유전자재조합 소 소마토트로핀(recombinant bovine somatotropin, rBST)은 인슐린양성장인자(IGF)-1의 합성과 분비량 조절에 의해 당과 아미노산의 흡수 및 단백질합성의 촉진을 통한 체내흡수 영양소 이용효율 증가, 산유량 증진 및 증체 효과, 세포증식의 촉진작용 등이 있는 것으로 보고(Bauman, 1982; Mears, 1995; 권 등, 1997)된 바 있으며, 또한 최근에 젖소 및 육우빈우의 인공수정시 rBST를 투여하였을 때 1회 수정수태율, 혈중 progesterone 농도 및 IGF-1 농도 등에 영향을 미치는 것으로 보고하였다(Lucy 등, 1994; Bilby 등, 1999; Morales-Roura 등, 2001). (중략)
The purpose of this study is to investigate the pharmacokinetics and tissue distribution of recombinant bovine somatotropin (rBST) after subcutaneous adminstration of $^{125}I-rBST$ in male and female rats. A solid state conjugation (Iodo-bead$^{(R)}$) method was confirmed useful for producing $^{125}I-rBST$ because the administration of the conjugated form enabled enough to determine time- concentration relationships of rBST in rats. Subcuatenous administrations showed sex differences that female ($t_{1/2,kc}$, 2.87 h) revealed rapid elimination as compared to male ($t_{1/2,ke}$, 4.81 h), with the absorption ($t_{1/2,ka}$ in male being 0.3 h and that in female 0.75 h) in the reverse order. For subcutaneous administration of rBST in male rats, the liver was the highest in amount, followed by kidney, testes, muscle, and stomach, at the slaughtering tame of 1, 6, 12 and 24 h. But the testes was the highest at the 48 h slaughtered animals, followed by liver, kidney, stomach, and muscle. In slaughtered females at 1, 6, and 12 h after the administration of rBST, the liver was the highest, followed by ovary, kidney, small intestine, and stomach. At 24 and 48 h slaughtered female rats, the ovary was the highest, the liver the second, and the kidney the third.
The dielectric properties of $(Ba_{0.5}Sr_{0.5})TiO_3$ ferroelectric thin films have been investigated according to the substrates in order to optimize the their properties. MgO, r-plane sapphire, and poly-crystalline sapphire (Alumina) substrates have been used to deposite $(Ba_{0.5}Sr_{0.5})TiO_3$ ferroelectric thin films by RF magnetron sputtering. The BST thin films deposited on the single crystal (100)MgO substrates have high tunability and low dielectric loss. These results are caused by a low misfit between the lattice parameters of the BST films and the substrate. The BST films deposited on r-plane sapphire have relatively high misfit, and the tunability of 17% and dielectric loss of 0.0007. To improve the dielectric properties of the BST films, the post-annealing methods has been introduced. The BST films deposited on (100)MgO, (1102)r-plane sapphire, and poly-crystalline sapphire substrates have best properties in post-annealing conditions of $1050^{\circ}C$, $1100^{\circ}C$, and $1150^{\circ}C$, respectively. The different optimal post-annealing conditions have been found according to the different misfits between the films and substrates, and thermal expansion coefficients. Moreover, the films deposited on alumina substrate which is relatively cheap have a good tunability properties of 23% by the post-annealing.
Transactions on Electrical and Electronic Materials
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v.4
no.1
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pp.15-20
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2003
NiCr alloys are prepared onto poly-Si/ $SiO_2$/Si substrates to replace Pt bottom electrode with a new one for integration of high dielectric constant materials. Alloys deposited at Ni and Cr power of 40 and 40 W showed optimum properties in the composition of N $i_{1.6}$C $r_{1.0}$. The grain size of films increases with increasing deposition temperature. The films deposited at 50$0^{\circ}C$ showed a severe agglomeration due to homogeneous nucleation. The NiCr alloys from the rms roughness and resistivity data showed a thermal stability independent of increasing annealing temperature. The 80 nm thick BST films deposited onto N $i_{1.6}$C $r_{1.0}$/poly-Si showed a dielectric constant of 280 and a dissipation factor of about 5 % at 100 kHz. The leakage current density of as-deposited BST films was about 5$\times$10$^{-7}$ A/$\textrm{cm}^2$ at an applied voltage of 1 V. The NiCr alloys are possible to replace Pt bottom electrode with new one to integrate f3r high dielectric constant materials.terials.
