• 제목/요약/키워드: pulse generator

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Spinal cord stimulation in chronic pain: technical advances

  • Isagulyan, Emil;Slavin, Konstantin;Konovalov, Nikolay;Dorochov, Eugeny;Tomsky, Alexey;Dekopov, Andrey;Makashova, Elizaveta;Isagulyan, David;Genov, Pavel
    • The Korean Journal of Pain
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    • 제33권2호
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    • pp.99-107
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    • 2020
  • Chronic severe pain results in a detrimental effect on the patient's quality of life. Such patients have to take a large number of medications, including opioids, often without satisfactory effect, sometimes leading to medication abuse and the pain worsening. Spinal cord stimulation (SCS) is one of the most effective technologies that, unlike other interventional pain treatment methods, achieves long-term results in patients suffering from chronic neuropathic pain. The first described mode of SCS was a conventional tonic stimulation, but now the novel modalities (high-frequency and burst), techniques (dorsal root ganglia stimulations), and technical development (wireless and implantable pulse generator-free systems) of SCS are becoming more popular. The improvement of SCS systems, their miniaturization, and the appearance of new mechanisms for anchoring electrodes results in a significant reduction in the rate of complications and revision surgeries, and the appearance of new waves of stimulation allows not only to avoid the phenomenon of addiction, but also to improve the long-term results of chronic SCS. The purpose of this review is to describe the current condition of SCS and up-to-date technical advances.

Chronological Changes of C-Reactive Protein Levels Following Uncomplicated, Two-Staged, Bilateral Deep Brain Stimulation

  • Kim, Jae-hun;Ha, Sang-woo;Choi, Jin-gyu;Son, Byung-chul
    • Journal of Korean Neurosurgical Society
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    • 제58권4호
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    • pp.368-372
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    • 2015
  • Objective : The occurrence of acute cerebral infection following deep brain stimulation (DBS) is currently being reported with elevation of C-reactive protein (CRP) level. The aim of the present study was to establish normal range of the magnitude and time-course of CRP increases following routine DBS procedures in the absence of clinical and laboratory signs of infection. Methods : A retrospective evaluation of serial changes of plasma CRP levels in 46 patients undergoing bilateral, two-staged DBS was performed. Because DBS was performed as a two-staged procedure involving; implantation of lead and internal pulse generator (IPG), CRP was measured preoperatively and postoperatively every 2 days until normalization of CRP (post-lead implantation day 2 and 4, post-IPG implantation day 2, 4, and 6). Results : Compared with preoperative CRP levels ($0.12{\pm}0.17mg/dL$, n=46), mean CRP levels were significantly elevated after lead insertion day 2 and 4 ($1.68{\pm}1.83mg/dL$, n=46 and $0.76{\pm}0.38mg/dL$, n=16, respectively, p<0.001). The mean CRP levels at post-lead implantation day 2 were further elevated at post-IPG implantation day 2 ($3.41{\pm}2.56mg/dL$, n=46, respectively, p<0.01). This elevation in post-IPG day 2 rapidly declined in day 4 ($1.24{\pm}1.29mg/dL$, n=46, p<0.05) and normalized to preoperative value at day 6 ($0.42{\pm}0.33mg/dL$, n=46, p>0.05). Mean CRP levels after IPG implantation were significantly higher in patients whose IPGs were implanted at post-lead day 3 than those at post-lead day 5-6 ($3.99{\pm}2.80mg/dL$, n=30, and $2.31{\pm}1.56mg/dL$, n=16, respectively, p<0.05). However, there was no difference in post-IPG day 2 and 4 between them (p>0.05). Conclusion : The mean postoperative CRP levels were highest on post-IPG insertion day 2 and decreased rapidly, returning to the normal range on post-IPG implantation day 6. The duration of post-lead implantation period influenced the magnitude of CRP elevation at post-IPG insertion day 2. Information about the normal response of CRP following DBS could help to avoid unnecessary diagnostic and therapeutic efforts.

