을 분석하였다. Ambiguity 함수를 이용하여 부호율 천이에 의한 도플러 특성 개선을 제시하며, WHT(Wigner-Hough Transform)을 이용한 신호 특성 변수 추정 실험을 통해 RPCR 신호의 저피탐 성능을 분석하고, 전파교란대응책(ECCM: Electronic Counter Counter Measures)으로의 가능성을 확인한다.

이중 임의 위상판을 이용한 광학상의 암호화 및 암호화 수준 분석 (Optical image encryption by use of double random phase mask and analysis of its encryption level)

  • 김병철;차성도;신승호
    • 한국광학회지
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    • 제13권1호
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    • pp.79-83
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    • 2002
  • 회전항을 첨가한 임의 위상판(random phase mask; RPM)을 이용하여 광학상 암호화 장치의 암호화수준을 향상시키는 방법을 제시하였다. 이중 임의 위상판으로 암호화된 광학상은 광굴절 LiNbO$_3$:Fe 결정에 기록되고 위상공액파를 이용하여 재생하였으며, 세기변조 함수를 이용하여 아날로그 입력상에 대한 암호화 수준을 분석하였다.

하부전극 구조 개선에 의한 상변화 메모리의 전기적 특성 (Electrical characteristic of Phase-change Random Access Memory with improved bottom electrode structure)

  • 김현구;최혁;조원주;정홍배
    • 한국전기전자재료학회:학술대회논문집
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    • 한국전기전자재료학회 2006년도 추계학술대회 논문집 Vol.19
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    • pp.69-70
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    • 2006
  • A detailed Investigation of cell structure and electrical characteristic in chalcogenide-based phase-change random access memory(PRAM) devices is presented. We used compound of Ge-Sb-Te material for phase-change cell. A novel bottom electrode structure and manufacture are described. We used heat radiator structure for improved reset characteristic. A resistance change measurement is performed on the test chip. From the resistance change, we could observe faster reset characteristic.

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Optical Encryption System using a Computer Generated Hologram

  • Kim, Jong-Yun;Park, Se-Joon;Kim, Soo-Joong;Doh, Yang-Hoi;Kim, Cheol-Su
    • Journal of the Optical Society of Korea
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    • 제4권1호
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    • pp.19-22
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    • 2000
  • A new image encoding and identification scheme is proposed for security verification by us-ing a CGH(computer generated hologram), random phase mask, and a correlation technique. The encrypted image, which is attached to the security product, is made by multiplying a QP- CGH(quadratic phase CGI) with a random phase function. The random phase function plays a key role when the encrypted image is decrypted. The encrypted image can be optically recovered by a 2-f imaging system and automatically verified for personal identification by a 4-f correlation system. Simulation results show the proposed method can be used for both the reconstruction of an original image and the recognition of an encrypted image.