Objectives : Banhasasim-tang has been clinically used to treat upper gastric intestinal discomfort. The object of this study is to examine the defense effect of Banhasasim-tang for acute duodenal injury of the mouse. Methods and Materials : Twenty-one rats were divided into 3 groups and treated as follows: the control group was untreated mice. The ADE group was acute duodenal-damage-elicited mice. The BST group was Banhasasim-tang treated mice before acute duodenal damage elicitation. The groups were examined with common morphology, paneth cells in intestinal crypt, absorptive cells and goblet cells in epithelium, cell division in mucose, COX-l as mucosal protector, COX-2 (which appears to play an important role in inflammation), IL-2R-inducing cellular immuno-chainreaction, and the distribution of apoptotic cells. Results : 1. Common morphology: the ADE group was observed with duodenal injury - loss of villi, infiltration of cells concerned to inflammation (lymphocytes, granular leukocytes) to submucosal layer - by hemorrhagic erosions, while the BST group was seen the same as normal in proportion to increasing treatment time before injury. 2. Histochemical change: the ADE group was observed with noticeable decreased distribution of absorptive cells with microvilli, acid mucin secreted goblet cell, neutral mucin secreted goblet cell, paneth cells compared to the normal group. The BST group was seen to have distribution of epithelium cells resembling normal in proportion to increasing treatment time before injury. 3. Imnunohistochemical change: the ADE group showed a change of factors leading to duodenal injury as reduce of cytokinesis, COX-1, increase of COX-2, IL-2R-. In contrast, the BST group tended to reduction of cytokinesis, COX-1, increase of COX-2, IL-2R- in proportion to increasing taking time before injury. 4. Apoptosis change: the ADE group showed increasing apoptosis cells, in contrast to the BST group which was the same as normal in proportion to increasing treatment time before injury. Conclusions : According to the above results, by increasing the defense system of mucosal epithelium, Banhasasim-tang is thought to effectively protect tissue against ulcers resulting from acute duodenal injury.
The crystallographic orientations of $Ba_{0.6}$S $r_{0.4}$Ti $O_3$(BST) thin film deposited by a metal-organic chemical vapor deposition on (111) textured Pt electrode were studied with a transmission electron microscopy. The fully crystallized BST thin film (50nm) has (100) and (110) preferred orientations. A high resolution transmission electron microscopy study has revealed the crystallographic orientation relationships between BST thin film and Pt electrode. These relationships explained the preferred orientation of BST film on (111) textured Pt electrode. With these results, we could represent the atomic arrangement at the BST/Pt interface.e.e.
Proceedings of the Korean Institute of Electrical and Electronic Material Engineers Conference
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1999.11a
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pp.125-128
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1999
(Ba$_{0.6}$Sr$_{0.4}$)TiO$_3$(BST) thin films were fabricated with different deposition temperature by Pulsed Laser Deposition(PLD). This BST thin films showed a maximum dielectric constant value of $\varepsilon$$_{r}$=~684 and dielectric loss was ~0.01 when substrate temperature was 75$0^{\circ}C$. Charge storage density of BST thin film was 4.733 [$\mu$C/$\textrm{cm}^2$] and estimated charging time was 0.15 nsec. Leakage current density of BST thin film was below 10$^{-7}$ [A/$\textrm{cm}^2$] at 3V. 3V.V.
Kim, Jin-Cheol;Yoon, Sang-Jun;Yoon, Keum-Hee;Oh, Jun-Rok
Proceedings of the Korean Institute of Electrical and Electronic Material Engineers Conference
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2008.06a
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pp.60-60
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2008
We manufactured Liquid Crystal Polymer (LCP) and (1-x)$BaTiO_3-xSrTiO_3$(BST) ceramic composites and investigated dielectric properties to use as embedded capacitor in printed circuit boards and replace LTCC substrates. The dielectric properties of these composites are varied with volume fraction of BST and ratios of BT/ST. Dielectric constants are in the range of 3~28. In addition, we could get low TCC and High Q value that could not achieve in other ceramic-polymer composites. Especially, in composite with x=0.4 and 50vol% BST, the dieletric constant and Q-value are 27 and 300, respectively. And more TCC is -116~145ppm/$^{\circ}C$ in the temperature range of -55~$125^{\circ}C$. We think that this composites can be used high-Q substrate material like LTCC and embedded temperature compensation capacitor in printed circuit boards.
Proceedings of the Korean Institute of Electrical and Electronic Material Engineers Conference
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1998.11a
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pp.37-40
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1998
(Ba.Sr)TiO$_3$(BST) ceramics were fabricated with different Ba/Sr ratios and the str dielectric properties of the BST bulk ceramics were investigated. As the Ba/sr ratios dielectric constant decreased. (Ba$_{0.7}$Sr$_{0.3}$)TiO$_3$ (BST(70/30)) showed a maximum dielec value of $\varepsilon$$_{r}$=8.856, this showed that the decrease of Ba/Sr ratios had made BST thin dielectrics. Targets were fabricated and made into film by PLD process and the thin film by PLD process have good stoichiometry with the targets.rgets.
Ba$_{0.5}$Sr$_{0.5}$TiO$_3$타겟을 이용 Pt/Ti/SiO/Si 기판 위에 R.F magnetron sputtering 방법으로 BST 박막을 증착하여 다양한 열처리 조건에 따른 BST 박막의 전기적 성질(정전용량, 누설전류)에 대해 박막의 결정성과 미세구조의 연관성에 대하여 연구하였다. BST 박막의 유전상수는 grain size에 영향 받으며, 열처리 온도가 증가할수록 유전상수는 증가함을 보였고 온도에 따른 누설전류는 저전압 영역에서는 Hopping conduction, 고전압 영역에서는 Schottky conduction mechanism을 따르는 것으로 나타났다.
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[게시일 2004년 10월 1일]
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