$SiO_2/Si_3N_4/SiO_2$$Si_3N_4/SiO_2/Si_3N_4$ 터널 장벽을 사용한 금속 실리사이드 나노입자 비휘발성 메모리소자의 열적 안정성에 관한 연구

  • 이동욱;김선필;한동석;이효준;김은규;유희욱;조원주
    • 한국진공학회:학술대회논문집
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    • 한국진공학회 2009년도 제38회 동계학술대회 초록집
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    • pp.139-139
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    • 2010
  • 금속 실리사이드 나노입자는 열적 및 화학적 안정성이 뛰어나고, 절연막내에 일함수 차이에 따라 깊은 양자 우물구조가 형성되어 비휘발성 메모리 소자를 제작할 수 있다. 그러나 단일 $SiO_2$ 절연막을 사용하였을 경우 저장된 전하의 정보 저장능력 및 쓰기/지우기 시간을 향상시키는 데 물리적 두께에 따른 제한이 따른다. 본 연구에서는 터널장벽 엔지니어링을 통하여 물리적인 두께는 단일 $SiO_2$ 보다는 두꺼우나 쓰기/지우기 동작을 위하여 인가되는 전기장에 의하여 상대적으로 전자가 느끼는 상대적인 터널 절연막 두께를 감소시키는 방법으로 동작속도를 향상 시킨 $SiO_2/Si_3N_4/SiO_2$$Si_3N_4/SiO_2/Si_3N_4$ 터널 절연막을 사용한 금속 실리사이드 나노입자 비휘발성 메모리를 제조하였다. 제조방법은 우선 p-type 실리콘 웨이퍼 위에 100 nm 두께로 증착된 Poly-Si 층을 형성 한 이후 소스와 드레인 영역을 리소그래피 방법으로 형성시켜 트랜지스터의 채널을 형성한 이후 그 상부에 $SiO_2/Si_3N_4/SiO_2$ (2 nm/ 2 nm/ 3 nm) 및 $Si_3N_4/SiO_2/Si_3N_4$ (2 nm/ 3 nm/ 3 nm)를 화학적 증기 증착(chemical vapor deposition)방법으로 형성 시킨 이후, direct current magnetron sputtering 방법을 이용하여 2~5 nm 두께의 $WSi_2$$TiSi_2$ 박막을 증착하였으며, 나노입자 형성을 위하여 rapid thermal annealing(RTA) system을 이용하여 $800{\sim}1000^{\circ}C$에서 질소($N_2$) 분위기로 1~5분 동안 열처리를 하였다. 이후 radio frequency magnetron sputtering을 이용하여 $SiO_2$ control oxide layer를 30 nm로 증착한 후, RTA system을 이용하여 $900^{\circ}C$에서 30초 동안 $N_2$ 분위기에서 후 열처리를 하였다. 마지막으로 thermal evaporator system을 이용하여 Al 전극을 200 nm 증착한 이후 리소그래피와 식각 공정을 통하여 채널 폭/길이 $2{\sim}5{\mu}m$인 비휘발성 메모리 소자를 제작하였다. 제작된 비휘발성 메모리 소자는 HP 4156A semiconductor parameter analyzer와 Agilent 81101A pulse generator를 이용하여 전기적 특성을 확인 하였으며, 측정 온도를 $25^{\circ}C$, $85^{\circ}C$, $125^{\circ}C$로 변화시켜가며 제작된 비휘발성 메모리 소자의 열적 안정성에 관하여 연구하였다.

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커패시터 멀티플라이어를 갖는 CCM/DCM 이중모드 DC-DC 벅 컨버터의 설계 (Design of a CCM/DCM dual mode DC-DC Buck Converter with Capacitor Multiplier)

