• 한국정보통신학회:학술대회논문집
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• 한국해양정보통신학회 2011년도 춘계학술대회
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• pp.681-684
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• 2011

본 연구에서는 가우스 함수를 이용한 포아송방정식으로부터 DGMOSFET에서 채널내 전위와 전하분포의 관계를 유도하고자 한다. 이때 가우스 함수의 변수인 이온주입범위 및 분포편차에 대하여 문턱전압이하 스윙의 변화를 관찰하고자 한다. 포아송방정식으로부터 해석학적 전위분포 모델을 구하였으며 이를 이용하여 문턱전압이하 스윙값을 구하였다. 문턱전압이하 스윙은 게이트전압에 대한 드레인전류의 변화를 나타내고 이론적으론 최소값 60mV/dec을 나타내며 디지털소자응용에 매우 중요한 요소이다. 본 연구의 모델이 타당하다는 것을 입증하기 위하여 포텐셜 분포값을 수치해석학적 값과 비교하였다. 결과적으로 본 연구에서 제시한 포텐셜모델이 수치해석학적 시뮬레이션모델과 매우 잘 일치하였으며 가우스 함수의 형태에 따라 문턱전압이하 스윙을 분석하였다.

• 전자공학회논문지CI
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• 제40권3호
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• pp.127-136
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• 2003

본 논문에서는 템플릿 변형과 Level-Set 이론을 사용하여 모델과 에지 기반의 객체 추적 방법을 제안한다. 제안된 방법은 배경의 변화, 객체 자체의 모양변화, 객체간의 겹침 등이 있는 경우에도 객체를 추적할 수 있다. 먼저, 객체 추적을 위해 템플릿과 목적 프레임간의 상호 영역 차이(Inter-region distance)와 에지 값으로 구성된 에너지 함수 PDEF(Potential Difference Energy Function)를 새롭게 정의한다. 이 함수는 객체 위치 및 경계 예측과 객체 모양 재결정 단계에서 사용된다. 객체 위치 및 경계 예측 단계에서는 객체의 변화가 어파인(affine) 변형을 따른다는 가정 하에 객체의 대략적인 모양 및 위치를 예측한다. 객체 모양 재결정 단계에서는 퍼텐셜 에너지 지도(Potential energy map)와 수정된 Level-Set 운동 함수를 사용하여 객체의 정확한 형태를 재결정한다. 실험결과에서 제안된 방법은 기존의 방법보다 배경의 변화가 큰경우, 객체 자체의 모양변화가 심한 경우, 객체간의 겹침이 있는 경우 등 다양한 상황이 포함된 동영상에서 정확하게 객체를 추적할 수 있음을 확인할 수 있다.

• 대한원격탐사학회지
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• 제21권2호
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• pp.99-111
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• 2005

제주도의 지열 부존 가능지역을 추출하기 위하여 최근 활발하게 제안되고 있는 퍼지이론에 기반한 GIS 통합기법을 적용함으로써 그 효용성을 검토하였다. 지질도, 수계 분포 밀도, 분석구 분포 밀도, 선구조 분포 밀도, 항공자력도, 항공방사능도 등 각 주제도의 통계적 상관관계 분석을 위해 퍼지소속함수(Fuzzy membership function)를 그래프에 도시하였다. 현재 온천 발견 위치와 상관성은 용암류의 분출시기가 오래될수록 높았다. 수계, 분석구 및 선구조에서는 분포밀도가 낮은 곳에서 상관성이 높게 나타났으며, 항공자력도와 항공방사능도에서는 대자율 및 감마선 강도가 중간 범위인 곳에서 상관성이 높은 것으로 나타났다. 퍼지 연산자 중에서는 $\gamma$ 연산자($\gamma$=0.75)가 가장 높은 성공 비율을 보였으며, 제주도 서북부 일부지역에서 새로운 지열 부존 가능성이 제기되었다.

• 한국전산유체공학회:학술대회논문집
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• 한국전산유체공학회 2006년도 추계 학술대회논문집
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• pp.61-65
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• 2006

This paper describes a recent development on the divergence free basis function based on a hermite stream function. The well-known cavity problem has been used to compare the accuracy and the convergence of the present method with those of a modified residual method known as one of the stabilized finite element methods. The comparison showed the present method performs better in the accuracy and convergence.

