Proceedings of the Korean Magnestics Society Conference
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2011.12a
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pp.7-8
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2011
Although yttrium iron garnet (YIG) has provided a great vehicle for the study of spin waves in the past, associated difficulties in film deposition and device fabrication using YIG had limited the applicability of spin waves to practical devices. However, microfabrication techniques have made it possible to characterize both the resonant as well as the travelling characteristics of spin waves in permalloy (Py). A variety of methods have been used for measuring spin waves, including Brillouin light scattering (BLS), magneto-optic Kerr effect (MOKE), vector network analyzer ferromagnetic resonance (VNA-FMR), and pulse inductive microwave magnetometry (PIMM). PIMM is one of the most preferred methodologies of measuring travelling spin waves. In this method, an electrical impulse is applied at one of two coplanar waveguides patterned on top of oxide-insulated Py, producing a local disturbance in the magnetization of the Py. The resulting disturbance travels down the Py in the form of waves, and is inductively picked up by the other coplanar waveguide. We investigate the effect of the pulse width of excitation pulses on the generated spin wave packets using both experimental results and micromagnetic simulations. We show that spin wave packets generated from electrical pulses are a superposition of two separate spin wave packets, one generated from the rising edge and the other from the falling edge, which interfere either constructively or destructively with one another, depending upon the magnitude and direction of the field bias conditions. A method of spin wave amplitude modulation is also presented by the linear superposition of spin waves. We use interfering spin waves resulting from two closely spaced voltage impulses for the modulation of the magnitude of the resultant spin wave packets.
Proceedings of the Korean Vacuum Society Conference
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2012.08a
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pp.318-318
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2012
A graphene layer is most important materials in resent year to enhance the electrical properties of semiconductor device due to high mobility, flexibility, strong mechanical resistance and transparency[1,2]. The resistance switching memory with the graphene layer have been reported for next generation nonvolatile memory device[3,4]. Also, the graphene layer is able to improve the electrical properties of memory device because of the high mobility and current density. In this study, the resistance switching memory device with metal-oxide nano-particles embedded in polyimide layer on the graphene mono-layer were fabricated. At first, the graphene layer was deposited $SiO_2$/Si substrate by using chemical vapor deposition. Then, a biphenyl-tetracarboxylic dianhydride-phenylene diamine poly-amic-acid was spin coated on the deposited metal layer on the graphene mono-layer. Then the samples were cured at $400^{\circ}C$ for 1 hour in $N_2$ atmosphere after drying at $135^{\circ}C$ for 30 min through rapid thermal annealing. The deposition of aluminum layer with thickness of 200 nm was done by a thermal evaporator. The electrical properties of device were measured at room temperature using an HP4156a precision semiconductor parameter analyzer and an Agilent 81101A pulse generator. We will discuss the switching mechanism of memory device with metal-oxide nano-particles on the graphene mono-layer.
For on-line partial discharge (PD) monitoring of rotating machines, a novel sensor is proposed, which can be installed on the power lead inside the terminal box of the machine. The sensor has been designed to have high capacitance, and minimal reflection of measured pulses. As a sensitivity of the sensor, transfer impedance $Z_t$ has been measured and compared to conventional coupler-type sensors. A simple method is presented for measuring $Z_t$ of coupler sensors, using a vector network analyzer and a practical lead-cable of rotating machine. Through this method, it became possible to measure the $Z_t$ of coupler sensors including the installation environment of them. The $Z_t$ of the proposed sensor is higher than that of same sized other conventional couplers at frequencies between 30 and 92 MHz. Another sensitivity test has been performed using a PD calibrator as a test pulse source. The proposed sensor has higher measured peak voltage than the conventional coupler type sensors when the same charges were input.
