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원판형 연골 절제술 후 재수술의 원인 (The Causes of Reoperation after Meniscectomy of the Lateral Discoid Meniscus)

  • 임홍철;심재학;하학승
    • 대한관절경학회지
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    • 제3권2호
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    • pp.115-120
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    • 1999
  • 목 적 : 원판형 연골은 가장 흔한 슬관절 반월상 연골의 기형으로 이에 대한 치료로 전 절제술 혹은 부분 절제술이 시도되고 있으나 연골판 절제술 후에도 다양한 합병증 및 지속적인 관절 증상을 호소하는 경우가 많다. 저자들은 관절경을 이용한 원판형 연골 절제술 후 지속적인 연골 증상을 보여 재수술을 시행한 경우에 대해 그 원인을 분석하고자 한다. 재료 및 방법 : 1989년 10월부터 1998년 9월까지 외측 원판형 연골로 인한 슬관절 증상으로 입원해서 관절경을 이용한 원판형 연골 절제술을 시행했던 273례를 대상으로 하였다. 이중 전 절제술을 시행했던 경우는 69례, 부분 절제술을 시행했던 경우는 204례였으며, 성별 비율은 남녀가 1:1.04, 평균 연령은 23.1세였다. 재수술은 총 8례에서 시행하였으며 그 중 전 절제술을 시행했던 경우가 1례, 부분 절제술을 시행했던 경우가 7례였다. 결 과 : 수술 후 3주내에 증상이 재발한 경우는 3례였고, 3주 이후 지연성으로 재발한 경우는 5례였다. 조기 재발한 3례 중 2례는 부적절한 반월상 연골 크기 소견 보여 추가적인 절제술을 시행하였고, 1례는 연골 후 외측부 불안정성 소견 보여서 반월상 연골 봉합술을 시행하였다. 지연성으로 재발한 5례 중 3례는 연골의 재파열 소견을 보여서 추가적인 연골 절제술을 시행하였고, 2례에서는 동반된 박리성 골연골염으로 인한 관절염이 진행되어 이에 대해 대퇴골 관절면에 대해 재형성술 및 다듬질(reshaping & smoothening)을 시행하였다. 결 론 : 재수술률은 전 절제술을 시행한 경우보다 부분 절제술을 시행한 경우에서 더 높았으며, 원판형 연골 절제술 시 고려해야 할 사항으로 적절한 연골 절제 범위의 결정, 절제술 후 잔여 연골의 불안정성에 대한 탐침을 이용한 확인, 동반 질환에 대한 처치 및 추적 검사 등이 필요하다.

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전자-정공 효과(Core-Hole Effect) 적용에 따른 SiO2 고압상들의 전자구조 및 O K-edge X-선 Raman 산란 스펙트럼 계산 결과 분석 (Core-hole Effect on Partial Electronic Density of State and O K-edge x-ray Raman Scattering Spectra of High-Pressure SiO2 Phases)

  • 김훈;이유수;이성근
    • 한국광물학회지
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    • 제30권2호
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    • pp.59-70
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    • 2017
  • $SiO_2$는 지각과 맨틀을 구성하는 풍부한 물질로 고압 상태의 $SiO_2$ 원자구조를 결정짓는 전자구조적 특성에 대한 상세한 이해는 지구 내부의 탄성과 열역학적 성질에 대한 통찰을 제공한다. $SiO_2$처럼 경원소(low-z)로 이루어진 지구 물질의 고압상 전자구조는 in situ 고압 XRS (x-ray Raman scattering) 실험을 통해 연구되어 왔다. 하지만 기존의 고압 실험 방법으로는 물질의 국소 원자구조와 XRS 스펙트럼 간 상관관계를 밝히는데 한계가 있다. 이를 극복하고 더 높은 압력에서 존재하는 $SiO_2$에 대한 XRS 정보를 얻기 위해 밀도 범함수 이론(density functional theory; DFT)에 기반을 둔 제1원리(ab initio) 계산법을 이용한 XRS 스펙트럼 계산 연구들이 진행되고 있다. 비탄성 X-선 산란에 의하여 원자핵 주변 1s 오비탈에 만들어지는 전자-정공(core-hole)은 경원소 물질의 국소 전자구조에 크게 영향을 미치기 때문에 O K-edge XRS 스펙트럼 형태를 계산할 때 중요하게 고려해야 한다. 본 연구에서는 온-퍼텐셜 선형보충파(full-potential linearized augmented plane wave; FP-LAPW) 방법론에 기반하는 WIEN2k 프로그램을 사용하여 ${\alpha}-quartz$, ${\alpha}-cristobalite$ 그리고 $CaCl_2$-구조를 갖는 $SiO_2$에 대한 O 원자 전자 오비탈의 부분 상태밀도(partial density of states; PDOS)와 O K-edge XRS 스펙트럼을 계산하였다. 또한, $CaCl_2$-구조를 갖는 $SiO_2$의 O 원자 PDOS의 전자-정공 효과의 적용 여부에 따른 차이를 비교하여, 원자핵 부근 전자구조 변화에 따른 PDOS의 피크 세기와 위치 변화가 크게 나타났다는 사실을 확인할 수 있었다. 또한 계산된 각 $SiO_2$ 구조의 O K-edge XRS 스펙트럼이 각 $SiO_2$ 구조에서 계산된 O 원자의 $p^*$ 오비탈의 PDOS 결과와 매우 유사한 형태를 갖고 있음을 확인하였다. 이는 O K-edge XRS 스펙트럼이 갖는 대부분의 특징적인 피크들이 O 원자의 점유 1s 오비탈에서 $2p^*$ 오비탈로의 전자전이에 기인하기 때문이다. 본 연구의 결과는 $SiO_2$에 대한 정확한 O K-edge XRS 스펙트럼을 계산하는데 있어 전자-정공 효과를 고려해야 한다는 사실을 보여준다. 또한, 실험적으로는 재현이 어려운 고압 환경에 존재하는 $CaCl_2$-구조를 갖는 $SiO_2$ (~63 GPa)에 대한 O K-edge XRS 스펙트럼 계산을 통해, 제1원리 계산이 고압상 물질의 물성 연구에 이용될 수 있다는 사실을 보여준다.