  • 최진웅;송한정
    • 한국산학기술학회논문지
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    • 제17권9호
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    • pp.21-26
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    • 2016
  • 본 논문에서는 휴대 전자기기의 내부 전원단을 위한, CCM/DCM 기능의 이중모드 감압형 DC-DC 벅 컨버터를 제안한다. 제안하는 변환기는 1 MHz의 주파수에서 동작하며, 파워단과 제어블럭으로 이루어진다. 파워단은 Power MOS 트랜지스터, 인덕터, 커패시터, 제어 루프용 피드백 저항으로 구성된다. 제어부는 펄스폭 변조기 (PWM), 오차증폭기, 램프 파 발생기, 오실레이터 등으로 이루진다. 또한 본 논문에서 보상단의 큰 외부 커패시터는, 집적회로의 면적축소를 위하여 CMOS 회로로 구성되는 멀티플라이어 등가 커패시터로 대체하였다. 또한,. 본 논문에서, 보상단의 외부 커패시터는 집적회로의 면적을 줄이기 위하여 곱셈기 기반 CMOS 등가회로로 대체하였다. 또한 제안하는 회로는 칩을 보호하기 위하여 출력 과전압, 입력부족 차단 보호회로 및 과열 차단 보호회로를 내장하였다. 제안하는 회로는 $0.18{\mu}m$ CMOS 공정을 사용하여, 케이던스의 스펙트라 회로설계 프로그램을 이용하여 설계 및 검증을 하였다. SPICE 모의 실험 결과, 설계된 이중모드 DC-DC 벅 변환기는 94.8 %의 피크효율, 3.29 mV의 리플전압, 2.7 ~ 3.3 V의 전압 조건에서 1.8 V의 출력전압을 보였다.

PXI를 이용한 다목적 물리탐사 측정 시스템 (Multi-purpose Geophysical Measurements System Using PXI)

  • 조성준;김정호;성낙훈;정지민
    • 지구물리와물리탐사
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    • 제8권3호
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    • pp.224-231
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    • 2005
  • 현장 물리탐사 수행 시 상용화된 장비로는 탐사 대상 매질의 물성, 대상체의 크기, 모양 등의 탐사목적 및 현장여건에 의해 탐사가 불가능 하거나 탐사 목적에 맞는 분해능을 얻지 못하는 경우를 종종 만나게 된다. 이러한 다양한 현장 조건 및 탐사 목적에 효과적으로 적용할 수 있는 다목적 물리탐사 측정 시스템을 개발하였다. 이 다목적 측정 시스템은 PXI를 기반으로 하며 A/D 변환기 또는 GPIB 인터페이스를 이용한 측정 장치를 통해 신호를 측정하게 되며 확장성이 커 다양한 문제에 적용이 가능하다. 구성된 측정 시스템을 이용하여 시추공 레이다 탐사 시스템과 시추공 초음파 탐사 시스템, 전자기적 잡음 측정 시스템을 구축하였다. 시추공 레이다 탐사 시스템은 네트워크 분석기를 GPIB를 통해 제어하고 현장 조건에 따라 임의로 안테나의 길이 조절이 가능한 스텝 주파수 레이다 탐사 시스템이며, 시추공 초음파 탐사 시스템은 압전 송수신기 센서, 고출력 송신기와 A/D 변환기로 구성되어 시추공 내에서 초음파를 이용하여 착맥된 지하공동의 범위를 측정하기 위해 구성된 시스템이며, 전자기적 잡음 측정 시스템은 3개의 자기장 센서와 2개의 전기장 센서 그리고 A/D 변환기로 구성되며 임의로 측정시간과 샘플링 주파수의 조절이 가능하고 임의의 시간에 예약 측정이 가능한 시스템이다. 시추공 레이다 탐사 시스템은 상용 시스템으로 불가능했던 지하공동의 넓이와 지장물을 찾는 탐사에서 효과적인 결과를 보여주었으며, 시추공 초음파 탐사 시스템도 지하공동의 넓이를 측정하는 실험에서 가능성을 확인할 수 있었다. 한편 전자기적 잡음 측정 시스템을 이용하여 도심지 내 전자기적 잡음특성을 파악할 수 있었으며, 이를 변형하여 전기비저항 탐사 시 사용되는 다양한 케이블에 대한 케이블 내의 전자기적 유도 현상 및 그에 따른 신호 왜곡을 규명하는 실험에 적용하여 시스템의 확장성을 확인하였다.