Purpose: This study aimed to investigate the fully immersive virtual reality (FIVR) program changes in the autonomic nervous system (ANS) by age according to heart rate variability (HRV). Methods: A total of 44 subjects were classified into group 1(aged 20-30), group 2(aged 40-60), and group 3(aged 70 and above). The study analyzed the HRV using a pulse wave analyzer and compared the ANS changes before and after applying the FIVR of the group. The LF, HF, RMSSD, and SDNN were measured. Fifteen minutes of virtual reality applications were applied to all subjects, and 1 min of rest was given in the middle of the session. A was used for anteroposterior comparisons of the ANS. Results: The HF, LF, RMSSD, and SDNN values were not statistically significant in all groups, but they all increased. The RMSSD value was statistically significant because it increased in group 3 (p<0.05). Those of the other two groups were not statistically significant (p<0.05). Conclusion: An FIVR program does not have a negative effect on the ANS response.
The switching-mode power converter has been widely used because of its features of high efficiency and small weight and size. These features are brought by the ON-OFF operation of semiconductor switching devices. However, this switching operation causes the surge and EMI(Electromagnetic Interference) which deteriorate the reliability of the converter themselves and entire electronic systems. This problem on the surge and noise is one of the most serious difficulties in AC-to-DC converter. Random Pulse Width Modulation (RPWM) is peformed by adding a random perturbation to switching instant while output-voltage regulation of converter is performed. RPWM method for reducing conducted EMI in single switch three phase discontinuous conduction mode boost converter is presented. The more white noise is injected, the more conducted EMI is reduced. But output-voltage is not sufficiently regulated. This is the reason why carrier frequency selection topology is proposed. In the case of carrier frequency selection, output-voltage of steady state and transient state is fully regulated. A RPWM control method was proposed in order to smooth the switching noise spectrum and reduce it's level. Experimental results are verified by converter operating at 300v/1kW with $5%{\sim}30%$ white noise input. Spectrum analysis is performed on the Phase current and the CM noise voltage. The former is measured with Current Probe and the latter is achieved with LISN, which are connected to the spectrum analyzer respectively.
The effect of fuel injection spray on engine performance has been known as one of the major concerns for improving fuel economy and reducing emissions. In general, reducing the spray droplet size could prevent HC emission in gasoline engine. As far as PFI (Port Fuel Injection) gasoline engine is concerned, the mixture of air and fuel may not be uniform under a certain condition, because breakup and production of spray droplets are made in a short distance between the fuel injector and intake valve. This study, by constituting PFI gasoline spray system, was performed to study the transient spray characteristics and dynamic behavior of droplets from 2hole 2spray type injector used in DOHC gasoline engine. Mean droplet size and optical concentration in accordance with various conditions were measured by LDPA and CCD camera. Through this study, the variation of drop size and optical concentration could be used for understanding the behavior of unsteady spray was declared and the existing the small droplets between each pulse spray could be estimated caused to the development of wall film was conformed.
Pulsed ultrasonic Doppler system is a useful diagnostic instrument to measure blood-flow-velocity, velocity profile, and volume-blood-flow. This system is more powerful compare with 2-dimensional B-scan tissue image. A system has been deve- loped and ii being evaluated using TMS 32010 DSP. We use this DSP for the purpose of real-time spectrum analyzer to obtain spectrogram in singlegate pulsed Doppler system and for the serial comb filter to cancel clutter and zero crossing counter to estimate Doppler mean frequency in multigate pulsed Doppler system. The Doppler shift of the backscattered signals is sensed in a phase detector. This Doppler signal corresponds to the mean velocity over a some region in space defined by the ultrasonic beam dimensions, transmitted pulse duration, and transducer ban(iwidth. Multi- gate pulsed Doppler system enable the transcutaneous and simultaneous assessment of the velocities in a number of adjacent sample volumes as a continuous function of time. A multigate pulsed Doppler system processing the information originating from presented.
The metal transfer in $CO_2$ welding shows the transition of transfer mode from short-circuiting to repelled transfer will the increase of welding current. While the short-circuiting mode in $CO_2$ welding has been studied very extensively relating with droplet formation and spatter generation, the repelled transfer has little been understood. In this study, high current $CO_2$ welding has been performed with bead-on-plate welds along with the waveform analyzer and high speed camera. The image of high speed camera was synchronized with its waveform so that the moment of spatter generation could be realized during drop detachment. As a results of this study, it was found that welding arc changes its location either once or three times and thus single or double pulse signals were developed in the voltage waveform. Whenever the arc moved its location, new arc was developed in a explosive way and thus it caused spatter generation. Specially severe spattering took place when the waveform showed a double-peak pattern. As a consequence of these results, new waveform control techniques could be suggested for suppressing the spatter generation in the high-current $CO_2$ welding.