• 한국해양공학회:학술대회논문집
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• 한국해양공학회 2006년 창립20주년기념 정기학술대회 및 국제워크샵
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• pp.411-414
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• 2006

This paper describes a recent development on the divergence free basis function based on a hermite stream function. The well-known cavity problem has been used to compare the accuracy and the convergence of the present method with those of a modified residual method known as one of the stabilized finite e1ement methods. The comparison showed the present method performs better in the accuracy and convergence.

• 한국해양공학회지
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• 제24권3호
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• pp.59-63
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• 2010

In this paper, an electroelastic analysis is performed on a piezoelectric material with an open crack in anti-plane deformation. Bueckner’s weight function theory is extended to piezoelectric materials in anti-plane deformation. The stress intensity factors and electric displacement intensity factor are calculated by the weight function theory.

• Clinical and Experimental Reproductive Medicine
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• 제46권1호
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• pp.1-7
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• 2019

With the progress of regenerative medicine, mesenchymal stem cells (MSCs) have received attention as a way to restore ovarian function. It has been reported that MSCs derived from bone marrow, adipose, umbilical cord blood, menstrual blood, and amniotic fluid improved ovarian function. In light of previous studies and advances in this field, there are increased expectations regarding the utilization of MSCs to restore ovarian function. This review summarizes recent research into potential applications of MSCs in women with infertility or primary ovarian insufficiency, including cases where these conditions are induced by anticancer therapy.

• 한국정보통신학회논문지
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• 제17권11호
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• pp.2621-2626
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• 2013

비대칭 이중게이트 MOSFET의 전위분포에 대하여 고찰하였으며 이를 위하여 포아송방정식의 해석학적 해를 구하였다. 대칭 DGMOSFET는 3단자 소자로서 상하단의 게이트단자가 상호 연결되어 있어 상하단 동일한 제어능력을 가지고 있으나 비대칭 DGMOSFET 소자는 4단자 소자로서 상하단 게이트단자의 전류제어능력을 각각 설정할 수 있다는 장점이 있다. 전위분포를 구할 때 포아송방정식을 이용하였으며 도핑분포함수에 가우시안 함수를 적용함으로써 보다 실험값에 근사하게 해석하였다. 비대칭 이중게이트 MOSFET의 게이트 단자전압 및 게이트 산화막 두께 그리고 채널도핑의 변화에 따라 전위분포의 변화를 관찰하였다. 비대칭 DGMOSFET의 전위분포를 관찰한 결과, 게이트단자 전압 및 게이트 산화막 두께 등에 따라 전위분포는 크게 변화하는 것을 알 수 있었다. 특히 게이트 산화막 두께가 증가하는 단자에서 전위분포의 변화가 더욱 크게 나타나고 있었으며 채널도핑이 증가하면 드레인 측보다 소스 측 전위분포가 크게 변화하는 것을 알 수 있었다.

• 한국전기전자재료학회:학술대회논문집
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• 한국전기전자재료학회 2008년도 하계학술대회 논문집 Vol.9
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• pp.132-132
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• 2008

Silicon carbide (SiC) is an attractive material for high-power, high-temperature, and high-frequency applications. So far, atomic force microscopy (AFM) has been extensively used to study the surface charges, dielectric constants and electrical potential distribution as well as topography in silicon-based device structures, whereas it has rarely been applied to SiC-based structures. In this work, the surface potential and topography distributions SiC with different doping levels were measured at a nanometer-scale resolution using a scanning kelvin probe force microscopy (SKPM) with a non-contact mode AFM. The measured results were calibrated using a Pt-coated tip and a metal defined electrical contacts of Au onto SiC. It is assumed that the atomically resolved surface potential difference does not originate from the intrinsic work function of the materials but reflects the local electron density on the surface. It was found that the work function of the Au deposited on SiC surface was higher than that of original SiC surface. The dependence of the surface potential on the doping levels in SiC, as well as the variation of surface potential with respect to the schottky barrier height has been investigated. The results confirm the concept of the work function and the barrier heights of metal/SiC structures.

• 대한전기학회:학술대회논문집
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• 대한전기학회 1996년도 하계학술대회 논문집 A
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• pp.154-156
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• 1996

A new method for electric resistivity tomography(ERT) is developed for geophysical inverse problems by adapting the sensitivity analysis. The outputs of the potential electrodes are computed using two dimensional finite element method in the wave number space by Fourier transforming the governing equations. The resistance distribution in the region of interests, which makes the computed potential distribution coincide with the measured potential, is found by minimizing the objective function using an optimization method. In this process the sensitivity analysis is introduced in order to compute the derivatives of the objective function. And an adjoint variable method is used to save the computational efforts for sensitivity coefficients.