Proceedings of the Korean Vacuum Society Conference
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1999.07a
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pp.219-219
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1999
플라즈마 이온 주입은 진공 chamber 내에 주입하려는 이온이 포함된 플라즈마를 발생시킨 후 처리하고자 하는 시편에 negative high voltage pulse를 인가함으로써 시편 주위에 형성되어 있는 이온들을 시편에 주입하는 방법이다. 이러한 플라즈마 이온 주입 방법은 금속의 내마모성, 내부식성, 강도 및 경도를 증가시키고, 고분자 화합물의 표면 개질에 있어서 친수성 또는 소수성과 같은 표면 처리를 쉽고 간단하게 처리할 수 있다. 그리고 반도체 공정의 shallow junction doping을 효과적으로 처리할 수 있으며 특히, 대면적의 시편에 균일하게 이온을 주입할 수 있다. 플라즈마 이온 주입 방법에서 중요한 요소는 dose, 즉 이온 주입한 양과 처리하려는 시편에 주입되는 이온의 에너지이다. 여기서, 플라즈마내에 생성된 이온들의 비율을 정확히 안다면 시편에 주입되는 이온의 양과 주입되는 이온의 에너지를 충분히 예견할 수 있다. 질소 플라즈마의 경우에는 N+와 N2+가 생성되므로, 시편에 주입된 질소 이온의 실질적인 이온당 질소 원자수는 1$\times$N+% + 2$\times$N+%가 되고, N2+의 경우는 N+ 주입 에너지의 1/2 로 시편내에 주입되게 된다. 또한 질소 플라즈마의 경우 N2+ 이온이 상대적으로 N+이온보다 많다면 N+가 많은 경우보다 이온 주입 깊이는 얕아지게 된다. 본 실험에서는 Dycor M-100 residual gas analyzer와 potical emission spectrometer (Ocean Optics SQ 2000)를 사용하여 압력과 RF power를 변화시키며 플라즈마내에 생성되어지는 질소 이온의 비율을 측정하였다. 또한 Langmuir probe를 이용하여 속도차에 의한 각 이온들의 존재비율을 계산하였다. 여기에서 질소 가스의 압력이 낮을수록 N+보다 N2+의 존재비율이 높음을 보였다. 이것은 압력이 낮은 영역에서 일반적으로 전자의 평균온도가 높기 때문으로 여겨진다.
Yu, K.S.;Kim, Wansup;Park, Kyungsu;Min, Won Ja;Moon, DaeWon
Proceedings of the Korean Vacuum Society Conference
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2014.02a
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pp.107.1-107.1
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2014
We have developed and commercialize a time-of-flight - medium energy ion scattering spectrometry (TOF-MEIS) system (model MEIS-K120). MEIS-K120 adapted a large solid acceptance angle detector that results in high collection efficiency, minimized ion beam damage while maintaining a similar energy resolution. In addition, TOF analyzer regards neutrals same to ions which removes the ion neutralization problems in absolute quantitative analysis. A TOF-MEIS system achieves $7{\times}10^{-3}$ energy resolution by utilizing a pulsed ion beam with a pulse width 350 ps and a TOF delay-line-detector with a time resolution of about 85 ps. TOF-MEIS spectra were obtained using 100 keV $He^+$ ions with an ion beam diameter of $10{\mu}m$ with ion dose $1{\times}10^{16}$ in ordinary experimental condition. Among TOF-MEIS applications, we report the quantitative compositional profiling of 3~5 nm CdSe/ZnS QDs, As depth profile and substitutional As ratio of As implanted/annealed Si, Ionic Critical Dimension (CD) for FinFET, Direct Recoil (DR) analysis of hydrogen in diamond like carbon (DLC) and InxGayZnzOn on glass substrate.
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[게시일 2004년 10월 1일]
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